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公开(公告)号：CN116230820A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202211601498.8
申请日：2022-12-12
Applicant: 闽都创新实验室 , 福州大学 , 晋江市博感电子科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种用于车载显示的宽带方向偏转调控的Micro‑LED结构，所述Micro‑LED结构包括衬底层、Micro‑LED台面、谐振腔和光学超构表面；所述Micro‑LED台面由n‑掺杂区、多量子阱层、p‑掺杂区组成，光学超构表面由n层纳米结构组成，其中n≥1；所述谐振腔实现Micro‑LED的光束准直，所述光学超构表面实现Micro‑LED出射光的方向偏转调控；应用本技术方案可实现对多种波长电磁波的偏转角度独立调控。
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公开(公告)号：CN116072696A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310222313.0
申请日：2023-03-09
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及种用于片上光互连的UVPT(MOSFET)‑LED的集成器件，其特征在于，包括第一P型氮化镓层、量子阱层、N型氮化镓层、第二P型氮化镓层、缓冲层、衬底、阳极金属接触层、源极金属接触层、绝缘层、栅极金属接触层；所述N型氮化镓层、第一P型氮化镓层、缓冲层、衬底从上至下依次设置；所述栅极金属接触层嵌设于N型氮化镓层；所述栅极金属接触层一侧设有绝缘层，另一侧设有源极金属接触层；所述绝缘层和有源极金属接触层均设于N型氮化镓层上；所述绝缘层上侧从下至上依次设有量子阱层、第二P型氮化镓层和阳极金属接触层。本发明以绝缘层作为掩膜层，采用选择性生长LED外延层（SEG），简化制备工艺，同时避免ICP干法刻蚀工艺对LED器件表面造成损伤以引起的器件光电性能下降。
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公开(公告)号：CN111834421B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202010539826.0
申请日：2020-06-12
IPC: H10K59/35 , H01L27/15 , H01L33/06 , H01L33/46 , H10K50/11 , H10K50/805 , H10K71/00 , G09F9/33 , G09G3/32 , G09G3/3208
Abstract: 本发明涉及一种三极管调控型的混合结构全彩化显示器件及其制造方法，该发明第一接触电极和第二、第三接触电极SCE1和SCE2之间分别施加一个小功率可变输入信号，在第一接触电极和第四、第五接触电极TCE1和TCE2之间分别施加一个正向偏置电压，驱动B单元内蓝光发光芯片发出蓝光，R单元内的蓝光发光芯片发出蓝光进而激发红色转换层发出红光，在所述G单元内的阴极和透明阳极之间施加电压，激发出绿光，从而实现全彩化显示；本发明第一、第二三极管对所述输入信号的功率放大，实现用小功率输入信号驱动所述发光芯片发光，还可以有效降低发光器件的驱动电路设计复杂度，提高显示装置的集成度。
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公开(公告)号：CN115332238A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210965384.5
申请日：2022-08-12
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提供了一种超高分辨率Micro‑LED显示器件及其金属薄膜键合方法，Micro‑LED显示器件的驱动背板和Micro‑LED芯片阵列采用金属薄膜键合方法进行互联，所述Micro‑LED芯片阵列采用高阻GaN作为隔断和刻蚀保护层；所述Micro‑LED显示器件1个像素对应N个Micro‑LED发光阵列或Nano‑LED发光阵列，N大于或等于1。应用本技术方案可实现简化制备工艺流程，可以减少刻蚀工艺中可能会产生的边缘效应和尺寸效应。
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公开(公告)号：CN113299228B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202110388578.9
申请日：2021-04-12
