-
公开(公告)号：CN1226774C
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN03142205.5
申请日：2003-08-11
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所 , 华东师范大学
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/822
摘要： 本发明公开了一种适合于制造射频电路的含氧化多孔硅的低阻硅衬底。该衬底的一个表面由区域1和区域2甚至区域3组成，区域1是低阻硅区域，区域2和区域3是形成在低阻硅衬底上的含氧化多孔硅区域。在区域1上适合于制造有源器件，在区域2、区域3上适合于制造无源器件，由此达到在低阻硅上制造射频、微波和毫米波波段等单片集成电路的目的。同时本发明还公开了该衬底的制备，包括：以低阻硅为原料，用金属或氮化硅做掩膜，选择区域形成多孔硅，氧化，涂敷聚酰亚胺，成膜、亚胺化等四步。本发明的优点是可以满足不同射频电路对衬底的要求。同时可以极大降低低阻硅衬底的阻抗损耗和导体损耗；可以使无源元器件和有源元器件集成在一片低阻硅衬底上。
-
公开(公告)号：CN1688014A
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：CN200510025732.7
申请日：2005-05-11
申请人： 华东师范大学 , 中国科学院上海技术物理研究所
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 一种异质键合晶片的制备方法和应用，属光电子器材集成和应用的技术领域。低温直接键合的两片异质材料分别是制备有ROIC的硅晶片和制备有IP薄膜的GaAs晶片，先按照0.25μmULSI中的铜互连的化学机械平坦化工艺，使所述的硅晶片表面光滑、平整、清洁；接着，在低温下，使表面同样光滑、平整、清洁的所述的GaAs晶片与所述的硅晶片对位、预键合、低温热处理，至所述的两个异质晶片直接键合在一起，得到异质键合物；然后减薄异质键合物GaAs的厚度至20～30μm；再用ICP高密度反应离子选择刻蚀剩余的GaAs至终止层；最后用湿法蚀去终止层，得到产品，异质键合晶片。异质键合晶片可用来制作低价格的IP－ROIC的IRFPA。本发明具有制造成本低、产品超高机械强度高、可靠性好等优点。
-
公开(公告)号：CN1638135A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410084793.6
申请日：2004-12-01
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所 , 华东师范大学
摘要： 本发明公开了一种降低铟柱焊点应力的焦平面器件，包括：阵列探测器光敏元芯片，通过铟柱与阵列探测器光敏元芯片互连的硅信号读出电路，其特征在于：在用于电学互连铟柱区域边添加1～2个较大底面积的降应力铟柱，或在面阵电学互连铟柱2区域外围四周，添加1～2排较大底面积的降应力铟柱。较大底面积的降应力铟柱尺寸的选择及精确定位是通过ANSYS有限元分析软件编程，在PC机WIN2000平台上运行。这种结构可使铟柱焊点应力下降70％左右，可以基本缓解互连封装铟柱焊点应力造成的可靠性降低，并且只需常规工艺就可制备。
-
公开(公告)号：CN1484280A
公开(公告)日：2004-03-24
申请号：CN03142205.5
申请日：2003-08-11
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所 , 华东师范大学
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/822
摘要： 本发明公开了一种适合于制造射频电路的含氧化多孔硅的低阻硅衬底。该衬底的一个表面由区域1和区域2甚至区域3组成，区域1是低阻硅区域，区域2和区域3是形成在低阻硅衬底上的含氧化多孔硅区域。在区域1上适合于制造有源器件，在区域2、区域3上适合于制造无源器件，由此达到在低阻硅上制造射频、微波和毫米波波段等单片集成电路的目的。同时本发明还公开了该衬底的制备，包括：以低阻硅为原料，用金属或氮化硅做掩膜，选择区域形成多孔硅，氧化，涂敷聚酰亚胺，成膜、亚胺化等四步。本发明的优点是可以满足不同射频电路对衬底的要求。同时可以极大降低低阻硅衬底的阻抗损耗和导体损耗；可以使无源元器件和有源元器件集成在一片低阻硅衬底上。
-
公开(公告)号：CN100524710C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200410084793.6
申请日：2004-12-01
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所 , 华东师范大学
摘要： 本发明公开了一种降低铟柱焊点应力的焦平面器件，包括：阵列探测器光敏元芯片，通过铟柱与阵列探测器光敏元芯片互连的硅信号读出电路，其特征在于：在用于电学互连铟柱区域边添加1～2个较大底面积的降应力铟柱，或在面阵电学互连铟柱2区域外围四周，添加1～2排较大底面积的降应力铟柱。较大底面积的降应力铟柱尺寸的选择及精确定位是通过ANSYS有限元分析软件编程，在PC机WIN2000平台上运行。这种结构可使铟柱焊点应力下降70%左右，可以基本缓解互连封装铟柱焊点应力造成的可靠性降低，并且只需常规工艺就可制备。
-
公开(公告)号：CN1787234A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200510027144.7
