一种利用糖类物质中的碳宏量获取高质量石墨烯的方法

    公开(公告)号:CN116873908A

    公开(公告)日:2023-10-13

    申请号:CN202311004561.4

    申请日:2023-08-10

    Abstract: 一种利用糖类物质中的碳宏量获取高质量石墨烯的方法,它涉及一种制备高质量石墨烯的方法。本发明的目的是为解决以往用天然石墨作为原料采用自上而下的方法和以小分子碳源作为原料采用自下而上的方法制备石墨烯存在的制备工艺复杂,制备成本高昂,难以制备高质量的石墨烯的问题。方法:一、配制水溶性糖类镍粉悬浮液和不溶性糖类镍粉悬浮液;二、制备糖/镍复合粉体;三、放电等离子烧结处理;四、刻蚀金属镍,得到高质量石墨烯。本发明通过放电等离子烧结系统制备的石墨烯,在800℃时即可得到晶型完美、缺陷较少,石墨化度极高的石墨烯材料,低温短时制备节约了能源,符合绿色化学的要求。本发明可获得高质量石墨烯。

    一种四组元SiHfBC聚合物陶瓷先驱体的制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN113880581B

    公开(公告)日:2022-10-04

    申请号:CN202111361538.1

    申请日:2021-11-17

    Abstract: 一种四组元SiHfBC聚合物陶瓷先驱体的制备方法及其应用,本发明涉及有机高分子材料领域,具体涉及一种陶瓷先驱体的制备方法及其应用。本发明要解决现有多元陶瓷先驱体含氧量过高的技术问题。方法:将四氯化铪溶解在四氢呋喃溶剂,制备先驱体溶液;加入甲基乙烯基二氯硅烷和硼烷二甲硫醚反应;升温加热,进行交联反应;固化处理。将所述一种四组元SiHfBC聚合物陶瓷先驱体进行热解制备得到SiHfBC聚合物陶瓷。本发明反应过程,可有效地调整SiHfBC聚合物陶瓷先驱体的结构,保证先驱体中元素分布的均匀性。通过固化反应脱去小分子形成高聚物,最终经过热解形成共价键连接稳定的SiHfBC聚合物陶瓷。本发明用于制备SiHfBC聚合物陶瓷。

    一种制备石墨烯网络增韧ZrC-SiC超高温陶瓷材料的方法

    公开(公告)号:CN108178650B

    公开(公告)日:2021-06-01

    申请号:CN201810059344.8

    申请日:2018-01-22

    Abstract: 一种制备石墨烯网络增韧ZrC‑SiC超高温陶瓷材料的方法,本发明涉及陶瓷材料的制备方法领域。本发明是要解决现有ZrC‑SiC抗损伤容限差的技术问题。方法:一、制备氧化石墨烯水溶液;二、制备氧化石墨烯分散液;三、定向冷冻,制备PVA改性的石墨烯网络;四、热还原,真空浸渍,制备石墨烯网络包裹陶瓷粉体的生坯;五、放电等离子烧结。本发明方法制备的陶瓷材料的断裂韧性由3.82MPa·m1/2增加到4.26MPa·m1/2,临界裂纹尺寸由26.8μm增加到119.4μm,断裂功由44.7J/m2增加到151.6J/m2。本发明用于制备陶瓷材料。

    一种制备高损伤容限的面内各向同性的硼化锆基超高温独石结构陶瓷的方法

    公开(公告)号:CN109293384B

    公开(公告)日:2021-03-30

    申请号:CN201811287055.X

    申请日:2018-10-31

    Abstract: 一种制备高损伤容限的面内各向同性的硼化锆基超高温独石结构陶瓷的方法,涉及一种硼化锆基超高温独石陶瓷材料的制备方法。目的是解决ZrB2基超高温陶瓷抗损伤容限差及ZrB2基纤维独石陶瓷存在严重面内各向异性的问题。制备方法:将聚醚砜溶解在N‑甲基吡咯烷酮中,并与ZrB2粉体和SiC粉体进行球磨混料得到ZrB2‑SiC浆料,ZrB2‑SiC浆料挤出固化得到连续ZrB2‑SiC陶瓷纤维;ZrB2粉体、SiC粉体与Graphene分散在去离子水中得到ZrB2‑SiC‑Graphene浆料;连续ZrB2‑SiC陶瓷纤维涂覆ZrB2‑SiC‑Graphene浆料并烘干,进行预压、高温排胶和热压烧结。本发明解决了单轴排列的ZrB2基纤维独石陶瓷的面内各向异性的问题,抗损伤容限得到提升。本发明适用于制备硼化锆基超高温独石结构陶瓷。

    一种简易批量合成高纯五碳化四钽铪陶瓷粉体的方法

    公开(公告)号:CN109400165A

    公开(公告)日:2019-03-01

    申请号:CN201811390592.7

    申请日:2018-11-21

    Abstract: 一种简易批量合成高纯五碳化四钽铪陶瓷粉体的方法,涉及一种合成五碳化四钽铪陶瓷粉体的方法。目的是解决现有能够得到高纯Ta4HfC5陶瓷粉体的化学法存在危险性大的问题。制备方法:将HfCl4粉体加入到乙酰丙酮中并加热搅拌得到前驱体溶液A;正丁醇加入到前驱体溶液A中得到前驱体溶液B,加入TaCl5粉体得到前驱体溶液C;酚醛树脂加入到前驱体溶液C中并加热搅拌得到前驱体溶液D;氨水加入到前驱体溶液D中并搅拌均匀,得到前驱体产物,最后干燥和煅烧。本发明在常温常压下进行,对设备要求低,实验方法简单,危险性低,适合批量生产制备的粉体纯度≥98.5%,粒径均匀。本发明适用于制备高纯五碳化四钽铪陶瓷粉体。

    一种制备高损伤容限的面内各向同性的硼化锆基超高温独石结构陶瓷的方法

    公开(公告)号:CN109293384A

    公开(公告)日:2019-02-01

    申请号:CN201811287055.X

    申请日:2018-10-31

    Abstract: 一种制备高损伤容限的面内各向同性的硼化锆基超高温独石结构陶瓷的方法,涉及一种硼化锆基超高温独石陶瓷材料的制备方法。目的是解决ZrB2基超高温陶瓷抗损伤容限差及ZrB2基纤维独石陶瓷存在严重面内各向异性的问题。制备方法:将聚醚砜溶解在N-甲基吡咯烷酮中,并与ZrB2粉体和SiC粉体进行球磨混料得到ZrB2-SiC浆料,ZrB2-SiC浆料挤出固化得到连续ZrB2-SiC陶瓷纤维;ZrB2粉体、SiC粉体与Graphene分散在去离子水中得到ZrB2-SiC-Graphene浆料;连续ZrB2-SiC陶瓷纤维涂覆ZrB2-SiC-Graphene浆料并烘干,进行预压、高温排胶和热压烧结。本发明解决了单轴排列的ZrB2基纤维独石陶瓷的面内各向异性的问题,抗损伤容限得到提升。本发明适用于制备硼化锆基超高温独石结构陶瓷。

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