公开(公告)号：CN103360065A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310098827.6

申请日：2013-03-26

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 野口毅 ,  土井利浩 ,  樱井英章 ,  渡边敏昭 ,  曽山信幸

IPC: C04B35/491 ,  C04B35/622

CPC classification number: H01L41/1876 ,  H01G4/018 ,  H01G4/1245 ,  H01L28/56 ,  H01L29/78391 ,  H01L37/025 ,  H01L41/0815 ,  H01L41/318 ,  H01L41/319 ,  H03H9/02031 ,  Y10T428/24975 ,  Y10T428/265

Abstract: 本发明提供一种PZT系铁电薄膜及其制造方法，该PZT系铁电薄膜具备与以往的铁电薄膜同等的介电特性的同时具备更高寿命可靠性。本发明的PZT系铁电薄膜，其形成于具有结晶面沿（111）轴向取向的下部电极的基板的下部电极上，其中，铁电薄膜具备：取向控制层，形成于下部电极上且择优晶体取向被控制在（111）面，层厚在45nm～270nm的范围内；及膜厚调整层，形成于取向控制层上且具有与取向控制层的晶体取向相同的晶体取向；在取向控制层与膜厚调整层之间形成界面。

公开(公告)号：CN103360043A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310088038.4

申请日：2013-03-19

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 土井利浩 ,  樱井英章 ,  中村贤藏 ,  五十岚和则 ,  曽山信幸

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622

CPC classification number: H01F41/22 ,  C23C18/1208 ,  C23C18/1254 ,  C23C18/1283 ,  H01F10/20 ,  H01F41/24

Abstract: 本发明提供一种能够使用溶胶-凝胶法不会产生龟裂地制作膜厚为1μm以上的厚膜的铁氧体薄膜的形成方法。本发明通过如下形成铁氧体薄膜的方法，即进行一次或多次将铁氧体薄膜形成用组合物涂布于耐热性基板上来形成涂布膜的工序及临时烧结上述涂布膜的工序，以使临时烧结后的上述基板上的膜厚成为所希望的厚度，并对形成于上述基板上的临时烧结膜进行烧成，所述形成方法的特征在于，对形成于上述基板上的临时烧结膜进行烧成的条件如下，即在大气、氧气或惰性气体气氛下，升温速度为1～50℃/分钟，保持温度为500～800℃，保持时间为30～120分钟。

公开(公告)号：CN103359786A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310085420.X

申请日：2013-03-18

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 野口毅 ,  土井利浩 ,  樱井英章 ,  渡边敏昭 ,  曽山信幸

IPC: C01G25/00 ,  C04B35/622 ,  C04B35/491

CPC classification number: H01L41/0805 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/306 ,  H01G4/33 ,  H01L41/0815 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/29 ,  H01L41/318 ,  Y10T29/42

Abstract: 本发明提供一种PZT系铁电薄膜及其制造方法，该PZT系铁电薄膜具备与以往的铁电薄膜同等的介电特性的同时具备更高的寿命可靠性。本发明的PZT系铁电薄膜，其形成于具有结晶面沿（111）轴向取向的下部电极的基板的下部电极上，其中，PZT铁电薄膜具备：取向控制层，形成于下部电极上且择优晶体取向被控制在（100）面，层厚在45nm～150nm的范围内；及膜厚调整层，形成于取向控制层上且具有与取向控制层的晶体取向相同的晶体取向；在取向控制层与膜厚调整层之间形成界面。