申请日：2005-06-24
申请人： 华东师范大学 , 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 一种量子阱红外探测器(QWIP)焦平面(FPA)的制备方法，制备从两异质晶片，硅晶片和GaAs晶片开始，硅晶片和GaAs晶片上分别制有硅基读出集成电路和终止层、下电极层、量子阱层、上电极层、二维光栅，首先用化学机械平坦化工艺，使制有硅基读出集成电路的硅晶片的表面光滑、平整、清洁，接着在把同样光滑、平整、清洁的GaAs晶片的上电极与硅晶片上的对应的金属电极对位，用低温异质晶片键合方法对两晶片进行预键合、低温热处理，直至两晶片键合在一起，然后减薄GaAs晶片的籿底，选择刻蚀蚀去剩余的籿底，用腐蚀液蚀去终止层，最后完成量子阱红外探测器与硅基读出集成电路对应电极的连接，得产品，量子阱红外探测器焦平面。该方法具有制造成本低、产品机械强度高和可靠性好等优点。
-
公开(公告)号：CN100442545C
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200510027144.7
申请日：2005-06-24
申请人： 华东师范大学 , 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 一种量子阱红外探测器(QWIP)焦平面(FPA)的制备方法，制备从两异质晶片，硅晶片和GaAs晶片开始，硅晶片和GaAs晶片上分别制有硅基读出集成电路和终止层、下电极层、量子阱层、上电极层、二维光栅，首先用化学机械平坦化工艺，使制有硅基读出集成电路的硅晶片的表面光滑、平整、清洁，接着在把同样光滑、平整、清洁的GaAs晶片的上电极与硅晶片上的对应的金属电极对位，用低温异质晶片键合方法对两晶片进行预键合、低温热处理，直至两晶片键合在一起，然后减薄GaAs晶片的衬底，选择刻蚀蚀去剩余的衬底，用腐蚀液蚀去终止层，最后完成量子阱红外探测器与硅基读出集成电路对应电极的连接，得产品，量子阱红外探测器焦平面。该方法具有制造成本低、产品机械强度高和可靠性好等优点。
-
公开(公告)号：CN100345248C
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200510025732.7
申请日：2005-05-11
申请人： 华东师范大学 , 中国科学院上海技术物理研究所
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 一种异质键合晶片的制备方法和应用，属光电子器材集成和应用的技术领域。低温直接键合的两片异质材料分别是制备有ROIC的硅晶片和制备有IP薄膜的GaAs晶片，先按照0.25μm ULSI中的铜互连的化学机械平坦化工艺，使所述的硅晶片表面光滑、平整、清洁；接着，在低温下，使表面同样光滑、平整、清洁的所述的GaAs晶片与所述的硅晶片对位、预键合、低温热处理，至所述的两个异质晶片直接键合在一起，得到异质键合物；然后减薄异质键合物GaAs的厚度至20～30μm；再用ICP高密度反应离子选择刻蚀剩余的GaAs至终止层；最后用湿法蚀去终止层，得到产品，异质键合晶片。异质键合晶片可用来制作低价格的IP-ROIC的IRFPA。本发明具有制造成本低、产品超高机械强度高、可靠性好等优点。
-
公开(公告)号：CN106791512A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611071842.1
申请日：2016-11-29
申请人： 华东师范大学
摘要： 本发明公开了一种积分电容自动可调的读出电路，其特点是放大器读出电路设有可调电路进行积分电容的自动调控，所述自动可调电路由施密特触发器L与D触发器D 1和D触发器D 2组成，所述施密特触发器L的输出端与D触发器D 1和D触发器D 2的clk端并接，施密特触发器L的输入端与运放器OP的输出端连接后为Vout端；D触发器D 1的Q端与D触发器D 2的D端连接；所述D触发器D 1的Q端与D触发器D 2的D端并接后接入开关K2进行积分电容的自动调控；所述D触发器D 2的Q端接入开关K1进行积分电容的自动调控。本发明与现有技术相比具有结构简单，灵敏度高，增益的调节更加灵活，提高了电路的智能化，也增大了读出电路的动态范围，实现了大动态范围的读出。
-
公开(公告)号：CN105548033A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201610024715.X
申请日：2016-01-15
申请人： 华东师范大学
IPC分类号： G01N21/25
CPC分类号： G01N21/25
摘要： 本发明公开了一种量子点嵌入式光谱仪，其特点是所述读出电路由PCB基板采用一空四线硅穿孔的连接方式与量子点探测器对接组成小型封装结构，封装后的读出电路分别与预处理模块和时序驱动电路连接，预处理模块与A/D转换和FPGA处理器依次串接后与时序驱动电路连接，FPGA处理器串接WiFi模块后与APP手机终端连接。本发明与现有技术相比具有高灵敏度、高信噪比和大响应率，对量子点进行调控组成不同波长的探测阵列，能够探测到1.5 um或更大波长的范围，可在及其微弱光的条件下完成光谱数据采集，大大减小了布板面积以及功耗，通过WIFI传输数据到手机APP进行光谱数据显示和处理，满足了智能化、小型化和轻量化的需求。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
82 条记录 (耗时 0.042 秒)