-
公开(公告)号：CN117388601A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311237793.4
申请日：2023-09-25
IPC分类号： G01R31/00
摘要： 本申请涉及一种错误率确定方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：获取被测电子器件在14MeV中子诱发下产生的单粒子效应的第一单粒子效应截面；根据所述被测电子器件的类型和敏感参数，确定所述被测电子器件在所述14MeV中子诱发下产生单粒子效应和在大气中子诱发下产生单粒子效应的目标等效因子；根据所述第一单粒子效应截面和所述目标等效因子，确定所述被测电子器件在所述大气中子诱发下产生的单粒子效应的目标单粒子效应截面；根据所述目标单粒子效应截面，确定所述被测电子器件的错误率。采用本方法能够提高确定被测电子器件在大气中子诱发下产生单粒子效应的错误率的准确性和效率。
-
公开(公告)号：CN114354656B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202111486993.4
申请日：2021-12-07
IPC分类号： G01N23/00
摘要： 本发明公开了一种系统级样品试验系统，屏蔽体用于屏蔽辐射，屏蔽体内设有试验空间，屏蔽体包括用于开启或关闭试验空间的屏蔽门体，样品位移台可移动设置，使样品位移台能够进入或离开试验空间，样品位移台包括基座、样品台及调整机构，调整机构用于调整样品台相对基座的高度。可将样品位移台置于屏蔽体外，并将样品置于样品台上固定，利用调整机构预调整样品台上样品的高度，随后可将样品位移台移动至试验空间内，样品位移台移动至试验空间内后不再调整或只需进行细微调整样品的位置，可减少操作人员及样品位移台在试验空间内的停留时间，能够减少辐射试验对人体及样品位移台的伤害，具有更好的安全性。
-
公开(公告)号：CN109657272B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201811357662.9
申请日：2018-11-14
IPC分类号： G06F30/20
摘要： 本公开涉及一种单粒子效应评估方法和装置。该方法包括：构建目标电路的三维电路模型，所述三维电路模型包含敏感区域；将所述三维电路模型输入核反应计算仿真软件中，获取在预定单粒子能量下所述敏感区域中产生的核反应次级离子；通过器件仿真软件获取所述核反应次级离子作用在所述敏感区域上输出的单粒子瞬态脉冲波形；将所述单粒子瞬态脉冲波形以等效电流源的形式加载到所述目标电路上，获取电路响应信息；以及通过所述电路响应信息对所述目标电路的单粒子效应进行评估。本公开中的方法能够精确量化产生大气中子单粒子效应的各个物理过程，并在此基础上对目标电路的单粒子效应进行评估。
-
公开(公告)号：CN111722075B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202010611079.7
申请日：2020-06-30
IPC分类号： G01R31/26 , H01L29/06 , H01L29/778
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种GaN基HEMT器件潜径迹表征用测试结构及表征方法，结构包括底座、导电连接层及扫描探针。底座用于放置GaN基异质结构，GaN基异质结构包括沿远离底座方向依次层叠设置的GaN缓冲层、势垒层以及欧姆接触层，其中，GaN缓冲层和势垒层之间形成有二维电子气，欧姆接触层与二维电子气连通；导电连接层连接底座与欧姆接触层；扫描探针由底座引出，并连接势垒层，以在扫描探针与底座之间形成电回路，扫描探针用于沿势垒层表面扫描并在预设的偏压条件下获取势垒层中潜径迹的表征结果。通过上述测试结构能够快速准确地验证GaN基异质结构的势垒层中是否存在潜径迹，当存在潜径迹，可获取其表征结果，实现对潜径迹的有效表征。
-
公开(公告)号：CN115097277A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210697645.X
申请日：2022-06-20
摘要： 本发明公开了柔性直流换流阀功率单元的大气中子加速辐照试验方法，包括：在预设的第一数量的试验温度下，对多个待测功率单元注入中子束流并施加预设的第二数量的试验电压，对多个待测功率单元进行试验，功率单元为功率器件或功率器件内的芯片；监测并记录试验过程中的中子注量和各待测功率单元的泄漏电流，根据预设的失效条件判断各待测功率单元是否失效，预设的失效条件与泄漏电流相关；当满足预设的结束条件时，停止注入中子束流并结束试验，预设的结束条件与中子注量、柔性直流换流阀使用地的海拔高度相关。本发明针对高海拔地区的工作环境，测试效率高，能准确评估功率单元因大气中子引起的失效率，获得功率单元的安全工作电压边界。
-
