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公开(公告)号：CN106776391A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611146248.4
申请日：2016-12-13
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: G06F13/16
CPC classification number: G06F13/1668
Abstract: 本发明公开了一种NAND Flash控制器的控制方法和装置，在定义层按照NAND Flash操作时序接口定义一系列寄存器组，解析层按照定义的寄存器组进行译码，物理实现层按照定义层所定义的寄存器组，完成操作NAND Flash颗粒的具体时序的实现，驱动NAND Flash存储器接口，从而实现NAND Flash颗粒读取、编程、擦除操作。本发明能够满足现有的各种厂商的各种类型的NAND Flash接口颗粒时序，完成存储器地正确编程、读取、擦除操作，由于定义层可灵活定义一系列寄存器组合，将定义层定义的寄存器进行组合，产生不同类型颗粒不同操作的时序，而无需添加更多的硬件电路，因此，能灵活地适应未来NAND Flash颗粒发展出现的新的时序特征。
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公开(公告)号：CN119945329A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510028413.9
申请日：2025-01-08
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明属于模拟集成电路领域，具体提供一种低功耗的可调RC振荡器，包括电流电压基准模块、RC振荡核心模块和修调模块。电流电压基准模块输出与修调模块相连，还与RC振荡核心模块相连，用于为RC核心振荡模块提供参考电压和偏置电流，为修调模块提供偏置电流。修调模块输出与RC振荡核心模块相连，用于输出一个随温度变化不敏感电流，对RC核心振荡模块中的电容进行充电。本发明提供的一种低功耗的RC振荡器不仅能保证低功耗，而且拥有极佳的稳定性。本发明解决了传统RC振荡器易受到温度和工艺角影响的技术难点，在保持性能的同时降低功耗，并且不会受到工艺偏差的影响。
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公开(公告)号：CN118908708A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410971219.X
申请日：2024-07-19
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: C04B35/26 , H01P1/19 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/645
Abstract: 一种低线宽的低温烧结旋磁铁氧体移相器基板及其制备方法，属于电子材料技术领域。所述的铁氧体基板材料为Ni0.18Cu0.2Zn0.62Bi0.02Fe1.98O4‑纳米LiZn尖晶石型旋磁铁氧体(以下简称为NCZB‑纳米LiZn)材料，本发明提供一种热压烧结工艺，制备具有低线宽的低温烧结旋磁铁氧体移相器基板。在材料配方上，采用Bi3+离子取代NiCuZn铁氧体，实现铁氧体的低温烧结特性。此外，为了进一步获得更低的线宽，采用纳米LiZn铁氧体掺杂，进一步优化NiCuZn铁氧体的铁磁共振线宽，并结合热压烧结工艺控制晶粒生长，最终获得低线宽的低温烧结旋磁铁氧体移相器基板材料。满足微波移相器在5G/6G通信基站、有源相控阵雷达的广泛应用需求。
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公开(公告)号：CN109474260B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN201910026783.3
申请日：2019-01-11
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: H03K7/08
Abstract: 公开了一种数字可调的振荡器。数字可调的振荡器包括：开关控制阵列电路和多谐振荡器核心电路。其开关控制阵列电路用于调节反相器的翻转电压，其多谐振荡器核心电路用于输出方波，以通过控制阵列电路调节脉冲波的占空比，达到数字可调的效果，实现了对振荡器占空比高精度的调节。本发明提供的数字可调的振荡器用新的方法实现了数字可调的目的，并且对占空比的控制更加的高效、精确。而且采用数字电路调控占空比只占用很小的芯片面积，在解决技术难题的同时很好地节约了成本。
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公开(公告)号：CN106875974B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN201710156206.7
申请日：2017-03-16
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: G11C16/10
Abstract: 本发明公开了一种OTP（一次可编程）存储装置和访问OTP存储器的方法，按照本发明的方法和装置实现对OTP存储器的操作，及根据可配置的访问OTP存储器指令产生对应不同指令的接口时序。同时，在对OTP存储器编程操作中，提出一种全新、高效、高可靠性的编程方法，针对对OTP编程地址的冗余处理及在编程操作中采取对同一个地址至多允许高达16次脉冲编程的方法，极大程度解决了访问OTP存储器时容易出现编程出错的问题，大大提高了OTP存储器的可靠性，最大程度实现对OTP存储器地利用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107026618B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN201710238938.0
