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公开(公告)号：CN119571281A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202311138356.7
申请日：2023-09-05
Applicant: 东北大学
Abstract: 本发明公开了一种利用热处理改善内冷通道简单铝化物涂层抗热腐蚀性能的方法，属于材料表面处理与改性技术领域。该处理方法先通过化学气相沉积工艺在镍基高温合金表面制备简单铝化物涂层，再采用热处理方法即将涂层样品在空气环境下于马弗炉中加热至1000℃并保温20h，获得厚度约2‑3.5μm的连续致密的α‑Al2O3膜，实现其抗热腐蚀能力的提升。该发明工艺简单，成本低廉，且抗热腐蚀效果显著。与未经热处理的涂层样品相比，热处理后的样品腐蚀增重明显降低，腐蚀期间其腐蚀膜相比未经热处理涂层样品的腐蚀膜更为连续致密，抗热腐蚀性能更为优异。
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公开(公告)号：CN119530756A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202510110284.8
申请日：2025-01-23
Applicant: 西北工业大学
IPC: C23C16/32 , C30B33/02 , C23C16/02 , C23C16/04 , H01L21/687 , H01L21/324
Abstract: 本发明公开了一种SiC边缘环及其制备方法和应用，涉及半导体器件技术领域。所述方法包括制备环状的SiC陶瓷芯层；对SiC陶瓷芯层进行致密化处理；在致密化处理后的SiC陶瓷芯层的上表面和下表面分别沉积SiC涂层，得到SiC边缘环。本发明通过致密化处理有助于降低SiC陶瓷芯层的孔隙率，并在SiC陶瓷芯层表面沉积厚度精确可控的SiC涂层，避免了芯层与表面涂层之间的热失配而导致表面涂层开裂、脱落的问题。
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公开(公告)号：CN119506835A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411147613.8
申请日：2024-08-21
Applicant: ASM IP私人控股有限公司
IPC: C23C16/455 , H01J37/32 , C23C16/40 , C23C16/04
Abstract: 本公开涉及相对于半导体衬底的第二表面在同一衬底的第一表面上选择性地沉积氧化物材料层的方法、半导体处理组件以及包括根据本公开沉积的氧化物材料层的氧化物材料层、结构和器件。在该方法中，使用包含硅或金属的第一前体和包含烷氧基的第二前体选择性地沉积氧化物材料层。第二表面可被钝化以防止氧化物材料的沉积。
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公开(公告)号：CN118291951B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202410415912.9
申请日：2024-04-08
Applicant: 合肥安德科铭半导体科技有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/04 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种有机小分子抑制剂及其在薄膜沉积中的应用方法，属于半导体加工技术领域，抑制剂包括尿素类化合物、氨基酸类化合物和脒类化合物，应用方法如下：将HAR衬底放入原子层沉积设备中，将有机小分子抑制剂装在不锈钢源瓶中以脉冲形式通入反应腔，将前驱体装在不锈钢源瓶中，用惰性气体作为载气，将前驱体以脉冲形式通入反应腔；向反应腔中以脉冲形式通入氧源，生成氧化物薄膜；向反应腔中通入惰性气体，吹扫过量的氧源和反应副产物，重复上述步骤，直到达到预设厚度，相比已报道的抑制剂分子，本发明抑制剂的分子结构上具有两个或多于两个的N、O原子，会形成多个氢键，具有更好的抑制效果，显著提高台阶覆盖率。
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公开(公告)号：CN113287066B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN201980088518.6
申请日：2019-12-11
Applicant: 激光影像系统有限责任公司
Abstract: 本发明所解决的问题在于提供一种用于加工平板工件(6)的新颖选择，其中，仅利用一个加工单元(4)可实现特别高的生产率和改进的精度。根据本发明解决该问题在于可移动工作台系统(2)包括在共用轨道布置(23)上的两个相同的工作台(21、22)，共用轨道布置(23)具有在检测单元(3)和加工单元(4)下方的线性轨道区域，并且因此工作台(21、22)可以完全在检测单元(3)和加工单元(4)下方沿着共用轨道布置(23)在相同的工作台移动方向交替地直线移动，并且工作台(21、22)可以由计算机单元(5)独立地控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115747754B
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202211387578.8
