公开(公告)号：CN118895491A

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202410535277.8

申请日：2024-04-30

申请人： EGTM有限公司

发明人： 郑主焕 ,  曺贤植 ,  李汉斌 ,  白善英 ,  崔雄辰 ,  金荷娜 ,  金明镒 ,  曺圭镐

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  C23C16/04 ,  C23C16/40

摘要： 提供了一种根据本公开的示例性实施例的用于区域选择性形成薄膜的方法，包括：将包括生长区域和非生长区域的衬底供应到腔室中并使该衬底稳定的衬底准备步骤；将金属前体化合物供应到腔室中并使金属前体化合物吸附到衬底的前体供应步骤；吹扫腔室内部的吹扫步骤；以及将反应材料供应到腔室中以与金属前体化合物反应并形成薄膜的薄膜形成步骤，其中金属前体化合物是由以下化学式1表示的第5族金属前体化合物。[化学式1]#imgabs0#

公开(公告)号：CN118883988A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202410904700.7

申请日：2024-07-08

申请人： 上海新微技术研发中心有限公司

发明人： 李文兵 ,  乔启峰

IPC分类号： G01P15/03 ,  C23C16/04 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/505 ,  G01D5/353

摘要： 本发明提供一种干涉型FP腔光机加速度传感器，包括依次键合在一起的顶盖层、功能层以及底盖层晶圆；所述顶盖层内表面以及底盖层上表面均开设有相同形状的凹槽，且顶盖层凹槽与底盖层凹槽接合，形成一个具有一定体积的空腔；所述功能层放置在所述空腔内，所述功能层包括悬臂梁以及与悬臂梁连接的质量块；所述顶盖层的内表面以及所述质量块的上表面均设置有分布布拉格式高反膜。本发明还提供了一种干涉型FP腔光机加速度传感器的制造方法，通过分别制作顶盖层、功能层以及底盖层，且完成顶盖层、功能层以及底盖层的制作后，将三片晶圆顺序键合，垂直集成在一起形成一个加速度传感器。本发明提供的加速度传感器，具有制造方便制程简易的优点。

公开(公告)号：CN118854248A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410916873.0

申请日：2024-07-10

申请人： 北京工业大学

发明人： 于雪彦 ,  邓军 ,  赵宇辰

IPC分类号： C23C16/04 ,  C23C16/26 ,  C23C16/50 ,  C23C14/04 ,  C23C14/34 ,  C23C14/16 ,  C23C14/18 ,  C23C14/58

摘要： 一种采用多层催化金属结构实现低温原位图形化生长石墨烯的方法，属于半导体光电集成领域。在高催化性能的催化层表面覆盖一层对石墨烯生长无催化作用的金属薄层后，利用PECVD生长设备在指定低温生长温度下对催化层以及无催化作用的金属薄层进行合金退火处理，使得底层的催化金属互扩散到合金催化层表面，最后再通入碳源气体在对应指定低温生长温度下进行石墨烯的生长。催化层和无催化作用的金属薄层形成的合金如镍钨合金催化层能显著降低石墨烯的成核密度，增大单个成核点的石墨烯晶畴尺寸大小，从而改善石墨烯薄膜的单层性、降低其缺陷程度。在本发明中，整个石墨烯的生长流程均在低温下进行，与现行的CMOS工艺相兼容，同时避免了石墨烯薄膜因转移工艺引起的褶皱、沾污和破损。

公开(公告)号：CN114599816B

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202080062904.0

申请日：2020-09-09

申请人： 应用材料公司

发明人： 维希瓦·库马尔·帕迪 ,  克里斯托弗·奥尔森 ,  雷内·乔治 ,  埃里克·肖诺 ,  劳拉·哈夫雷查克 ,  埃里卡·汉森 ,  托宾·卡芙曼·奥斯本 ,  汉瑟·劳 ,  卡尔蒂克·萨哈

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/52 ,  C23C16/04 ,  H01L21/67

摘要： 本文描述的实施方式总体涉及输送反应物气体的处理系统和方法。处理系统包括基板支撑系统、注入锥和进口。注入锥包括线性舵。线性舵设置成使得反应物气体通过注入锥的流动造成在基板的特定部分上的膜生长。方法包括以下步骤：使气体流动通过注入锥并且将气体输送到下面的基板上。反应物气体的局部化允许在基板的特定部分上的膜生长。

公开(公告)号：CN118830055A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202380025594.9

