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公开(公告)号：CN110850341A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201911184593.0
申请日：2019-11-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/035
Abstract: 本发明提供一种SQUID探测模块及SQUID传感器，包括：SQUID器件及超导线圈环，所述SQUID器件感应所述超导线圈环探测到的磁通并转换为电信号；其中，所述超导线圈环包括首尾相连的第一超导线圈单元及第二超导线圈单元，所述第一超导线圈单元及所述第二超导线圈单元的连接节点作为引线端子接收反馈信号。本发明的SQUID探测模块及SQUID传感器无需反馈线圈，节省端口、成本，简化版图设计难度，降低工艺难度，提高了成品率；且采用直接电反馈，减少了磁通泄露，对于多通道应用具有重要意义，可以大大降低通道间磁通干扰和耦合，解决多通道间信号串扰问题，降低了系统信号提取的难度。
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公开(公告)号：CN108539004A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810375704.5
申请日：2018-04-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种亚微米约瑟夫森隧道结及其制备方法，包括如下步骤：1）提供一衬底，并于衬底的上表面形成底层超导薄膜层、绝缘薄膜层及顶层超导薄膜层；2）刻蚀去除部分顶层超导薄膜层、部分绝缘薄膜层及部分底层超导薄膜层；3）于步骤2）所得到结构的表面形成一第一绝缘层；4）于步骤3）所得到结构的表面形成第二绝缘层；5）于步骤4）所述得到结构的表面形成附加超导薄膜层，并刻蚀附加超导薄膜层以形成第二亚微米线条，第二亚微米线条至少与第一亚微米线条呈十字交叉连接。本发明可以有效解决现有技术中存在的电极窗口问题；双层绝缘层不仅改善了边缘效应、降低了台阶过渡处漏电流的产生，还有利于提高约瑟夫森结的质量及可靠性。
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公开(公告)号：CN108011033A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711401031.8
申请日：2017-12-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L39/24 , H01L27/18 , H01L39/04 , G01R33/035
Abstract: 本发明提供一种SQUID平面梯度计芯片的封装结构及封装方法，所述封装方法包括：提供一SQUID平面梯度计芯片；于所述SQUID平面梯度计芯片的下方设置至少一层缓冲层；于所述缓冲层的下方设置一基板，并于所述基板上制作与所述SQUID平面梯度计芯片的电极电性连接的引出电极；以及于所述基板上设置一封装盖板，其中，所述SQUID平面梯度计芯片及所述缓冲层均封装于所述封装盖板内。通过本发明提供的SQUID平面梯度计芯片的封装结构及封装方法，解决了现有SQUID平面梯度计芯片封装结构的不平衡度指标较差的问题。
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公开(公告)号：CN118707412A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410836962.4
申请日：2024-06-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/035
Abstract: 本发明提供一种SQUID芯片、磁探测传感器及磁探测系统，其中，SQUID芯片包括参考电阻、SQUID器件及反馈线圈；参考电阻、SQUID器件及反馈线圈的第一端彼此相连并连接第一芯片端子，参考电阻的第二端分两路连接第二芯片端子及第三芯片端子，SQUID器件的第二端连接第四芯片端子，反馈线圈的第二端连接第五芯片端子。通过本发明提供的SQUID芯片、磁探测传感器及磁探测系统，解决了现有技术中SQUID器件的工作点受引线电阻影响发生漂移导致传感器运行不稳定的问题。
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公开(公告)号：CN116482586A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310246263.X
申请日：2023-03-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/035
Abstract: 本发明提供一种SQUID检测电路、传感器及多通道磁测量系统，包括：参考电阻及X个SQUID检测模块，各SQUID检测模块均包括反馈线圈及SQUID器件；各SQUID器件的第一端均连接公共端并引出，各SQUID器件的第二端分别作为一引出端；各反馈线圈依次串联，反馈线圈串联结构的第一端连接公共端，第二端作为一引出端；参考电阻的一端连接所述公共端，另一端作为一引出端。本发明的引线数量少，低温液体损耗小；能有效消除引线电阻引起的电压偏移，避免工作点漂移；复用读出电路，减小电子电路体积、数据采集通道数及成本；室温电路简单、硬件成本低、运行效率高；无需移动探头，准确性高、操作简单。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111244259B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202010066840.3