申请日：2022-11-07
Applicant: 广东中图半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明实施例公开了一种利用静电纺丝制备图形化衬底的方法及图形化衬底。该利用静电纺丝制备图形化衬底的方法包括：采用静电纺丝工艺在基底上形成静电纺丝框架，静电纺丝框架包括多条丝状结构，相邻丝状结构之间存在间隙；以静电纺丝框架作为掩膜，在相邻丝状结构之间的间隙中形成图形微结构或掩膜图形；去除静电纺丝框架，保留基底上的图形微结构，形成图形化复合衬底，或者，保留基底上的掩膜图形，再以掩膜图形作为掩膜在基底上形成图形微结构，形成图形化衬底。本发明实施例解决了传统方法不能保证图形化衬底的质量，较难实现纳米级别的图形化衬底的问题，实现了低成本高精度的加工效益。
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公开(公告)号：CN119411099A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411642507.7
申请日：2024-11-15
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
IPC: C23C16/04 , C23C16/458
Abstract: 本公开提供一种气相沉积设备，包括静电吸盘、绝缘支撑部以及平行设置的第一电极板和第二电极板，所述第一电极板靠近所述第二电极板的第一表面上设置有第一凹槽，所述静电吸盘设置于所述第一凹槽内，所述绝缘支撑部设置于所述第一电极板且位于所述第一凹槽外侧，沉积工艺中待沉积基板设置于所述静电吸盘远离所述第一电极板的一侧，金属掩膜版通过所述绝缘支撑部支撑设置于所述待沉积基板远离所述第一电极板的一侧且与所述第一电极板绝缘。与相关技术相比，本公开气相沉积设备可以通过静电力实现金属掩膜版和待沉积基板的紧密贴合，有效降低金属掩膜版与待沉积基板之间的间隙，有利于实现显示面板的窄边框。
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公开(公告)号：CN119392201A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411389204.9
申请日：2024-10-08
Applicant: 无锡松煜科技有限公司
IPC: C23C16/04 , C23C16/32 , C23C16/509 , C23C16/44
Abstract: 本发明属于等离子体镀膜技术领域，涉及一种用于化学气相沉积管式炉的石英管的镀膜设备、镀膜方法及石英管，其中，镀膜设备包括镀膜炉体、设置在镀膜炉体内壁上的外电极、设置在镀膜炉体内腔的内电极、与内电极和外电极电连的射频电源、为镀膜炉体内腔提供热量的加热结构、设置在镀膜炉体内腔的用于支托待镀膜石英管的支托结构以及设置在镀膜炉体端部的进气结构和出气结构，所述外电极与所述内电极之间形成反应区域，镀膜时，待镀膜石英管套设于所述内电极外，位于所述反应区域内。本发明形成于石英管内表面的薄膜，致密性好，厚度均匀性佳，能够有效防止石英管在化学气相沉积过程中的破裂。
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公开(公告)号：CN115244212B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202180018843.2
申请日：2021-03-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/06 , C23C16/14 , C23C16/18 , C23C16/32 , C23C16/455 , C23C16/02 , C23C16/04 , G02B5/08 , G02B1/02
Abstract: 本文描述了用于形成反射膜的方法和装置。在基板表面上形成衬垫，接着形成反射层，以使得在衬垫和反射层的形成之间不存在氧暴露。在一些实施方式中，通过在结构的顶部抑制生长的同时，用反射材料部分填充结构，使基板的顶部再活化，且随后用反射材料填充结构来用反射材料填充高深宽比结构。
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公开(公告)号：CN119287331A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411418999.1
申请日：2024-10-11
Applicant: 江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司
Abstract: 一种夹具组件、镀膜组件及镀膜方法，其中，夹具组件用于夹持至少一个器件，其中每一器件沿延伸方向具有非镀膜区段和待镀膜区段，夹具组件包括：第一夹板和第二夹板，第一夹板和第二夹板具有一开模状态和一合模状态，在开模状态，第一夹板和第二夹板相互分离，在合模状态，第一夹板和第二夹板相互结合形成一容纳腔，容纳腔适于容纳至少一个器件的非镀膜区段，至少一个器件的待镀膜区段暴露于容纳腔外；可移除的定位部，包括第一区域，第一夹板和第二夹板在第一区域形成合模状态，定位部在第一夹板和第二夹板形成合模状态后被移除。采用本申请的技术方案，能够高效、精准且稳定的对器件的非镀膜区段进行遮蔽。
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