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公开(公告)号：CN109343643A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811462889.X
申请日：2018-12-03
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种非常规结构低温漂电压基准源，包括基准源启动电路，内置电流镜电路和非常规结构基准源电路。非常规结构低温漂电压基准源利用电路结构的创新改进，仅使用同一个晶体管既参与正温度系数的产生，也参与负温度系数的产生，并只用一个稳压二极管进行补偿与调节，从而达到零温度系数，比传统的零温度系数基准电压源相比，使用了更少的器件就能产生精准的高性能基准电压，很大程度上减少了芯片面积，节约了成本。
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公开(公告)号：CN109343642A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811462883.2
申请日：2018-12-03
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种带过温保护的非常规结构电压基准源，包括高精度迟滞过温保护检测电路、电源判决供给电路和非常规结构低温漂基准源产生电路。带过温保护的非常规结构电压基准源，利用结构的创新，在基准源的供电处引入过温保护的检测电路，通过高精度迟滞过温保护检测电路精确地控制基准源电路的工作状态，从而保护电路工作在正常的温度范围内，而在产生基准电压的过程中，采用了非常规的电路结构产生零温度系数的基准电压，即使同一个三极管即参与正温度系数的产生，也参与负温度系数的产生，并用一个稳压二极管进行补偿与调节，在保证过温保护特性的同时，也确保了基准源具备高性能。
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公开(公告)号：CN109406990A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811462919.7
申请日：2018-12-03
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种芯片内置过温迟滞保护检测电路，包括PTAT电压产生电路，迟滞采样电路和温度迟滞检测电路。芯片内置过温迟滞保护检测电路通过基准源产生的温度漂移，利用电阻的分压原理使迟滞采样电路在同一温度下可以输出两个不同的门限电压，而不同的温度下的基准源电压值不同，通过基本的逻辑门电路，判断是否达到过温上限，产生并输出一个带有迟滞特性的控制信号，从而在实现带迟滞特性的过温保护的同时避免产生更多的功耗。本发明的一种芯片内置过温迟滞保护检测电路解决了当前现有技术的芯片工作在非正常温度的苛刻环境造成整个集成电路损坏的技术难题。进一步保护了芯片，具备很强的实用及商用价值。
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