公开(公告)号：CN110798990B

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201911157684.5

申请日：2019-11-22

申请人： 广东工业大学

发明人： 张昱 ,  崔成强 ,  陈梓源

IPC分类号： H05K3/22

摘要： 一种微细线路的修复方法，包括依次连通的火花烧蚀装置、微细线路修复装置、真空泵组成的制备系统；微细线路修复装置包括真空箱、储存腔、喷嘴、线路板装载加热台和第一支架；火花烧蚀装置的出口端通过气体输出管与真空箱连通，气体输出管的出口端安装有储存腔，储存腔的喷嘴位于所述真空箱内；火花烧蚀装置的进口端连通有气体输入管；包括以下步骤：步骤一，使用火花烧蚀装置制备微纳金属粉；步骤二，往制备系统通入惰性气体，惰性气体依次经过火花烧蚀装置、微细线路修复装置，微纳金属粉随惰性气体通入微细线路修复装置；步骤三，火花烧蚀装置制备的微纳金属粉随惰性气体进入微细线路修复装置。本修复方法使微细线路的修复工作变得简单、方便。

公开(公告)号：CN111048423A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201911382345.7

申请日：2019-12-27

申请人： 广东工业大学

发明人： 崔成强 ,  杨冠南 ,  徐广东 ,  匡自亮 ,  王鹏宇 ,  陈新

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L23/498

摘要： 一种扇出封装结构的制备方法和扇出封装结构，其制备方法经步骤S1-步骤S9，制备出一种扇出封装结构，该扇出封装结构包括：密封层、芯片、Ti层、导电层、凸球和保护层；导电层包括：第一导电层；芯片设置于密封层内，芯片设有凸点；凸点向上露出于密封层的上表面；密封层的上表面覆盖有保护层，保护层对应于凸点的位置设有通孔，Ti层分别位于各凸点的上表面，第一导电层设置于各Ti层的上表面；凸球安装于各导电层的上表面，Ti层和导电层均位于通孔内下方，凸球的头部外露于通孔。本设计能节约封装成本,制作更细的再布线层线路，提高了扇出封装的密度，增加I/O数量，高芯片性能，减小封装体积。

公开(公告)号：CN110972406A

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201911229215.X

申请日：2019-12-04

申请人： 广东工业大学

发明人： 崔成强 ,  杨冠南 ,  徐广东 ,  张昱 ,  陈新

IPC分类号： H05K3/22 ,  H05K3/26

摘要： 发明公开了一种用于精细线路的修复方法，包括以下步骤：步骤A、将纳米铜颗粒填充于线路板的线路缺陷位置；步骤B、对线路缺陷位置上的纳米铜颗粒进行激光照射或者直接加热，使纳米铜颗粒在线路缺陷位置与原线路产生冶金结合；步骤C、对线路板的表面进行清洗，清除未烧结部位的残余纳米铜颗粒，完成线路修复。本发明可对精细线路进行修复，且具有操作难度较低的优点。

公开(公告)号：CN110349889A

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201910672291.1

申请日：2019-07-24

申请人： 广东工业大学

发明人： 朱钟源 ,  汤晖 ,  何思丰 ,  陈新 ,  高健 ,  贺云波 ,  崔成强

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/677

摘要： 本申请公开了一种微小芯片的批量转移装置，包括导轨及芯片转移模块；所述导轨两侧包括沿所述导轨延伸方向排列的导轨电极；所述芯片转移模块套装在所述导轨上，且所述芯片转移模块与所述导轨之间具有间隙；所述芯片转移模块内侧包括与所述导轨电极相对应的芯片转移模块电极，通过改变所述导轨电极与所述芯片转移模块电极的电场强度，使所述芯片转移模块沿所述导轨宏动。本申请通过改变所述导轨电极不同位置的电场强度，精确控制所述芯片转移模块的位置，本申请提供的技术方案，在对所述芯片转移模块实现长行程的间距调整的同时，相比与现有技术，还大大减小了所述微小芯片的批量转移装置的占用空间，提高芯片转移的效率。

公开(公告)号：CN110308658A

公开(公告)日：2019-10-08

申请号：CN201910671659.2

申请日：2019-07-24

申请人： 广东工业大学

发明人： 贺云波 ,  陈家俊 ,  陈新 ,  高健 ,  杨志军 ,  陈桪 ,  崔成强 ,  张凯 ,  陈云 ,  汤晖

IPC分类号： G05B13/04

摘要： 本发明公开了一种PID参数整定方法、装置、系统及计算机可读存储介质，包括实现采集运动控制系统中与每组PID参数分别对应的指标数据；依据各组指标数据和相应的PID参数对神经网络进行训练，得到PID参数预测模型；依据预先建立的模糊控制器对各组指标数据进行分析，得到最优指标数据；采用PID参数预测模型对最优指标数据进行预测，得到相应的最优PID参数，本发明能够自动完成对PID参数的整定，不仅能够提高工作效率，还能够保障PID参数的整定精确度。

