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31.

实用新型
亚微米厚度有机半导体薄膜三极管失效

公开(公告)号：CN201100919Y

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200620022194.6

申请日：2006-12-12

申请人： 哈尔滨理工大学

发明人： 赵洪 , 王东兴 , 殷景华 , 王喧 , 桂太龙 , 宋明歆

IPC分类号： H01L51/05

摘要： 亚微米厚度有机半导体薄膜三极管，涉及一种有机半导体材料为主体制作的亚微米厚度有机半导体薄膜发光三极管。目前欧美等发达国家研究的有机薄膜三极管主要是采用OTFT结构。本实用新型组成包括：玻璃基板1，玻璃基板上具有金2、酞菁铜3、铝4、酞菁铜5、金6的层状结构复合层。铝膜的厚度为20±10nm，酞菁铜的厚度上层为70±5nm，下层为130±5nm。本产品用作有机的甚至是软体衬底的显示器，随着高性能新型有机半导体材料的开发，本产品可用作高速、高电流密度特性的三极管，可以用于有机显示器、液晶面板的驱动单元，电子标签，有机集成电路芯片等更广泛的领域。