一种极长(TaxHf1-x)C超高温陶瓷固溶体纳米线及制备方法

    公开(公告)号:CN115259900B

    公开(公告)日:2024-01-30

    申请号:CN202210294314.1

    申请日:2022-03-23

    Abstract: 本发明涉及一种极长(TaxHf1‑x)C超高温陶瓷固溶体纳米线及制备方法,开发一种具有超高熔点和更优异韧性性能的极长固溶体纳米线,通过调节工艺参数达到控制其成分和形貌的需求,以实现在极端环境下对复合材料的可控增强和对超高温陶瓷的可控增韧。(TaxHf1‑x)C固溶体超高的熔点、低的热膨胀系数及更优异的抗烧蚀性能是增强相和增韧相的绝佳选择。此外,本发明制备工艺简单、操作方便、同时适用于简单形状和复杂形状的多种基体,可以制备出产物均匀、连续、产量高且纯度高的(TaxHf1‑x)C超高温陶瓷固溶体纳米线,(TaxHf1‑x)C固溶体具有优异的导电性,因此,该方法还有利于实现材料电磁屏蔽性能的进一步改善。

    一种梯度分布高熵陶瓷-SiC改性C/C复合材料及制备方法

    公开(公告)号:CN117142870A

    公开(公告)日:2023-12-01

    申请号:CN202311074731.6

    申请日:2023-08-24

    Abstract: 本发明涉及一种梯度分布高熵陶瓷‑SiC改性C/C复合材料及制备方法,通过控制模具内径及抽滤次数共同实现对中心区、过渡区及边缘区的异相陶瓷双梯度改性,中心区及过渡区分别进行了不同次数的选区抽滤改性循环,由于毛细作用的影响,边缘区的陶瓷由中心区和过渡区液态前驱体向周围适当扩散得到,在此基础上通过对整体试样引入的SiC也会按照梯度方式填充残余的梯度孔洞。采用选区抽滤改性法结合前驱体浸渍裂解法,可根据服役环境调整不同区域陶瓷的种类及含量,设计不同区域材料的性能。

    一种利用聚合物裂解产生的尾气原位生长碳纳米管的方法

    公开(公告)号:CN112266261A

    公开(公告)日:2021-01-26

    申请号:CN202011176023.X

    申请日:2020-10-29

    Abstract: 本发明涉及一种利用聚合物裂解产生的尾气原位生长碳纳米管的方法,通过采用HfC的有机前驱体裂解同时制备出HfC纳米线和碳纳米管,该方法不仅将HfC纳米线引入低密度C/C中,制备出一维HfC改性C/C复合材料,又在碳布表面原位生长出碳纳米管,使聚合物裂解产生的尾气得到了充分利用,能够同时制备出超高温陶瓷相和具有优异性能的碳纳米管。本方法具有合成工艺简单、降低成本、对设备的要求低等优点。该方法可广泛应用于聚合物转化陶瓷领域,并且具有发展成大规模工业生产的潜力。

    一种碳/碳复合材料表面制备碳化硅纳米线多孔层的方法

    公开(公告)号:CN106673708A

    公开(公告)日:2017-05-17

    申请号:CN201611093834.7

    申请日:2016-12-02

    Abstract: 本发明涉及一种碳/碳复合材料表面制备碳化硅纳米线多孔层的方法,采用料浆涂刷法以无水乙醇、硅溶胶和硅碳混合粉为原料在C/C复合材料表面制备SiC纳米线多孔层,其中使用无水乙醇、硅溶胶和硅碳混合粉配成料浆,然后均匀涂刷在试样表面,放入烘箱烘干,再用高温真空炉氩气保护的情况下1450~1900℃热处理,最后随炉冷却至室温。该方法解决了使用传统反应熔渗法直接在C/C复合材料表面制备的SiC内涂层由于严重硅化导致原基体力学性能下降的问题;另一方面通过料浆涂刷法制备出SiC纳米线多孔层厚度可控,并且纳米线多孔层又可以增韧后续制备的超高温陶瓷抗氧化涂层,同时解决现有制备SiC纳米线的方法需添加催化剂和制备工艺繁琐的弊端。

    一种化学气相沉积CVD粉料前驱体输送装置

    公开(公告)号:CN212375376U

    公开(公告)日:2021-01-19

    申请号:CN202020610039.6

    申请日:2020-04-21

    Abstract: 本实用新型涉及一种化学气相沉积CVD粉料前驱体输送装置,包括储粉罐、送气管道、低温加热装置。储粉罐内设置有螺旋送粉器,马达设置在储粉罐上,螺旋送粉器上端连接马达,通过马达的转速来控制粉料下落的速度从而达到控制粉料挥发的速率。送气管道分为进气区、混合区和加热区,低温加热装置包括低温加热管,低温加热管内部设置有保温材料,在低温加热管上设置有显示屏,该显示屏显示当前低温加热管内腔的温度,并通过手动调节温度,控制低温加热装置的加热温度。上述结构具有制造方便、成本低以及实用性高等优势。

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