-
公开(公告)号:CN1918002B
公开(公告)日:2010-10-13
申请号:CN200580004119.5
申请日:2005-02-04
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: H01L51/0096 , B32B33/00 , B32B2037/243 , B32B2038/0076 , B32B2307/734 , G02F1/133345 , G02F2001/133302 , H01L51/5256 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , Y10T428/24975 , Y10T428/25 , Y10T428/265 , Y10T428/269 , Y10T428/31663 , Y10T428/31667
Abstract: 本发明涉及一种具有多层结构的塑料基板及其制备方法。本发明的塑料基板包括彼此贴合的塑料膜以及顺序堆叠于塑料膜两侧的第一有机-无机杂化缓冲层、阻气层和第二有机-无机杂化缓冲层,各层以塑料膜为中心形成对称排列。由于本发明的塑料基板具有小的热膨胀系数、优异的尺度稳定性和优良的阻气性,其可在显示器件中代替易碎且重的玻璃基板。并且,可在需要优良阻气性的应用中用于多种包装或容器材料。
-
公开(公告)号:CN100509909C
公开(公告)日:2009-07-08
申请号:CN200580001071.2
申请日:2005-09-15
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C08G63/19
CPC classification number: C08G63/78 , C08G63/193 , C08G63/195
Abstract: 本发明涉及制备具有低残留盐的高耐热和高透明度多芳基化合物的方法,更具体涉及一种制备多芳基化合物的方法,其中通过界面聚合使具有化学式1结构的二价酚化合物与芳香二羧酸卤素化合物反应从而制备多芳基化合物,其特征在于加入非离子表面活性剂。由本发明的方法制备的多芳基化合物取得了降低残留盐和明显改善透明度及耐热性的极佳效果。
-
公开(公告)号:CN1898295A
公开(公告)日:2007-01-17
申请号:CN200580001071.2
申请日:2005-09-15
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C08G63/19
CPC classification number: C08G63/78 , C08G63/193 , C08G63/195
Abstract: 本发明涉及制备具有低残留盐的高耐热和高透明度多芳基化合物的方法,更具体涉及一种制备多芳基化合物的方法,其中通过界面聚合使具有化学式1结构的二价酚化合物与芳香二羧酸卤素化合物反应从而制备多芳基化合物,其特征在于加入非离子表面活性剂。由本发明的方法制备的多芳基化合物取得了降低残留盐和明显改善透明度及耐热性的极佳效果。
-
公开(公告)号:CN1507432A
公开(公告)日:2004-06-23
申请号:CN03800139.X
申请日:2003-01-15
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C07C237/36
CPC classification number: C07C327/36 , C07D401/12 , C08F2/38
Abstract: 本发明公开了一种水溶性的二硫酯及其聚合方法,该水溶性的二硫酯在乙烯基聚合物制备过程中能作为链转移试剂以控制其分子量及分子量分布,而且能在水溶液中活化聚合反应。
-
公开(公告)号:CN105636775B
公开(公告)日:2018-03-13
申请号:CN201580001842.1
申请日:2015-01-19
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: C08J7/065 , B05D7/04 , B32B7/00 , B32B7/02 , B32B9/00 , B32B2307/40 , B32B2307/7242 , B32B2307/7244 , B32B2307/7246 , B32B2307/7248 , B32B2457/00 , B32B2457/20 , B32B2457/206 , C08J2369/00 , C09D1/00 , C09D7/63 , C23C14/086 , C23C14/34 , C23C16/22
Abstract: 本发明涉及一种阻挡膜及其制备方法,并提供了一种应用于有机或无机光致发光体、显示设备或太阳能发电元件等的阻挡膜以有效阻挡化学物质(如水汽或氧气),因而保护了其内部的电子器件,并保持优异的光学特性。
-
公开(公告)号:CN105636774B
公开(公告)日:2018-01-30
申请号:CN201580002215.X
申请日:2015-04-30
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: B32B7/02 , B32B27/08 , B32B27/16 , B32B27/325 , B32B27/36 , B32B27/365 , B32B27/38 , B32B27/40 , B32B27/42 , B32B2250/26 , B32B2255/10 , B32B2255/20 , B32B2255/24 , B32B2255/28 , B32B2264/10 , B32B2270/00 , B32B2307/204 , B32B2307/40 , B32B2307/412 , B32B2307/418 , B32B2307/546 , B32B2307/558 , B32B2307/718 , B32B2307/7244 , B32B2307/7246 , B32B2307/732 , B32B2457/00 , B32B2457/12 , B32B2457/20
Abstract: 本申请涉及一种阻挡膜和制造该阻挡膜的方法,并提供一种用于例如有机或无机发光设备、显示设备和光伏设备等的阻挡膜,因而有效地阻隔了湿气或化学物质(如氧),以保护内部电子元件,同时保持优异的光学特性。
-
公开(公告)号:CN104812936B
公开(公告)日:2017-04-12
申请号:CN201380062324.1
申请日:2013-12-02
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C23C16/44 , C23C16/458 , H01L21/205
Abstract: 本申请涉及一种辊子、一种薄膜形成装置以及一种薄膜形成方法。本申请提供了一种用于能够传送基板(例如,柔性基板,诸如塑料膜及纤维或金属网或薄膜)且同时可在基板表面上形成薄膜的装置中的辊子、包括辊子的薄膜形成装置以及利用薄膜形成装置的薄膜形成方法。
-
公开(公告)号:CN104584139B
公开(公告)日:2017-03-01
申请号:CN201380044464.6
申请日:2013-09-17
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: H01L29/7869 , C01G15/006 , C01P2002/76 , C01P2002/77 , C01P2006/40 , H01B1/08 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/78696 , H01L31/022466 , H01L51/442 , H01L51/5206 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种透明导电膜和制备该透明导电膜的方法。根据本发明,所述透明导电膜包含具有晶体结构并由化学式1表示的化合物,从而可以替代常规ITO导电膜。
-
公开(公告)号:CN105636775A
公开(公告)日:2016-06-01
申请号:CN201580001842.1
申请日:2015-01-19
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: C08J7/065 , B05D7/04 , B32B7/00 , B32B7/02 , B32B9/00 , B32B2307/40 , B32B2307/7242 , B32B2307/7244 , B32B2307/7246 , B32B2307/7248 , B32B2457/00 , B32B2457/20 , B32B2457/206 , C08J2369/00 , C09D1/00 , C09D7/63 , C23C14/086 , C23C14/34 , C23C16/22
Abstract: 本发明涉及一种阻挡膜及其制备方法,并提供了一种应用于有机或无机光致发光体、显示设备或太阳能发电元件等的阻挡膜以有效阻挡化学物质(如水汽或氧气),因而保护了其内部的电子器件,并保持优异的光学特性。
-
公开(公告)号:CN104812937A
公开(公告)日:2015-07-29
申请号:CN201380056575.9
申请日:2013-12-02
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C23C16/448 , C23C16/458
CPC classification number: C23C16/45544 , C23C16/45548 , C23C16/45578 , C23C16/458 , C23C16/545
Abstract: 本申请涉及一种形成膜层的装置,以及原子层沉积法或形成膜层的方法。根据本申请,提供了一种能够通过连续原子层沉积有效形成所需膜层的形成膜层的装置,以及采用所述形成膜层的装置的原子层沉积法或形成膜层的方法。
-
-
-
-
-
-
-
-
-