公开(公告)号：CN105088339B

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201510229309.2

申请日：2015-05-07

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 石田雄 ,  山本佳津子 ,  角谷均

IPC分类号： C30B29/04 ,  C30B28/02

CPC分类号： B24D18/0009 ,  B24D3/008 ,  C01B32/25 ,  C04B35/52 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/425 ,  C04B2235/427 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/96

摘要： 本发明提供了一种包含金刚石颗粒的多晶金刚石体。所述金刚石颗粒的平均粒径为50nm或更小。在23℃±5℃、4.9N的测试负荷下的努氏硬度测定中，所述多晶金刚石体的努氏压痕的对角线中较短对角线的长度B与较长对角线的长度A的比值为0.080或更小，其中该比值表示为比值B/A。该多晶金刚石体具有韧性且具有小粒径。本发明还提供了一种切削工具、耐磨工具、磨削工具，以及用于制造多晶金刚石体的方法。

公开(公告)号：CN108698944A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780012069.8

申请日：2017-02-16

申请人： 贺利氏德国有限两合公司

发明人： K·赫布斯特 ,  C·穆舍尔克瑙茨 ,  A·罗格

IPC分类号： C04B37/02 ,  C04B41/00

CPC分类号： C04B37/021 ,  C04B2235/78 ,  C04B2235/781 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/788 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/706 ,  H05K1/0204 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/09 ,  H05K2201/10287

摘要： 本发明涉及一种铜‑陶瓷复合物，其包含含有氧化铝的陶瓷衬底，在所述陶瓷衬底上由铜或铜合金制成的涂层，其中所述氧化铝具有以来自所述氧化铝的粉粒形状因子的算术平均值形式测定的平均粉粒形状因子Ra(Al2O3)，所述铜或所述铜合金具有以所述铜或铜合金的粉粒形状因子的算术平均值形式测定的平均粉粒形状因子Ra(Cu)，且所述氧化铝与所述铜或铜合金的平均粉粒形状因子符合以下条件：0.5≤Ra(Al2O3)/Ra(Cu)≤2.0。

公开(公告)号：CN108698933A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780014108.8

申请日：2017-01-31

申请人： 住友金属矿山株式会社

发明人： 中山德行 ,  西村英一郎 ,  松村文彦

IPC分类号： C04B35/01 ,  C23C14/34

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C04B35/01 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6583 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/9661 ,  C23C14/34 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

摘要： 本发明提供能以比过去更低的温度的退火处理来制造具有高载流子迁移率的由铟及镓构成的非晶质或结晶质的氧化物半导体薄膜的溅射用靶、用于得到该钯的合适的由铟及镓构成的氧化物烧结体。该氧化物烧结体由铟及镓的氧化物构成，其特征在于，以Ga/(In+Ga)原子数比计，镓的含量为0.10以上且0.49以下，CIE1976颜色体系中的L*值为50以上且68以下，由方铁锰矿型结构的In2O3相和In2O3相以外的生成相构成，所述In2O3相以外的生成相是β‑Ga2O3型结构的GaInO3相，或者是β‑Ga2O3型结构的GaInO3相和(Ga，In)2O3相。

公开(公告)号：CN106971845B

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201611224875.5

申请日：2016-12-27

申请人： TDK株式会社

发明人： 佐藤雅之 ,  今野阳介 ,  由利俊一 ,  伊藤康裕 ,  小田嶋努 ,  加纳裕士

IPC分类号： H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  C04B35/468

CPC分类号： H01G4/30 ,  B32B18/00 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/4686 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/85 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/68 ,  H01G4/1227

摘要： 本发明涉及一种陶瓷电子部件，其具有电介质层以及电极层。电介质层具有多个陶瓷颗粒以及存在于多个陶瓷颗粒之间的晶界相。陶瓷颗粒的主成分为钛酸钡。晶界相的平均厚度为1.0nm以上并且晶界相的厚度偏差σ为0.1nm以下。

公开(公告)号：CN104944942B

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201510137602.6

申请日：2015-03-26

申请人： TDK株式会社

发明人： 佐屋裕子 ,  政井琢 ,  古川正仁 ,  南风盛将光

IPC分类号： C04B35/475 ,  C04B35/44 ,  C04B35/01

CPC分类号： H01L41/1878 ,  B32B18/00 ,  C04B35/475 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/68 ,  C04B2237/704 ,  C23C14/08 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/083

摘要： 本发明的目的在于提供一种从压电特性、尤其是自发极化的最大值Pm与剩余极化Pr的比率大、电阻率充分高、低公害化、对环境性以及生态学的观点出发也优异的压电组合物以及压电元件。所述压电组合物的特征在于，主成分包含钙钛矿结构的下述通式所表示的物质。(Bi(0.5x+y+z)Na0.5x)m(Tix+0.5yMg0.5yAlkzCo(1‑k)z)O30.15≤x≤0.70.28≤y≤0.750.02≤z≤0.300.17≤k≤0.830.75≤m≤1.0(式中，x+y+z＝1)。

公开(公告)号：CN103578748B

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201210363732.8

申请日：2012-09-26

申请人： 三星电机株式会社

发明人： 郑汉胜 ,  金昶勋 ,  权祥勋 ,  尹硕晛

IPC分类号： H01G4/005 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC分类号： H01G4/12 ,  C04B35/468 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/5472 ,  C04B2235/782 ,  C04B2235/784 ,  C04B2235/785 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/30 ,  Y10T156/1092

