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公开(公告)号：CN1121053C
公开(公告)日：2003-09-10
申请号：CN00117112.7
申请日：2000-05-27
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明涉及一种场致电子发射表面层结构及其制造方法。在布满腐蚀坑的衬底硅(111)面上沉积有一层非连续的、呈分立岛形状的金刚石颗粒表面层，构成阀值电场低的冷阴极电子发射表面层结构。由于该表面层结构具有优良的场致发射特性，适合于各种面积(包括12英寸以上大面积)的硅表面。因此适合于制作平板显示器所需的大面积冷阴极电子源上的应用。
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公开(公告)号：CN1388267A
公开(公告)日：2003-01-01
申请号：CN02114979.8
申请日：2002-03-20
Applicant: 中山大学
CPC classification number: B81C1/00111 , B81B2201/055 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种微尖锥定位镀膜的方法。所述的方法采用的工艺步骤如下:(1)锥尖暴露高度确定:在整个尖锥器件表面沉积覆盖层,采用薄膜削薄技术,减小表面覆盖层厚度,露出锥尖顶端,而锥体仍被覆盖;通过调节薄膜削薄参数,控制锥尖露出高度;(2)表面处理和钝化:根据实际需要,对露出锥尖进行表面净化处理和钝化保护。(3)薄膜沉积:根据实际需要,在锥尖顶端沉积上一层所需薄膜材料;(4)器件表面覆盖层剥离:采用选择性腐蚀方式,剥离器件表面覆盖层,形成锥尖定位镀膜器件。所述的微尖锥定位镀膜的方法,可对尖锥进行锥尖定位净化和镀膜。
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公开(公告)号：CN119958690A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510100010.0
申请日：2025-01-22
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明涉及太赫兹微纳探测器技术领域，公开了一种基于原子谐振腔的多功能太赫兹微纳探测器件及制备方法，探测器件包括：衬底、金属电极和非对称极化激元结构；金属电极包括源极金属电极和漏极金属电极，非对称极化激元结构包括极化激元原子谐振腔结构和极化激元薄膜；源极金属电极、极化激元原子谐振腔结构、极化激元薄膜和漏极金属电极依次相连；极化激元原子谐振腔结构由若干个原子谐振腔基元按照行列规则排布组成，每行中的各个所述原子谐振腔基元通过极化激元材料导通条带连接导通。本发明提供的探测器件不仅能够增加对太赫兹波的吸收，并且具有探测光谱范围覆盖太赫兹频段且小型化的优点，能够实现对太赫兹波的高速响应和多功能探测。
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公开(公告)号：CN119698090A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411646859.X
申请日：2024-11-18
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明涉及光电探测器领域，更具体地，涉及一种光电倍增型探测器及制备方法，本发明包括阳极基板、阴极基板和隔离体，所述阳极基板和阴极基板平行相对设置，所述阳极基板和阴极基板的表面均设置有光电导层，所述光电导层之间为真空状态，所述光电导层均为尖锥结构，本发明利用电子在真空中输运无散射特性实现高能电子与光电导体的碰撞电离和光电倍增效应，另一方面利用纳米尖锥结构光电导层调控电场分布和比表面积，提高电子输运效率和电荷收集效率，从而实现大面积、高灵敏度、低暗电流、快速响应和长寿命的光电探测器。
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公开(公告)号：CN115000108B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202210631008.2
申请日：2022-06-06
Applicant: 中山大学
IPC: H10F39/12
Abstract: 本发明涉及真空微纳电子的技术领域，更具体地，涉及一种高压TFT驱动的可寻址平板X射线源及其制备方法，高压TFT包括底栅电极和顶栅电极，设于栅极绝缘层顶部的有源层包括若干个并联的沟道，相邻沟道之间形成有间隙，底栅电极与顶栅电极一起形成双栅极结构，增强对高压TFT栅控部分沟道的调控作用，能有效的改善高压TFT的阈值电压和亚阈值摆幅，并提高饱和电流；相邻沟道之间的间隙可增强散热效果，保证器件不会发生热击穿的问题，并联的沟道结构使双栅极高压TFT在实现大电流的同时，保证其耐压性能，从而满足平板X射线源对驱动单元高工作电压和大工作电流的要求，实现高电压、大电流、高分辨且可精准调控电流的可寻址平板X射线源。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119584684A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411727403.6
申请日：2024-11-28
Applicant: 中山大学