Abstract: 本发明涉及一种基于GaN的多功能集成半导体显示器件，所述半导体显示器件包括从上至上依次设置的蓝宝石衬底、半导体缓冲层、第一半导体层和像素单元；所述半导体显示器件每个像素单元均包括LED发光结构、开关驱动元器件、多量子阱光电探测器件、光波导和信号感知传感器。本发明实现用小功率输入信号驱动半导体发光，可以有效降低基于半导体发光显示装置的驱动电路设计复杂度，提高显示装置和功能的集成度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113238306B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202110420416.9
申请日：2021-04-19
Abstract: 本发明提出提高集成成像3D显示景深的多焦距微透镜阵列，所述多焦距微透镜阵列在光线入射方向上依次设有透光基板和微透镜阵列；当用于成像时，所述微透镜阵列与小孔光栅紧邻；小孔光栅处密布多个透光小孔；所述微透镜阵列由多种微透镜有序排列而成；微透镜阵列中的每个用于成像的微透镜均位于小孔光栅透光小孔的光路径处；本发明的多焦距微透镜阵列可以同时提高景深和空间分辨率，提高集成成像3D显示重构性能，该制备方法简单、效率快、成本低。
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公开(公告)号：CN110690245B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN201910982273.3
申请日：2019-10-16
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于异形纳米LED晶粒的发光显示器件，包括从上到下依次设置的上驱动电极基板，上驱动电极、异形纳米LED晶粒、下驱动电极和下驱动电极基板；还设置有交流驱动控制模块，所述交流驱动控制模块两端分别连接上驱动电极和下驱动电极；所述异形纳米LED晶粒为包含非平面形状发光层的纳米LED晶粒；所述驱动电极和纳米LED晶粒之间通过绝缘介质层隔离，在交变驱动信号下，通过电磁耦合实现对所述纳米LED晶粒的点亮。本发明采用异形纳米LED晶粒，使得晶粒片放置于电极基板之间时，每个nLED晶粒的发光层总有一部分平行于电极基板，垂直于电场，大大提高电学耦合效率和发光效率。
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公开(公告)号：CN113675129A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110840302.X
申请日：2021-07-24
IPC: H01L21/683 , H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种粘附力可调控衬底及其在转移方面的应用，所述粘附力可调控衬底包括衬底和设于衬底上的粘附力可调控层，所述粘附力可调控层用于与Micro LED或Mini LED芯片粘合，所述衬底为可透过紫外光衬底，所述粘附力可调控层主要由与衬底有良好粘附性同时给包结物提供反应位点的聚合物层、包结物层和含有光响应分子的被包结物层组成。在转移Micro LED或Mini LED芯片过程中，用所述粘附力可调控衬底与Micro LED或Mini LED芯片粘合，实现对Micro LED或Mini LED芯片转移。该衬底可以调节Micro LED或Mini LED芯片转移过程中粘附载体对芯片的粘附力，进而提高转移良率和效率。
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公开(公告)号：CN113238306A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110420416.9
申请日：2021-04-19
Abstract: 本发明提出提高集成成像3D显示景深的多焦距微透镜阵列，所述多焦距微透镜阵列在光线入射方向上依次设有透光基板和微透镜阵列；当用于成像时，所述微透镜阵列与小孔光栅紧邻；小孔光栅处密布多个透光小孔；所述微透镜阵列由多种微透镜有序排列而成；微透镜阵列中的每个用于成像的微透镜均位于小孔光栅透光小孔的光路径处；本发明的多焦距微透镜阵列可以同时提高景深和空间分辨率，提高集成成像3D显示重构性能，该制备方法简单、效率快、成本低。
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公开(公告)号：CN111146364B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202010070974.2
申请日：2020-01-21
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种提高发光器件出光效率的微纳复合结构的制备方法，首先通过加热具有不同的热膨胀系数的聚合物和衬底，使其产生不同程度的受热膨胀；然后利用原子层沉积方法，在聚合物表面一层的孔洞内部填充无机材料，降温过程中，聚合物收缩导致表面一层凸起，形成微纳米褶皱图案；最后将微纳复合结构用于发光显示器件，改变发光显示器件的光线传播路径，提高器件出光效率。
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