申请日：2020-01-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种约瑟夫森结及超导量子干涉器件的制备方法，该约瑟夫森结的制备方法包括以下步骤：获取衬底；在衬底上依次制备第一超导薄膜层、绝缘层和第二超导薄膜层；采用曝光显影结合刻蚀技术对第二超导薄膜层的第一区域进行刻蚀处理，形成第一约瑟夫森结区；采用曝光显影结合刻蚀技术对第二超导薄膜层的第二区域进行刻蚀处理，于第一区域和第二区域的重叠部分形成第二约瑟夫森结区；第二约瑟夫森结区的尺寸能够通过调整衬底的位置或调整校准片的位置调整为A*A微米,其中A的范围为0.1‑1微米。本申请实施例提供的约瑟夫森结的制备方法对第二超导薄膜层采用两次曝光显影结合刻蚀技术定义约瑟夫森结区，能够实现亚微米约瑟夫森结的制备。
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公开(公告)号：CN115835767A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211493020.8
申请日：2022-11-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种约瑟夫森结及超导电子器件的制备方法，通过制备具有不同厚度的第一超导层及第二超导层，在进行约瑟夫森结的预定义后，可对第二超导层进行第一次过刻形成第一超导条带线，并直接进行绝缘保护层的生长和剥离，而后制备第三超导层，并进行第二超导条带线的刻蚀，同时对第二超导层即第一超导条带线进行第二次过刻，以通过双过刻工艺，提供一种亚微米乃至深亚微米尺度的约瑟夫森结的制备方法，可以解决现有工艺设备的精度限制，从而降低工艺设备成本，适用于高性能实用化超导量子干涉器件和其他基于约瑟夫森结的超导电子器件的可靠制备。
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公开(公告)号：CN112038479B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202010922048.3
申请日：2020-09-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种电感可调的超导量子器件及其制备方法，器件包括：衬底、金属电阻层、第一绝缘层、第一超导薄膜层、第二绝缘层和第二超导薄膜层，第一超导薄膜层被刻蚀形成超导量子器件的环路和引线结构，第二超导薄膜层被刻蚀形成约瑟夫森结区、第三绝缘层、第三超导薄膜层，其厚度小于其穿透深度，其被刻蚀形成输入线圈、第四绝缘层，其形成有第二过孔，用于连接金属电阻层和引出约瑟夫森结的顶电极、第四超导薄膜层，其被刻蚀形成配线层、反馈线圈和引线管脚。本发明将超导体动态电感引入到超导量子器件输入电感设计中，有效解决了目前几何电感带来的分布电容大、集成度低、大电感不易实现、且环路电感Ls难减小等问题。
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公开(公告)号：CN111244259A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010066840.3
申请日：2020-01-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种约瑟夫森结及超导量子干涉器件的制备方法，该约瑟夫森结的制备方法包括以下步骤：获取衬底；在衬底上依次制备第一超导薄膜层、绝缘层和第二超导薄膜层；采用曝光显影结合刻蚀技术对第二超导薄膜层的第一区域进行刻蚀处理，形成第一约瑟夫森结区；采用曝光显影结合刻蚀技术对第二超导薄膜层的第二区域进行刻蚀处理，于第一区域和第二区域的重叠部分形成第二约瑟夫森结区；第二约瑟夫森结区的尺寸能够通过调整衬底的位置或调整校准片的位置调整为A*A微米,其中A的范围为0.1-1微米。本申请实施例提供的约瑟夫森结的制备方法对第二超导薄膜层采用两次曝光显影结合刻蚀技术定义约瑟夫森结区，能够实现亚微米约瑟夫森结的制备。
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公开(公告)号：CN106814403B
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201710031598.4
申请日：2017-01-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01V3/38
Abstract: 本发明提供一种补偿瞬变电磁信号负值的方法，其中，所述补偿瞬变电磁信号负值的方法至少包括如下步骤：根据瞬变电磁信号的测量数据曲线，选取负值段作为拟合段；对所述拟合段进行e指数拟合，以得到拟合数据；将所述测量数据与所述拟合数据作差，以补偿所述瞬变电磁信号负值。本发明的补偿瞬变电磁信号负值的方法，具有以下有益效果：采用本发明的方法，能够有效处理瞬变电磁信号的负值，从而得到较长时间的有效数据，有效提高地质探测深度。经过补偿后的瞬变电磁信号，就可以通过传统成熟的TEM数据处理解释方法对其进行解释，提高了电阻率解释的准确性。
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