摘要： 本发明提供一种层压式陶瓷电子元件，该层压式陶瓷电子元件包括：陶瓷本体，该陶瓷本体包括电介质层；以及第一内电极和第二内电极，该第一内电极和第二内电极彼此相对设置，在陶瓷本体中，所述电介质层插入于该第一内电极和第二内电极之间；其中，在电介质层中的以电介质颗粒的平均粒径为依据的电介质颗粒的累积分布中，当将1%的值设定为D1、将50%的值设定为D50以及将99%的值设定为D99时，满足2≤D99/D50≤3，以及2≤D50/D1≤3。本发明可以实现高电容层压式陶瓷电子元件，该层压式陶瓷电子元件具有电介质层和内电极之间的改善的粘附力，并且可以实现改善的耐压特性和优异的可靠性。

公开(公告)号：CN105339116B

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201580001120.6

申请日：2015-03-20

申请人： 住友电工硬质合金株式会社

发明人： 松田裕介 ,  冈村克己 ,  佐野谦太 ,  月原望 ,  濑户山诚

IPC分类号： B23B27/14 ,  B23B51/00 ,  B23C5/16 ,  C04B35/626

CPC分类号： B23B27/148 ,  B23B2224/24 ,  B23B2226/125 ,  B23B2228/105 ,  C04B35/5831 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62645 ,  C04B35/6303 ,  C04B35/645 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5063 ,  C04B41/5068 ,  C04B41/52 ,  C04B41/89 ,  C04B2235/3813 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3886 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/783 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/9607 ,  C22C26/00 ,  C23C14/0021 ,  C23C14/022 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/325 ,  C04B41/4529 ,  C04B41/455 ,  C04B41/5062

摘要： 在本发明的表面被覆氮化硼烧结工具中，至少切削刃部分包括复合烧结体和设置在复合烧结体的表面上的覆层。该复合烧结体包含立方氮化硼颗粒和结合剂颗粒。该复合烧结体包含45体积％以上80体积％以下的立方氮化硼颗粒。立方氮化硼颗粒的第一粒度分布曲线在0.1μm以上0.7μm以下的粒径范围内具有一个以上的峰。立方氮化硼颗粒的第二粒度分布曲线在2.0μm以上7.0μm以下的粒径范围内存在具有最大峰高的第一峰。在第二粒度分布曲线中，积分值比(Io/It×100)为1以上20以下，其中Io表示粒径为0.1μm以上0.7μm以下的范围内的积分值，并且It表示全部范围内的积分值。

公开(公告)号：CN107417279A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201710316332.4

申请日：2017-05-08

申请人： 肯纳金属公司

发明人： S.赵 ,  J.戈德史密斯

IPC分类号： C04B35/56

CPC分类号： C04B35/5626 ,  B23B27/148 ,  B23B2224/04 ,  B23B2226/18 ,  C04B35/117 ,  C04B35/581 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/322 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3231 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3246 ,  C04B2235/3839 ,  C04B2235/3847 ,  C04B2235/3856 ,  C04B2235/3869 ,  C04B2235/3886 ,  C04B2235/764 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/3817

摘要： 本发明公开了烧结陶瓷体及其应用。在一个方面，本文描述了烧结陶瓷体，在一些实施例中，所述烧结陶瓷体展现出改善的耐磨性和增强的切削寿命。例如，烧结陶瓷体包含40-95重量％的量的碳化钨(WC)、5-30重量％的量的氧化铝以及至少1重量％的量的碳化二钨(W2C)。

公开(公告)号：CN107226696A

公开(公告)日：2017-10-03

申请号：CN201710358505.9

申请日：2017-05-19

申请人： 淄博高新技术产业开发区先进陶瓷研究院 ,  山东唯破立电子科技有限公司

发明人： 孙华君 ,  胡伟 ,  高文秋 ,  董海泉 ,  尹长霞 ,  廖园富

IPC分类号： C04B35/49 ,  C04B35/626 ,  C04B35/488

CPC分类号： C04B35/49 ,  C04B35/488 ,  C04B35/62615 ,  C04B35/62675 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/96

摘要： 本发明属于电子信息技术领域，具体涉及一种X7R型BaTiO3基电容器陶瓷材料及其制备方法。包括以下质量份数的原料：BaTiO394～97份、CaZrO31.5～3份、Ta2O50.5～1份、Nb2O51～1.5份、MnCO30.1～0.3份和MgO 0.2～0.5份。本发明在‑55℃～125℃范围内满足容温变化率≤15％，具有较高的介电常数、低的介电损耗且环境友好、烧结范围宽、性能重复性好。本发明还提供其制备方法，配方简单可调、烧结范围宽、性能重复性好、成本低、易于工业化生产。

公开(公告)号：CN107207364A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201680009499.X

申请日：2016-01-18

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 石田雄 ,  有元桂子 ,  山本佳津子 ,  角谷均

IPC分类号： C04B35/583 ,  B23B27/14 ,  B23B27/20 ,  B23B51/00 ,  B23C5/16

CPC分类号： C04B35/5831 ,  B23B27/14 ,  B23B27/20 ,  B23B51/00 ,  B23B2226/125 ,  B23B2228/00 ,  B23C5/16 ,  C04B35/583 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/386 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/781 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/96

摘要： 一种立方氮化硼多晶体，其包含立方氮化硼，该立方氮化硼的平均晶粒尺寸为150nm以下，在使用R200μm金刚石压头并以100N/分钟的速率施加负荷的断裂强度试验中，该立方氮化硼多晶体的裂纹产生负荷为25N以上。