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公开(公告)号：CN208706581U
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201821362051.9
申请日：2018-08-22
Applicant: 深南电路股份有限公司
Inventor： 谷新
IPC: H01L21/50 , H01L21/56 , H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 本申请提供一种埋入式芯片。该埋入式芯片包括：金属基底；金属层，设置在金属基底上，金属层内形成凹槽；芯片，设置在金属基底上，并位于凹槽中，芯片包括远离金属基底的第一芯片表面，在第一芯片表面上设置有连接端子；介质层，设置在芯片的第一芯片表面上；引出端子，与芯片的连接端子电连接，以将连接端子扇出。本申请通过将芯片设置在金属基底和金属层的凹槽中，使得芯片的多个面被金属材质包围，例如芯片包括六个面，则其五个面，包括与金属基底接触的表面以及与金属层相邻的四个侧面均被金属材质包围，由于金属的散热性良好，因此可对埋入的芯片进行有效的散热，提高了芯片的散热能力，适用于各种芯片的散热需求。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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