申请日：2017-04-13
Applicant: 成都信息工程大学 , 上海智浦欣微电子有限公司
Abstract: 公开了一种高效率放大器及控制其电源的方法。高效率放大器包括放大电路，为放大电路提供正电源和负电源的电源提供装置和控制电源提供装置的模式控制电路。高效率放大器的正电源负电源可以随着输出信号而变化，减小了放大器输出晶体管的功率损耗，从而提高放大器的效率。
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公开(公告)号：CN109343643A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811462889.X
申请日：2018-12-03
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种非常规结构低温漂电压基准源，包括基准源启动电路，内置电流镜电路和非常规结构基准源电路。非常规结构低温漂电压基准源利用电路结构的创新改进，仅使用同一个晶体管既参与正温度系数的产生，也参与负温度系数的产生，并只用一个稳压二极管进行补偿与调节，从而达到零温度系数，比传统的零温度系数基准电压源相比，使用了更少的器件就能产生精准的高性能基准电压，很大程度上减少了芯片面积，节约了成本。
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公开(公告)号：CN109343642A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811462883.2
申请日：2018-12-03
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种带过温保护的非常规结构电压基准源，包括高精度迟滞过温保护检测电路、电源判决供给电路和非常规结构低温漂基准源产生电路。带过温保护的非常规结构电压基准源，利用结构的创新，在基准源的供电处引入过温保护的检测电路，通过高精度迟滞过温保护检测电路精确地控制基准源电路的工作状态，从而保护电路工作在正常的温度范围内，而在产生基准电压的过程中，采用了非常规的电路结构产生零温度系数的基准电压，即使同一个三极管即参与正温度系数的产生，也参与负温度系数的产生，并用一个稳压二极管进行补偿与调节，在保证过温保护特性的同时，也确保了基准源具备高性能。
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公开(公告)号：CN108774057A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201810719547.5
申请日：2018-07-03
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , C04B35/64 , H01F1/36
CPC classification number: C04B35/265 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B2235/3267 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3298 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , H01F1/344 , H01F1/36
Abstract: 本发明提供了一种用于LTCC环形器的NiCuZn旋磁铁氧体材料及其制备方法，属于磁性陶瓷材料制备领域。所述NiCuZn旋磁铁氧体材料由主料和二元复合掺杂构成，所述二元复合掺杂以MnO2和Bi2O3为原料，其中，MnO2的按照主料粉体质量的0.5wt％复合配置，Bi2O3的含量分别为所述主料粉体质量的0.0wt％，0.5wt％，1.0wt％，1.5wt％，2.0wt％，3.0wt％复合配置。同时，在制备用于LTCC环形器的NiCuZn旋磁铁氧体材料时采用新型烧结方法。本发明采用二元掺杂复合配置及新型烧结方法，进行旋磁性能调控制备的NiCuZn旋磁铁氧体材料，以解决在满足LTCC工艺之下，低温烧结中由于晶粒生长不充分，易出现多孔结构，导致密度低，空隙大，铁磁共振线宽高等技术难题。制备了很好旋磁性能的NiCuZn旋磁铁氧体材料，以广泛用于微波器件及微波电路系统中。
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公开(公告)号：CN108345344A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810384734.2
申请日：2018-04-26
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: G05F3/26
Abstract: 本发明涉及一种基于CMOS工艺的具有电阻补偿的带隙基准电路，属于模拟集成电路领域，具体涉及一种具有电阻补偿的带隙基准电路。本发明包括：带隙基准核心电路和补偿电流产生电路，其中补偿电流产生电路包括电流乘法器电路、IPTAT产生电路、IPTAT2产生电路、IPTAT4产生电路和Iout产生电路。本发明通过电路的巧妙转换，而无需采用多种工艺制造，在原理上使用类似电阻补偿方式进行补偿，但是实现并不需要真实电阻，从工艺的角度相比其他采用多种工艺的电阻补偿方式大大减少加工成本，解决了电阻对工艺的依赖性问题。并且本发明采用一种电阻方式进行补偿，大大提高了带隙基准的温度系数特性。
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