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公开(公告)号：CN117458909A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311449760.6
申请日：2023-11-02
申请人： 重庆大学
摘要： 一种基于磁感应均流并联SiC MOSFETs脉冲发生器，包括：控制信号产生模块、光电隔离驱动模块、固态开关驱动模块、磁感应均流模块、Marx脉冲发生器输出模块和负载。本发明通过SiC MOSFET开关并联更简单、高效地实现了Marx发生器更大脉冲电流和功率的输出，电路拓扑结构简单、参数灵活可调、可多模块堆叠。本发明采用的磁感应均流技术解决了并联开关器件间不均流问题，保证了并联SiC MOSFET脉冲发生器大电流输出的可靠性和稳定性。本发明提出的基于磁感应均流并联SiC MOSFETs脉冲发生器的脉冲输出电压电流幅值、脉冲宽度、脉冲频率均灵活可调。
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公开(公告)号：CN116454828A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202211634776.X
申请日：2022-12-19
申请人： 重庆大学
摘要： 一种快响应数字式过流保护闭锁装置，包括：控制信号产生模块、固态开关驱动模块、电流检测模块、过流检测判断模块和过流保护闭锁；本发明设计了快响应过流保护模块。过流保护模块分为过流检测和过流锁定两个部分。同时，本发明为数字电路式过流闭锁保护，从而规避工业环境下的强电磁干扰对于软件式过流保护的影响，确保了保护的可靠动作，从而确保系统的正常运行。
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公开(公告)号：CN116054784A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211635436.9
申请日：2022-12-19
申请人： 重庆大学
摘要： 一种低成本大功率双极性高压脉冲发生器，包括：控制信号发生模块、固态开关驱动电路、双极限高压脉冲发生器和负载；本发明提出了基于优化型H桥及脉冲变压器的双极性脉冲高压发生器。仅需要一级H桥电路输出一定幅值电压，利用脉冲变压器升压单元对电压进行提升，从而达到高压脉冲发生器的设计指标。本发明可实现高幅值双极性脉冲电压电流波形输出。本发明提出的优化型H桥电路拓扑可在固态开关过流时短时间抑制电流的急剧上升，从而保护固态开关。本发明提出的脉冲变压器的漏感小，优化脉冲电压波形前沿，使得脉冲电压波形具备快上升沿。本发明提出的脉冲发生器具备脉冲电压、脉冲宽度、脉冲频率、正负极性间距灵活可调的特点。
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公开(公告)号：CN115459751A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211023827.5
申请日：2022-08-24
申请人： 重庆大学
IPC分类号： H03K17/081 , H03K17/687
摘要： 本发明公开一种基于SiC MOSFET串联高压开关组件，包括磁隔离驱动模块；磁隔离驱动模块工作时，原边绕组接收外部驱动信号；所述磁芯和磁环在外部驱动信号的作用下产生控制信号，并通过副边绕组传输至磁隔离驱动模块；所述磁隔离驱动模块对不同开关的控制信号进行隔离，在控制信号的作用下，使串联开关同步动作输出高压脉冲。本发明制造了一套高压开关组件，最大安全工作电压可达60kV，最高耐压为100kV。
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公开(公告)号：CN114650036A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210216054.6
申请日：2022-03-07
申请人： 重庆大学
摘要： 本发明公开纳秒级高压窄脉冲和微秒级低压宽脉冲的产生设备和方法，设备包括控制检测模块、若干级高压窄脉冲发生模块、若干级低压宽脉冲发生模块、协调脉冲形成模块；方法步骤为：1)所述控制检测模块向高压窄脉冲发生模块和低压宽脉冲发生模块发送开关驱动信号，控制开关管和二极管的通断，从而使高压窄脉冲发生模块和低压宽脉冲发生模块分别向协调脉冲形成模块输出纳秒级高压脉冲和微秒级低压脉冲；2)所述协调脉冲形成模块根据纳秒级高压脉冲和微秒级低压脉冲形成协同脉冲，并作用于目标。本发明既可以产生纳秒级高压(20kV)脉冲，又可以产生微秒级低压(5kV)脉冲。本发明可以输出电压可调、脉宽可调、间隔时间可调的脉冲源。
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公开(公告)号：CN113364443B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202110260856.2
