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公开(公告)号：CN106104826B
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201580015871.3
申请日：2015-03-27
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: H01L41/318 , C04B35/491 , H01B3/12 , H01L41/187
Abstract: 本发明涉及一种用于形成PZT系压电膜的组合物，该PZT系压电膜由掺杂Mn的复合金属氧化物所构成，所述组合物含有PZT系前体、二醇及聚乙烯吡咯烷酮，该PZT系前体包含构成所述复合金属氧化物的各金属原子，且所述组合物以如下比例含有所述PZT系前体：将所述组合物中的金属原子比表示为Pb:Mn:Zr:Ti时，Pb满足1.00～1.20、Mn满足0.002以上且小于0.05、Zr满足0.40～0.55、Ti满足0.45～0.60，且所述Zr与所述Ti的金属原子比的合计比例成为1。
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公开(公告)号：CN104072132B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201410054324.3
申请日：2014-02-18
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: H01L41/187
CPC classification number: C23C18/1216 , C23C18/1245 , C23C18/1254 , C23C18/1283 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明提供一种PZT系铁电薄膜形成用组合物及其制造方法以及PZT系铁电薄膜的形成方法。该PZT系铁电薄膜形成用组合物包括PZT前驱体、二醇、水及碳链为6以上12以下的直链一元醇、并包含聚乙烯吡咯烷酮或聚乙二醇。组合物100质量%中所占的上述PZT前驱体的浓度以氧化物浓度计为17～35质量%，组合物100质量%中的上述二醇的比例为16～56质量%，上述聚乙烯吡咯烷酮或聚乙二醇的比例相对于1摩尔的上述PZT前驱体为0.01～0.25摩尔，上述水的比例相对于1摩尔的上述PZT前驱体为0.5～3摩尔，组合物100质量%中的直链一元醇的比例为0.6～10质量%。
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公开(公告)号：CN106133932A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201580015351.2
申请日：2015-03-20
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: H01L41/187 , C01G25/00 , H01L41/318
CPC classification number: H01L41/1876 , C01G25/006 , C01P2002/54 , C04B35/491 , C04B35/62218 , C04B35/624 , C04B35/6264 , C04B35/63444 , C04B35/638 , C04B35/64 , C04B2235/3229 , C04B2235/3234 , C04B2235/3249 , C04B2235/3296 , C04B2235/48 , C09D5/24 , H01L41/318
Abstract: 本发明的掺杂Ce的PZT系压电膜形成用组合物含有PZT系前体、二醇及聚乙烯吡咯烷酮等，所述PZT系前体含有构成复合金属氧化物的各金属原子。组合物中的金属原子比Pb:Ce:Zr:Ti满足(1.00～1.28):(0.005～0.05):(0.40～0.55):(0.60～0.45)，且以Zr与Ti的金属原子比的合计比例成为1的比例含有PZT系前体。组合物100质量％中所占的PZT系前体的浓度以氧化物浓度计为17～35质量％，组合物100质量％中的二醇的比例为16～56质量％，聚乙烯吡咯烷酮等的比例相对于PZT系前体1摩尔，以单体换算为0.01～0.25摩尔。
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公开(公告)号：CN104072133A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410055655.9
申请日：2014-02-19
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C04B35/491 , C04B35/622
CPC classification number: H01G4/08 , B05D1/38 , B05D3/0254 , C23C16/409 , H01G4/018 , H01G4/06 , H01G4/30 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/02356 , H01L28/55 , H01L41/1876 , H01L41/318
Abstract: 本发明提供一种PZT系铁电薄膜及其形成方法和复合电子组件。所述PZT系铁电薄膜通过如下来形成，即在具有下部电极的基板的该下部电极上涂布一次或两次以上PZT系铁电薄膜形成用组合物并进行预烧结之后，通过烧成使其结晶，其中，薄膜由从薄膜表面测定时的平均粒径在500～3000nm的范围的PZT系粒子构成，在薄膜表面上的晶界的一部分或全部中析出有平均粒径为20nm以下的与上述PZT系粒子不同性质的微粒。
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公开(公告)号：CN104058743A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410054822.8
申请日：2014-02-18
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C04B35/491 , C04B35/624
CPC classification number: H01B3/448 , C23C18/1216 , C23C18/1225 , C23C18/1254 , C23C18/1291 , H01L41/0973 , H01L41/1876 , H01L41/318
Abstract: 本发明提供一种铁电薄膜形成用溶胶-凝胶液及铁电薄膜的形成方法。该铁电薄膜形成用溶胶-凝胶液含有PZT系化合物、含聚乙烯吡咯烷酮的粘度调整用高分子化合物及含N-甲基吡咯烷酮的有机掺杂剂，含有以氧化物换算计为17质量%以上的PZT系化合物，聚乙烯吡咯烷酮相对于所述PZT系化合物的摩尔比以单体换算计为，PZT系化合物:聚乙烯吡咯烷酮=1:0.1～0.5，所述溶胶-凝胶液中含3质量%～13质量%的N-甲基吡咯烷酮。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103359785A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310085165.9
申请日：2013-03-18
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C01G25/00 , C04B35/622 , C04B35/491