公开(公告)号：CN114005486A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111190652.2
申请日：2021-10-13
IPC分类号： G11C29/56
摘要： 本申请涉及一种非易失性存储器辐射效应测试方法、装置、计算机设备和存储介质，应用于内置非易失性存储器的存储芯片，该方法包括：对被测芯片进行工作模式配置和初始数据写入操作，以使被测芯片中的易失性存储器写入初始数据；控制被测芯片断电，等待预设时长，以使初始数据从非易失性存储器自动写入非易失性存储器；控制辐照装置以预设辐照参数，辐照非易失性存储器；控制被测芯片上电，等待设定时间，以使易失性存储器从非易失性存储器中读出反馈数据；获取反馈数据，并根据反馈数据和初始数据，得到辐射效应测试结果并输出。上述非易失性存储器辐射效应测试方法，无需直接访问非易失性存储器，有利于扩展存储器辐射效应测试方法的应用场景。
-
公开(公告)号：CN110045204B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201910341865.7
申请日：2019-04-26
IPC分类号： G01R31/00
摘要： 本申请涉及一种单粒子闩锁维持电流测试方法、装置及系统。所述方法包括：当监测到处于当前离子束辐照中的待测器件出现单粒子闩锁效应时，采集待测器件的电流，并将采集到的电流确认为效应电流；以效应电流作为待测器件的输入电流的初始值，逐次减小输入电流，直至监测到处于当前离子束辐照中的待测器件、退出单粒子闩锁效应时，将当前的输入电流确认为待测器件对应的退出电流；获取处于下一种离子束辐照中的待测器件对应的退出电流；将各退出电流中的最小值确认为待测器件的单粒子闩锁维持电流，从而，本申请能够获得待测器件在辐射环境下的单粒子闩锁维持电流，提高了测试单粒子闩锁维持电流的准确度，进而为改进器件抗闩锁设计提供数据支持。
-
公开(公告)号：CN113161033A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110306114.9
申请日：2021-03-23
IPC分类号： G21K1/00
摘要： 本申请涉及降能技术领域，具体公开一种降能装置、降能方法、电子设备及计算机可读存储介质。降能装置包括同轴设置的第一降能片和第二降能片，第一降能片的厚度沿第一降能片的周向呈螺旋式变化趋势，第二降能片的厚度沿第二降能片的周向呈螺旋式变化趋势；当第一降能片和第二降能片中的至少一个沿轴旋转时，第一降能片和第二降能片在轴向上的叠加厚度呈单调性变化趋势。当第一降能片和/或第二降能片沿轴旋转时，第一降能片和第二降能片在轴向上组合叠加的厚度是连续变化的，且呈单调性变化趋势，由此，当该降能装置设置于带电粒子的入射路径上时，带电粒子通过该降能装置可以实现能量的连续降低，实现带电粒子能量的连续调节效果。
-
公开(公告)号：CN113132521A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110238546.0
申请日：2021-03-04
IPC分类号： H04M1/24
摘要： 本发明涉及辐射效应评估技术领域，公开了一种移动终端软故障测试方法和系统，包括使得待测移动终端处于测试模式之下；使用中子束流对所述待测移动终端进行辐照测试；控制所述待测移动终端运行不同的应用功能；对所述待测移动终端进行监测，观察并统计所述待测移动终端在运行不同的应用功能时的错误情况；根据所述错误情况区分不同的软故障类型。使用中子束流模拟真实环境中大气中子对待测移动终端的辐照。观察并统计待测移动终端在不同运行模式下的错误情况，并基于待测移动终端的错误情况区分不同的软故障类型。通过高通量的中子源对待测移动终端进行辐照试验，快速激发待测移动终端中可能存在的软故障类型，向产品研发人员提供有效数据支撑。
-
公开(公告)号：CN113109863A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110239996.1
申请日：2021-03-04
IPC分类号： G01T3/08
摘要： 本发明涉及辐射效应评估技术领域，公开了一种热中子单粒子效应敏感性试验方法和系统。使用中子束流对待测样品进行辐照试验，获取待测样品的第一单粒子效应平均截面；滤除中子束流中的热中子成分后，获取待测样品的第二单粒子效应平均截面；根据第一单粒子效应平均截面和第二单粒子效应平均截面，获取待测样品的热中子单粒子效应截面；获取待测样品中的B‑10同位素含量；综合热中子单粒子效应截面和待测样品中B‑10同位素含量，评估待测样品的热中子单粒子效应敏感性。通过对比滤除热中子前后的单粒子效应平均截面，获得待测器件的热中子单粒子效应截面，并结合B‑10同位素含量进行敏感性分析，实现单独评估热中子对待测器件出现单粒子效应影响的目的。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
68 条记录 (耗时 0.11 秒)