有机发光显示设备
    41.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114613931A

    公开(公告)日:2022-06-10

    申请号:CN202210314414.6

    申请日:2016-01-22

    Abstract: 提供了一种有机发光显示设备。所述有机发光显示设备具有与多个像素区域对应的多个第一电极、中间层和第二电极。第一电极彼此隔开,第二电极彼此隔开,中间层彼此隔开。导电保护层被形成在第二电极上方,连接电极层被形成在导电保护层上方并电连接第二电极。

    有机发光显示设备及其制造方法

    公开(公告)号:CN105914221B

    公开(公告)日:2021-04-09

    申请号:CN201610053924.7

    申请日:2016-01-27

    Abstract: 本发明公开一种有机发光显示设备及其制造方法。该有机发光显示设备包括:基板,包括用于实现第一颜色的多个第一发射部以及用于实现第二颜色的多个第二发射部;像素限定膜,用于限定多个第一发射部和多个第二发射部;多个像素电极,彼此分离并且分别对应于多个第一发射部;以及第一堆叠结构,包括中间层和位于中间层上的对置电极,中间层包括发射第一颜色的光的有机发射层,第一堆叠结构进一步包括:分别对应于多个第一发射部的第一发射图案部,以及位于像素限定膜上的第一连接图案部,第一连接图案部连接第一发射图案部。

    制造显示设备的方法
    43.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112585779A

    公开(公告)日:2021-03-30

    申请号:CN201980054769.2

    申请日:2019-01-25

    Abstract: 一种制造显示设备的方法包括以下步骤:在其上形成有第一像素电极的基底上形成第一下剥离层、第一上剥离层和第一光致抗蚀剂层;部分地去除第一光致抗蚀剂层、第一上剥离层和第一下剥离层,以形成包括使第一像素电极暴露的第一光致抗蚀剂图案、第一上剥离图案和第一下剥离图案的第一掩模层;通过使用第一掩模层在第一像素电极上形成第一发光层和第一对电极;在第一对电极上形成第一钝化层;以及去除第一掩模层。

    显示设备和用于制造显示设备的方法

    公开(公告)号:CN111490077A

    公开(公告)日:2020-08-04

    申请号:CN202010078477.7

    申请日:2020-02-03

    Abstract: 本发明涉及一种显示设备和用于制造显示设备的方法。该显示设备包括:包括晶体管的电路元件层;显示元件层,包括连接到晶体管的第一电极、面对第一电极的第二电极、在第一电极与第二电极之间的有机图案、具有暴露第一电极的开口的像素限定层、与开口间隔开以覆盖像素限定层的一部分并连接到第二电极的辅助电极、覆盖第二电极的第一保护图案、以及覆盖第一保护图案的第二保护图案;以及覆盖显示元件层的封装层,其中第一保护图案和第二保护图案在彼此不同的方向上具有应力。

    显示设备
    45.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110416261A

    公开(公告)日:2019-11-05

    申请号:CN201910362389.7

    申请日:2019-04-30

    Abstract: 公开了一种显示设备。所述显示设备包括:基板,包括显示区域和外围区域;像素电极,位于显示区域中并且彼此分隔开;像素限定层,暴露像素电极的上表面,覆盖像素电极的边缘,并且包括无机绝缘材料;辅助电极,位于像素限定层上;第一中间层,位于像素电极之中的第一像素电极上;第一对电极,位于第一中间层上;第二中间层,位于像素电极之中的第二像素电极上,第二像素电极与第一像素电极相邻;第二对电极,位于第二中间层上,并且经由辅助电极电连接至第一对电极;电源电压供应线,位于外围区域中;以及连接电极层,将辅助电极电连接至电源电压供应线。

    显示装置
    46.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109148511A

    公开(公告)日:2019-01-04

    申请号:CN201810298848.5

    申请日:2018-03-30

    Abstract: 本申请涉及显示装置,该显示装置包括:第一像素电极和第二像素电极,设置成在衬底上彼此邻近;像素限定层,包括对应于第一像素电极的第一开口、对应于第二像素电极的第二开口以及布置成与第一开口邻近的第一凸部;第一中间层,设置在第一像素电极上以与第一开口对应,并且包括第一发射层;以及第一导电无机层,布置在第一中间层上以对应于第一开口。第一导电无机层的至少一个端部延伸超过第一中间层的端部,并且在第一开口和第二开口之间设置于像素限定层上。

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