公开(公告)号：CN221262414U

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202323224727.1

申请日：2023-11-29

申请人： 聚灿光电科技(宿迁)有限公司

发明人： 黎国昌 ,  王文君 ,  徐洋洋 ,  陈浩 ,  苑树伟 ,  程虎 ,  江汉 ,  徐志军

IPC分类号： H01L33/44 ,  H01L33/12 ,  H01L33/20

摘要： 本实用新型公开了一种低翘曲的复合衬底发光二极管外延结构，属于LED芯片技术领域，包括衬底，衬底背面叠设有应力平衡层，应力平衡层为图形化结构，衬底的正面依次叠设有缓冲层、uGaN层、nGaN层、电流扩展层、应力释放层、多量子阱层、EBL层、pGaN层和PP层。本实用新型通过在衬底背面镀一层应力平衡层，应力平衡层的热膨胀系数比GaN低，再通过光刻对应力平衡层进行图形化处理，使外延片升降温产生的应力更容易传导，应力释放更彻底，减小形变程度，从而解决因外延片生长时因升降温导致的形变问题。

公开(公告)号：CN217062123U

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN202122676752.8

申请日：2021-11-03

申请人： 聚灿光电科技(宿迁)有限公司

发明人： 徐洋洋 ,  江汉 ,  徐志军 ,  黎国昌 ,  程虎 ,  王文君 ,  苑树伟

IPC分类号： H01L33/22 ,  H01L33/06 ,  H01L33/02 ,  H01L33/00

摘要： 本实用新型揭示了一种图形化衬底及具有其的LED。所述图形化衬底包括凸起阵列以及凹坑阵列；其中，所述凹坑阵列于所述凸起阵列的C面相邻图形间底座间隙蚀刻而得。本实用新型二次蚀刻的倒图形化凹坑可以增加外延层在C面(相邻图形间底座间隙)上生长时间，生成GaN层厚度厚，应力得到释放，增加其上生长外延层晶格质量，且倒图形化凹坑侧壁是非极性面，能减少位错生成，降低位错密度，提高其上生长外延层晶格质量；并且，二次蚀刻的倒图形化凹坑，能增加光反射，提升出光率，从而提升外量子效率，且对于大底宽、高深度图形图案衬底(大底宽，高深度具有较好的取光效果，光散射降低)，倒图形化凹坑设计也能提升晶格质量。