公开(公告)号：CN110120355A

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201910446517.6

申请日：2019-05-27

申请人： 广东工业大学

发明人： 崔成强 ,  杨冠南 ,  张昱 ,  徐广东 ,  匡自亮 ,  陈新

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  B23K26/382 ,  B23K26/067

摘要： 一种降低扇出型封装翘曲的方法，在扇出型封装的注塑步骤后，在注塑材料固化前，在封装体指定位置打出应力释放孔或者应力释放槽阵列。本发明根据上述内容提出一种降低扇出型封装翘曲的方法，通过在封装体指定位置预制应力释放孔或者应力释放槽阵列，从而阻断注塑材料冷却收缩过程中的横向应力传递路径，达到控制内应力，进而减少封装结构翘曲。

公开(公告)号：CN109449100B

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：CN201811204677.1

申请日：2018-10-16

申请人： 广东工业大学

发明人： 陈新 ,  贺云波 ,  麦锡全 ,  崔成强 ,  刘强 ,  张凯 ,  高健 ,  杨志军 ,  陈桪 ,  陈云 ,  汤晖 ,  张昱

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L33/48 ,  H01L33/62

摘要： 一种电子元件的巨量转移装置，包括固晶焊臂、覆晶焊臂、外加物理场装置和操作台；固晶焊臂和覆晶焊臂分别通过电气连接于操作台，外加物理场装置分别设置于固晶焊臂和覆晶焊臂的两侧；覆晶旋转电机设置于覆晶两端夹紧装置的一侧，覆晶两端夹紧装置设置于覆晶顶杆的两侧，覆晶导轨设置于覆晶顶杆，覆晶托架可移动设置于覆晶导轨，覆晶转移头设置于覆晶托架，覆晶弹性材料设置于相邻的覆晶托架之间。本发明的目的在于提出一种电子元件的巨量转移方法及装置，本发明装置简单，效率提高了a2c倍，电子元件的间距完全可控且巨量转移在目标基板，在半导体制造领域具有极大的应用价值。

公开(公告)号：CN109865485A

公开(公告)日：2019-06-11

申请号：CN201910168114.X

申请日：2019-03-06

申请人： 广东工业大学

发明人： 杨冠南 ,  匡自亮 ,  徐广东 ,  崔成强 ,  张昱 ,  张凯

IPC分类号： B01J19/12 ,  H01S3/00

摘要： 本申请公开了一种微小物体定向移动方法，通过将微小物体浮于溶液中，其中，所述溶液中溶解有表面活性物质；激发所述溶液中的所述表面活性物质，以便所述微小物体发生定向移动。本申请中将微小物体浮于溶有表面活性物质的溶液中，激发溶液中的表面活性物质，表面活性物质被激发后，导致表面能发生变化，而对于被激发以外的区域，表面能并未发生改变，由于溶液中被激发的区域和被激发以外的区域的表面能并不相等，溶液便发生定向流动，进而带动微小物体发生定向移动。

公开(公告)号：CN109702329A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201910168633.6

申请日：2019-03-06

申请人： 广东工业大学

发明人： 杨冠南 ,  匡自亮 ,  徐广东 ,  崔成强 ,  张昱 ,  张凯

IPC分类号： B23K26/067

摘要： 本申请公开了一种阵列式激光加工方法，通过获得单束激光；对所述单束激光进行衍射分光，以形成阵列式激光；利用所述阵列式激光对工件进行加工。本申请中首先获取单束激光，然后对得到的单束激光进行衍射分光，单束激光便成为阵列式激光，利用阵列式激光对工件进行加工，提高激光加工时的效率。

公开(公告)号：CN109599411A

公开(公告)日：2019-04-09

申请号：CN201811491491.9

申请日：2018-12-07

申请人： 广东工业大学

发明人： 杨冠南 ,  崔成强 ,  陈新 ,  刘强

IPC分类号： H01L27/15

摘要： 一种用于Micro-LED巨量转移的可控分散方法及转移方法，包括分散平台，分散平台在旋转的同时进行升降或喷气，从而使放置在分散平台上的芯片做自由离心运动进而分散；a)芯片转移，将晶圆上的Micro-LED芯片转移到橡胶承载片上；b)自由离心动作，橡胶承载片固定于离心式分散平台上，平台转动的同时进行升降或喷气，使芯片进行离心分散，经过单次或数次分散，使芯片阵列达到所需间隔和排布；c)芯片转移，将橡胶承载片上的芯片与承载基板上的焊盘对准，将芯片转移到基板的焊盘上。本方案利用Micro-LED在分散平台做离心抛体运动的方式和倒装，实现巨量Micro-LED的可控分散与转移。