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公开(公告)号：CN1645171A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN200510023679.7
申请日：2005-01-28
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明提供了一种可以在保持正入射情况下各种优良性能的同时，还可以抑制掉很宽入射角范围内由带通峰位随入射角偏移而引起的弥散光透过的窄带滤光片。该窄带滤光片采用光子晶体异质结构的膜系设计，其结构为：α[(LH)mxL(HL)m]β[(HL)nyH(LH)n]，它是利用不同缺陷光子晶体结构的带通峰位随入射角变化的偏移程度不同，使得斜入射的光不能同时透过整个光子晶体异质结构传播出去，从而达到抑制各种斜入射弥散光的目的，同时仍然保持正入射情况下滤光片的各种优良性能，并改善其带通矩形度，这样可以大大提高窄带滤光片的性能。
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公开(公告)号：CN1638135A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410084793.6
申请日：2004-12-01
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所 , 华东师范大学
摘要： 本发明公开了一种降低铟柱焊点应力的焦平面器件，包括：阵列探测器光敏元芯片，通过铟柱与阵列探测器光敏元芯片互连的硅信号读出电路，其特征在于：在用于电学互连铟柱区域边添加1～2个较大底面积的降应力铟柱，或在面阵电学互连铟柱2区域外围四周，添加1～2排较大底面积的降应力铟柱。较大底面积的降应力铟柱尺寸的选择及精确定位是通过ANSYS有限元分析软件编程，在PC机WIN2000平台上运行。这种结构可使铟柱焊点应力下降70％左右，可以基本缓解互连封装铟柱焊点应力造成的可靠性降低，并且只需常规工艺就可制备。
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公开(公告)号：CN1632644A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN200410089451.3
申请日：2004-12-13
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： G02F1/00
摘要： 本发明公开了一种三维光学微腔式单光子源，该光子源包括：衬底，与衬底牢固结合的微腔膜系，嵌埋在微腔中的量子点，其特征在于：在微腔膜系上，靠近微腔四周刻有呈三角格子周期性分布的圆柱形空气柱，空气柱的深度为膜系的厚度。本发明的优点在于：由于采用准三维光子晶体结构的设计使光学微腔在各个方向上都有很好的限制能力，从原理上克服了传统结构在垂直方向上漏光的缺陷，而且可以方便地从多个嵌埋量子点中优选出单个量子点发光，形成光学微腔式的单光子源。
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公开(公告)号：CN1595233A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN200410025343.X
申请日：2004-06-22
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种窄带通滤光片式的太赫兹量子阱相干光源芯片，它是利用分子束外延技术在衬底上生长一个单量子阱，再利用衬底剥离技术分别在其上下两面镀膜形成无序型薄膜，使量子阱成为窄带通滤光片的谐振腔层，整个芯片结构为窄带通滤光片式。这种结构可以使量子阱只吸收频率范围较窄的飞秒激光，避免了因飞秒激光频率展宽而引起的THz发光强度降低。作为发光部分的量子阱正好处于窄带通滤光片的谐振腔层，飞秒激光在该结构中多次来回反射，极大地增强量子阱对飞秒激光的吸收，从而提高其THz发光强度。
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公开(公告)号：CN1187600C
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN02137758.8
申请日：2002-10-31
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明书提供了一种通过测量多个角度反射谱来同时获得薄膜等效折射率和厚度的设备和方法。该设备简单，测量方便。该方法是根据入射光在空气-薄膜-衬底的界面处两次反射会发生干涉，其干涉现象会从反射谱上表现出来。因此只要测得两个不同入射角θ1和θ2含有干涉信息的反射谱R(θ1，ω)和R(θ2，ω)，采用薄膜反射率公式同时拟合这两个反射谱，得到相应的光程差Δ1和Δ2，根据折射定律，联立两个方程就可以得出薄膜的等效折射率n及物理厚度d。与传统方法不同的是该方法可以同时、方便、无损地测出薄膜的等效折射率和厚度，甚至可以用于镀膜过程的实时监控与在线检测。
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公开(公告)号：CN1546944A
公开(公告)日：2004-11-17
申请号：CN200310109247.9
申请日：2003-12-11
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 一种多量子阱红外探测材料的结构层厚获取方法，该方法采用常规的透射光谱测量，将测量数据与双层近似模型拟合，获取多量子阱红外探测材料中上电极层和多量子阱区实际的厚度参数，从而为后续的器件制备工艺提供必要的实际材料结构参数；同时还可获得多量子阱区中势垒层中Al组分参数。该方法也可为材料生长过程的参数修正提供参考依据。
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公开(公告)号：CN1540370A
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN200310108346.5
申请日：2003-10-31
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种滤光片式分光元件，它是通过设计一系列透射峰位连续的超窄带通滤光片，并将其集成在一起形成滤光片式的分光元件。它包括：二片衬底，二片衬底的一表面各镀有完全相同的无序型膜系，在二无序型膜系之间的四周边缘粘有高分子聚合物材料制成的微米小球胶，使其真空密封固定成一体，中间形成一真空层。其中一片衬底的无序型膜系是镀在深浅渐变的凹槽列阵上的。本发明的分光元件结构简单、体积小，分出的光束单色性好。如果加上入射狭缝和出射狭缝就可以构成一个完整的单色仪，非常有利于与其它系统的组合，构成各种光谱测量系统。
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公开(公告)号：CN1168961C
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN02111390.4
申请日：2002-04-16
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明提供了一种采用光学读出的室温红外焦平面探测器，该器件包括：带恒温加热器的芯片、窄带滤光片、半导体激光器和Si CCD面阵器件。其特征是：当一束波长在可见或近红外区域的半导体激光与被探测红外光同时入射到芯片中时、利用芯片中的VO2薄膜层的光学透过率在金属-半导体相变前后发生锐变的性质，将红外光信号转换成可见或近红外激光信号，从而直接采用光学读出的Si CCD进行信号读出。本发明的最大优点是可以很方便地将红外图象转变成可见光图象，从而把相对不成熟的红外光电探测技术转化成十分成熟的可见光波段的光电探测技术，并直接与Si CCD这一发展得十分成熟的技术相结合，大大地简化了器件的制备工艺。
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公开(公告)号：CN1159602C
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN02111812.4
申请日：2002-05-23
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种采用金属光子晶体结构的可见光波段高偏振度偏振光束分离器。包括：在衬底上构成二维阵列结构的介质棒，所说的二维阵列结构可以是正方格子或六角格子等，所说的介质棒是由金属材料构成的，介质棒之间嵌有SiO2。本发明提供的偏振器结构不同于传统的偏振器，它可以通过只改变金属棒的半径和晶格常数R/a的比，预先设计工作波段，并且可以得到高的偏振度和透射率。
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公开(公告)号：CN1471177A
公开(公告)日：2004-01-28
申请号：CN03129508.8
申请日：2003-06-26
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种提高InAs/GaAs量子点半导体材料发光效率的方法，其特征在于本发明提出的离子注入方法区别于传统的离子注入技术中注入离子最终停留区域的选择。传统的离子注入技术应用中为了尽可能地减小因离子注入导致的缺陷增殖数量，通常将注入离子的最终停留区域选择在衬底上，避免体现发光功能材料区域的缺陷增殖数量的急剧上升。本发明提出了直接将注入离子停留在量子点区域，同时选择了有效的质子注入和注入工艺条件，结合相应的快速热退火工艺，使得最终离子注入技术得以成功地提高量子点材料的发光效率。
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