公开(公告)号：CN101911831A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200980101526.6

申请日：2009-09-16

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 奥本健二 ,  吉田英博

IPC分类号： H05B33/26 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10 ,  H05B33/12 ,  H05B33/22 ,  H05B33/24

CPC分类号： H01L51/5218 ,  H01L51/5088 ,  H01L51/5209 ,  H01L51/5271 ,  H01L2251/558

摘要： 本发明提供简易且制造性优异、能够通过湿式印刷法对有机层进行制膜的有机EL元件的构造与制造方法。所述有机EL元件，包括：形成在基板(11)之上的阳极金属层(12)；形成在阳极金属层(12)之上且形成在第1区域的绝缘层(14)；金属氧化物层(13)，其形成在阳极金属层(12)之上，并且通过层叠在基板(11)之上的阳极金属层的表面氧化而至少形成在第1区域以外的第2区域；空穴输送层(15)，其形成在金属氧化物层(13)之上且形成在没有形成绝缘层(14)的开口部，包含空穴输送性的有机材料；形成在空穴输送层(15)之上的有机发光层(16)；和形成在有机发光层(16)之上、向有机发光层(16)注入电子的阴极层(17)；第2区域中的阳极金属层(12)的上面，位于比第1区域中的阳极金属层(12)的上面更下方的位置。

公开(公告)号：CN101543136A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200880000404.3

申请日：2008-05-21

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 吉田英博 ,  北村嘉朗 ,  山室景成

IPC分类号： H05B33/22 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10 ,  H05B33/12

CPC分类号： H01L27/3246 ,  H01L27/3211 ,  H01L27/3283 ,  H01L51/5048 ,  H05B33/22

摘要： 本发明提供一种具有厚度一定的高分子有机电致发光层的有机电致发光显示屏。本发明的有机电致发光显示屏包括：阳极电极，其被配置在基板上；空穴输送层，其被设置在配置有所述阳极电极的基板面上；线状的隔堤，其被设置在所述空穴输送层上，并且规定线状的像素区域；线状的中间层，其被配置在所述像素区域内；线状的高分子有机电致发光层，其被配置在所述像素区域内的所述中间层上；以及阴极电极，其设置在所述高分子有机电致发光层上。

公开(公告)号：CN101543135A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200880000401.X

申请日：2008-05-21

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 吉田英博 ,  北村嘉朗 ,  中谷修平 ,  永井久雄

IPC分类号： H05B33/22 ,  H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L51/50 ,  H01L21/336 ,  H05B33/10 ,  H01L29/417 ,  H05B33/12

CPC分类号： H01L27/3246 ,  H01L27/3283 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/5048

摘要： 本发明提供一种有机电致发光元件及其制造方法。本发明的有机电致发光显示屏具有膜厚均匀的功能层，包括：阳极电极，其被配置在基板上；线状的隔堤，其被配置在配置有所述阳极电极的基板上，规定线状的区域；空穴输送层，其被矩阵状地被配置在所述基板上，而且所述空穴输送层被配置在所述线状的区域内；线状的中间层，其被配置在所述线状的区域内；线状的有机电致发光层，其被配置在所述线状的区域内；以及阴极电极，其被设置在所述有机电致发光层上，所述隔堤包含氟树脂。

公开(公告)号：CN101542735A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200880000488.0

申请日：2008-05-30

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 吉田英博 ,  森清隆 ,  小野晋也 ,  山室景成

IPC分类号： H01L27/32 ,  H01L21/77 ,  H01L27/12 ,  H01L27/28

CPC分类号： H01L27/3244 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/283 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3274 ,  H01L27/3276 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： 本发明公开一种有机电致发光器件，其包括：半导体元件A，其具有源电极和漏电极、以及栅电极；半导体元件B，其具有源电极和漏电极、以及与所述半导体元件A的源电极或漏电极连接的栅电极；以及有机电致发光元件，其具有与所述半导体元件B的漏电极连接的像素电极，所述半导体元件A的源电极和漏电极、以及所述半导体元件B的栅电极被配置在同一平面上。

公开(公告)号：CN101361192A

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200780001781.4

申请日：2007-12-14

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 吉田英博 ,  永井久雄 ,  北村嘉朗

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L51/05

CPC分类号： H01L51/0003 ,  H01L51/0545

摘要： 本发明提供一种半导体设备，具有：配置在基板表面的源极电极和漏极电极；隔开所述源极电极和所述漏极电极的沟道间隙；配置在所述源极电极、所述漏极电极、以及所述沟道间隙上的有机半导体层；配置在所述有机半导体层上的绝缘膜；配置在所述绝缘膜上的栅极电极；以及规定所述有机半导体层的隔堤，该半导体设备包括有机半导体元件(A)和有机半导体元件(B)，所述有机半导体元件(A)中，所述隔堤的自所述基板表面的高度高于所述沟道间隙的自基板表面的高度，并且在所述隔堤上形成有沟槽，所述有机半导体元件(B)具有源极电极或漏极电极，所述源极电极或漏极电极通过形成在所述有机半导体元件(A)的隔堤上的沟槽与所述有机半导体元件(A)的栅极电极连接。