申请日：2021-03-10
申请人： 重庆大学
IPC分类号： H03K17/687
摘要： 本发明公开一种用于脉冲功率应用中SiC MOSFET的强流驱动装置，电路结构如下：上臂电感Ldr_h连接上桥臂漏极寄生电感LHd.int；所述上桥臂漏极寄生电感LHd.int串联开关管Q1的漏极；所述开关管Q1的栅极悬空；所述开关管Q1的源极串联上桥臂源极寄生电感LHs.int的一端；上桥臂源极寄生电感LHs.int的另一端串联栅极电感Lg；上桥臂源极寄生电感LHs.int的另一端串联下桥臂漏极寄生电感LLd.int后连接开关管Q2的漏极；所述开关管Q2的栅极悬空；所述开关管Q2的源极串联下桥臂源极寄生电感LLs.int；下桥臂源极寄生电感LLs.int连接下臂电感Ldr_s。本发明适用于使用SiC MOSFET作为主开关的脉冲功率系统。
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公开(公告)号：CN114141638A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202110955268.0
申请日：2021-08-19
申请人： 重庆大学
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/54 , H01L23/498 , H01L23/488
摘要： 本发明公开一种降低开关寄生电感和提升动态性能的封装结构及其方法。方法步骤为：1)将开关裸片(2)漏极焊接在顶板漏极焊盘上；2)在开关裸片(2)源极和栅极位置进行金球阵列(7)键合；3)将介质板(4)与顶板焊接；4)对开关裸片(2)和介质板(4)之间的缝隙进行填充；5)在顶板栅极焊盘和顶板源极焊盘之间填充阻焊层；6)将介质板(4)和焊盘基板(5)焊接。装置包括顶板、开关裸片(2)、介质板(4)、焊接基板(5)；本发明可有效开关寄生电感并改善开关动态特性。
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公开(公告)号：CN113980493A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111164775.9
申请日：2021-09-30
申请人： 重庆大学
摘要： 本发明公开基于低温等离子体的无机填料高通量羟基化方法和装置，方法步骤为：1)利用辊对辊装置带动传送带(1)移动，使平铺的待处理填料(3)移动到低温等离子体区；2)电源向位于聚酰亚胺传送带(1)上方的低温等离子体发生器(2)放电；3)等离子体发生器(2)受电后，在低温等离子体区产生大气压低温等离子体；4)所述大气压低温等离子体对位于等离子体区的待处理填料(3)进行处理，得到接枝‑OH基团(羟基)的填料。装置包括传送带(1)、辊对辊装置、电源、等离子体发生器(2)、控制器、温度测量装置和放电功率测量装置；本发明中经过低温等离子体高通量处理的无机填料质量好、接枝效果优越，整个过程不涉及溶剂，不产生有毒副产物。
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公开(公告)号：CN113783555A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202110956802.X
申请日：2021-08-19
申请人： 重庆大学
摘要： 本发明公开一种基于电感储能形成线的纳秒短脉冲功率调制拓扑结构及调制方法，拓扑结构包括调制电阻Rcon、电容C、电源Udc、调制开关Mcut、负载Rload、主开关Mmain、电感储能形成线；调制方法通过调制开关Mcut、主开关Mmain的通断实现。本发明公开的脉冲发生器可以几纳秒到几十纳秒的脉冲宽度连续调制，且在5ns～20ns内连续可调。
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公开(公告)号：CN109191448B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN201811020855.5
申请日：2018-09-03
申请人： 重庆大学
摘要： 本发明公开了基于三维坐标绘制和数字图像处理的变压器故障识别技术，主要步骤为：1)对待检测变压器进行定期检修，并建立变压器绕组的频率响应特性数据库。2)将频率响应数据库绘制在三维直角坐标系中，得到数字图像。3)对数字图像进行预处理。4)对预处理后的数字图像进行图像分割，再提取图像特征量。5)对数字图像特征进行计算，从而得到数字图像指纹参数。6)根据数字图像指纹参数，对变压器绕组状态进行评估。本发明能够有效避免评估分析过程中出现的专家分析结论不一致的情况出现，并且提出的图像指标参量能够结合阈值有效地分析出变压器绕组的状态，并且能够评估、识别出故障状态下的故障类型、程度和位置。
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