三维NOR存储器结构
    41.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118019349A

    公开(公告)日:2024-05-10

    申请号:CN202311485289.6

    申请日:2023-11-09

    IPC分类号: H10B63/00 H10N70/20 G11C16/04

    摘要: 本发明的主题是一种NOR类型的数据存储电路,包括:‑三维存储器结构,其在第一半导体衬底上制造并且包括多个存储平面,每个平面形成存储单元的二维阵列。每个存储单元具有选择节点、第一输入/输出节点和第二输入/输出节点。三维存储器结构具有上表面,该上表面包括分布在所述表面上的多个连接器;每个连接器连接到给定列的第一输入/输出节点或第二输入/输出节点中的至少一个;‑控制电路,其在第二半导体衬底上制造;‑互连结构,其包括:·放置在控制电路与所述上表面之间的多个键合焊盘;所述多个键合焊盘在平行于上表面的平面中形成周期性重复的单位图案。