IPC: H10F71/00 , H10F77/169 , H10F30/222 , H10F77/12
Abstract: 本发明涉及光探测器领域，更具体地，涉及一种氧化镓光探测器及制备方法，本发明在衬底表面制备预设元素掺杂的氧化镓薄膜，对预设元素掺杂的氧化镓薄膜表面的预设区域同时进行激光照射和离子轰击处理，得到用于电荷传输的空间电荷区。本发明还公开了氧化镓光探测器。本发明通过掺杂技术，不仅调控了氧化镓薄膜的电学特性，又降低了氧化镓的结晶温度，并通过同时对氧化镓薄膜进行激光照射和离子轰击处理，实现氧化镓薄膜的空间电荷区的定域制备，从而实现高灵敏度光探测器。
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公开(公告)号：CN119208115A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411338292.X
申请日：2024-09-25
Applicant: 中山大学
IPC: H01J35/06
Abstract: 本发明公开一种光寻址冷阴极平板X射线源，包括：阳极基板，阳极基板包括阳极衬底、设置在阳极衬底上的阳极电极和设置于阳极电极上的阳极靶；阴极基板，阴极基板包括阴极衬底、设置在阴极衬底上的阴极电极和设置于阴极电极上的冷阴极发射体阵列；隔离体，隔离体隔开阳极基板和阴极基板，阳极基板和阴极基板之间为真空状态；光源基板，光源基板包括发光体阵列，发光体阵列的空间排布与冷阴极发射体阵列的空间排布相同，发光体阵列发出的光照射冷阴极发射体阵列，冷阴极发射体阵列对应的冷阴极发射体发射电子并轰击阳极靶后辐射X射线。本发明通过设置发光体阵列，激发冷阴极发射体发射电子并轰击阳极靶后辐射X射线，实现可寻址的平板X射线源，不仅降低了器件制备成本，还解决了复杂的冷阴极结构容易引起放电问题，从而提高平板X射线源的工作稳定性、可靠性和寿命。
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公开(公告)号：CN119170466A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411300952.5
申请日：2024-09-18
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明提出一种双层场发射冷阴极电子源及其制造方法，涉及纳米电子技术领域，所述双层场发射冷阴极电子源包括从下至上依次连接的第一阴极、绝缘层、第二阴极和栅极；所述第一阴极包括导电衬底和第一层场发射体，第一层场发射体设置于导电衬底的上表面；所述第二阴极包括导电网格和第二层场发射体，第二层场发射体设置于导电网格的上表面，通过提高冷阴极发射体的有效发射面积，提升了场发射电流和电流密度；其制造方法简单、通用性高、可重复性高，有利于场发射电子源的电流提升，为推进大电流电子源在真空微电子器件应用提供了可行方案。
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公开(公告)号：CN118825118A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410879892.0
申请日：2024-07-02
Applicant: 中山大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于光探测领域，更具体地，涉及一种双栅薄膜晶体管驱动的真空冷阴极平板光探测器及其制备方法，所述平板光探测器包括光电导阳极基板和冷阴极基板，所述光电导阳极基板包括阳极衬底，设置在阳极衬底上的阳极电极，设置在阳极电极上的光电响应层，所述冷阴极基板包括阴极衬底，设置在阴极衬底上的双栅薄膜晶体管，设置在双栅薄膜晶体管上的冷阴极发射体，所述光电响应层和所述冷阴极发射体通过隔离体相对隔开并保持真空状态，本发明通过电子轰击诱导光电导效应的光电倍增机制和薄膜晶体管亚阈值区电流放大效应的光电倍增机制，提高光探测器的灵敏度，该真空冷阴极平板光探测器还可以实现高分辨率和宽线性动态范围光电探测。
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公开(公告)号：CN118688231A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410672868.X
申请日：2024-05-28
Applicant: 中山大学
IPC: G01N23/18 , G01N23/046
Abstract: 本发明公开一种高通量、高分辨率芯片缺陷检测系统和方法，所述检测系统由可寻址平板X射线源和平板探测器组成。所述可寻址平板X射线源器件由可寻址纳米冷阴极电子源和阳极靶组成。成像时，可寻址平板X射线源靠近成像物体，实现高放大倍率从而提高成像高分辨。可寻址平板X射线源器件不同区域位置的单个X射线源并行地对相对应区域成像物体上相对应区域进行照射，实现数字化投影成像。此外，可通过每个区域内的可寻址电子源按照预设程序驱动工作，使该区域单元中的多个X射线源按次序发光扫描，探测器获得图像并结合图像重构算法，实现计算机断层扫描成像。上述方法通过X射线源同时发光并行工作，有效地解决了单焦点检测速度慢的问题，可成倍提升检测速度，实现高通量。本发明的高通量、高分辨率X射线缺陷检测系统和方法在芯片、三维集成电路、电路板、锂电池等电子产品的无损检测具有重要应用。
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