CPC classification number: H01B13/06 , C23C18/1216 , C23C18/1283 , H01G4/1245 , H01G4/33 , H01G7/06 , H01L28/55 , H01L29/78391 , H01L37/025 , H01L41/1876 , H01L41/318 , H03H9/02574 , Y10T428/265
Abstract: 本发明提供一种PZT系铁电薄膜的制造方法和PZT系铁电薄膜。该PZT系铁电薄膜的制造方法，在具有结晶面沿（111）轴向取向的下部电极的基板的下部电极上涂布PZT系铁电薄膜用组合物进行临时烧结之后，烧成而结晶化来在下部电极上制造PZT系铁电薄膜时，将PZT系铁电薄膜形成用组合物以CSD法涂布形成于下部电极表面上的溶胶膜，使用红外线且通过温度模式稳定地进行临时烧结，该温度模式包括：第1保持阶段，从室温等预定温度升温而保持在200℃～350℃的范围内的温度；和第2保持阶段，从第1保持阶段的保持温度升温而保持在比第1保持阶段的保持温度更高的350℃～500℃的范围内的温度。
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公开(公告)号：CN107431123B
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201680005012.0
申请日：2016-02-15
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: H01L41/187 , B41J2/14 , B41J2/16 , C01G35/00 , H01L41/318 , H01L41/319 , H01L41/43
Abstract: 本发明提供一种PTZT压电膜，其由含有Pb、Ta、Zr及Ti的钙钛矿型结构的金属氧化物构成，所述金属氧化物还含有碳，所述碳的含量为80～800质量ppm。该压电膜形成用液体组合物的制造方法中，使Ta醇盐、Zr醇盐、β‑二酮类及二醇回流，向回流而得到的第1合成液中添加Ti醇盐并再次回流，向再次回流而得到的第2合成液中添加Pb化合物并进一步回流，从进一步回流而得到的第3合成液去除溶剂之后，用醇稀释来制造PTZT压电膜形成用液体组合物。该PTZT压电膜形成用液体组合物在将总计Ta醇盐、Zr醇盐及Ti醇盐的量设为1摩尔时，分别以成为7～11摩尔、1.5～3.0摩尔的比例包含二醇、β‑二酮类。
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公开(公告)号：CN105940515B
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201580006889.7
申请日：2015-03-12
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: H01L41/318 , C04B35/491 , H01L41/187
Abstract: 本发明涉及一种用于形成PZT系压电膜的组合物，该PZT系压电膜由掺杂Mn及Nb的复合金属氧化物构成，所述组合物以如下比例包含PZT系前体：所述组合物中的金属原子比Pb:Mn:Nb:Zr:Ti满足(1.00～1.25):(0.002～0.056):(0.002～0.056):(0.40～0.60):(0.40～0.60)，且将所述Mn及Nb的金属原子比的合计设为1时的所述Mn的比例为0.20～0.80，将所述Zr及Ti的金属原子比的合计设为1时的所述Zr的比例为0.40～0.60，将所述Mn、Nb、Zr及Ti的金属原子比的合计设为1时的所述Zr及Ti的合计比例为0.9300～0.9902。
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公开(公告)号：CN104072135B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201410057519.3
申请日：2014-02-19
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: H01G4/12
CPC classification number: B05D3/0254 , B05D1/38 , C23C14/088 , C23C14/5806 , C23C18/1216 , C23C18/1225 , C23C18/1241 , C23C18/1254 , H01L21/02197 , H01L21/022 , H01L21/02282 , H01L21/02304 , H01L28/56 , Y10T428/26
Abstract: 本发明提供一种PNbZT铁电薄膜的制造方法和复合电子部件。该方法中，将用于形成不含Nb的PZT铁电薄膜的组合物涂布在形成于基板（10）的下部电极（11）上，预烧结后，进行烧成来使其结晶化，从而形成厚度45～90nm的结晶化促进层（12），在上述形成的结晶化促进层（12）上涂布用于形成PNbZT铁电薄膜的组合物来形成PNbZT的涂膜（13a），对该涂膜（13a）进行预烧结后，进行烧成来使其结晶化，从而在上述下部电极（11）上形成PNbZT铁电薄膜，其中，在所述PNbZT铁电薄膜中，与组合物中所含的钙钛矿B位原子即Zr及Ti的总计100原子%中含有4～10原子%的Nb。
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公开(公告)号：CN106104826A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201580015871.3
申请日：2015-03-27
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: H01L41/318 , C04B35/491 , H01B3/12 , H01L41/187
CPC classification number: H01L41/1876 , C04B35/491 , C04B35/493 , C04B35/62218 , C04B35/624 , C04B35/6264 , C04B35/63444 , C04B35/638 , C04B35/64 , C04B2235/3227 , C04B2235/3234 , C04B2235/3249 , C04B2235/3251 , C04B2235/3262 , C04B2235/3268 , C04B2235/3296 , C04B2235/441 , C04B2235/449 , C04B2235/5436 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/74 , C04B2235/787 , C04B2235/79 , C04B2235/95 , C04B2235/96 , H01L41/318
Abstract: 本发明涉及一种用于形成PZT系压电膜的组合物，该PZT系压电膜由掺杂Mn的复合金属氧化物所构成，所述组合物含有PZT系前体、二醇及聚乙烯吡咯烷酮，该PZT系前体包含构成所述复合金属氧化物的各金属原子，且所述组合物以如下比例含有所述PZT系前体：将所述组合物中的金属原子比表示为Pb:Mn:Zr:Ti时，Pb满足1.00～1.20、Mn满足0.002以上且小于0.05、Zr满足0.40～0.55、Ti满足0.45～0.60，且所述Zr与所述Ti的金属原子比的合计比例成为1。
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