申请日：2023-03-27

申请人： HPSP有限公司

发明人： 赵星吉

IPC分类号： H01L21/02 ,  C23C16/04 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67

摘要： 本发明提供高压基板处理装置以及利用其的基板用高压化学气相沉积方法，所述高压基板处理装置，包括：腔室，具备用于容纳待处理基板的内部空间；流体供应模块，构成为与所述内部空间相连通，并对所述待处理基板供应流体；以及第一排气模块以及第二排气模块，构成为与所述内部空间相连通，并向彼此不同的路径排放所述流体，所述第一排气模块对所述内部空间的压力的调节量小于所述第二排气模块对所述内部空间的压力的调节量，所述第一排气模块仅在所述内部空间处于高于常压的高压时运行。

公开(公告)号：CN118814146A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410877876.8

申请日：2024-07-02

申请人： 安徽旭合新能源科技有限公司

发明人： 许佳平 ,  秦臻 ,  李宝磊 ,  王波 ,  路忠林 ,  都有为 ,  但艾秋

IPC分类号： C23C16/54 ,  C23C16/46 ,  C23C16/04 ,  C23C16/507

摘要： 本发明公开了一种链式局域镀膜设备和镀膜方法，包括反应仓与传输组件，所述反应仓内顺着传输组件输送电池片的方向依次设置有进料腔、缓冲腔、工艺腔与出料腔，各腔体前后设置有闸门，还包括：第一加热件，其设置在工艺腔内；供气管路，其排气端设置在工艺腔内；激发单元，其设置有多个，在工艺腔内以宽度方向分布。本发明通过设置多个激发单元，在电池片进入工艺腔中，经过激发单元下方时，激发单元通电以在其与电池片之间激发反应气体以实现局域镀膜，由于多个激发单元设置不同工作频率、尺寸和位置，从而可实现不同位置的局域镀膜，并使对应区域调制出不同的膜厚和折射率，进而可呈现不同条状颜色。

公开(公告)号：CN118804996A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202380025241.9

申请日：2023-02-27

申请人： 爱恩卡夫特有限责任公司

发明人： M·亚瑞兹

IPC分类号： C23C16/40 ,  C23C16/511 ,  C23C16/515 ,  C23C16/04 ,  C23C16/02 ,  C08J7/04 ,  C08J7/048 ,  B05D1/00

摘要： 本发明涉及通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)进行塑料涂层的领域。通过本发明，特别是用于储存侵蚀性化学品的可回收再利用的塑料容器能够被涂覆稳定的迁移屏障。本发明公开了一种工艺和一种涂层。利用该工艺，可以由至少一种前体和反应气体的工艺气体混合物沉积涂层，该反应气体被激发形成等离子体。通过调整工艺气体混合物中的反应气体含量和改变与质量相关的激发能量，可以在塑料基板上沉积梯度涂层而产生化学抗性的迁移屏障。

公开(公告)号：CN118792706A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202411287748.4

申请日：2024-09-14

申请人： 浙江微针半导体有限公司

发明人： 刘红军 ,  林隆 ,  舒朝琴

IPC分类号： C25D1/04 ,  C23C16/06 ,  C23C16/04 ,  C23C16/455 ,  C23C16/01 ,  C25D3/48 ,  C25D3/56 ,  B82Y15/00 ,  C25D11/24 ,  C23C28/02 ,  B81C1/00 ,  B82Y40/00 ,  G01R1/067

摘要： 本发明公开了一种基于原子层沉积技术的MEMS探针制作方法，以多孔阳极氧化铝为衬底，将其纳米孔道蚀刻成探针模具，在探针模具内进行原子层沉积，形成堆叠的多层金属层；对顶部金属层进行CMP处理后，脱模即可得到MEMS探针。本发明采用了原子层沉积技术来制备MEMS探针的超薄金属层，原子层沉积技术能够实现单原子层逐次沉积，从而精确控制薄膜的厚度和成分，这对于制造高性能的MEMS探针至关重要。

公开(公告)号：CN118786517A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202380023496.1

申请日：2023-02-17

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 谢耀宗 ,  马修·伯特伦·爱德华·格里菲思 ,  罗郑硕 ,  照健·史蒂文·黎 ,  大卫·约瑟夫·曼迪亚

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/285 ,  H01L21/02 ,  C23C16/02 ,  C23C16/04 ,  C23C16/06

摘要： 提供了一种用于填充半导体衬底经保形层加衬的特征的有效率方法，该方法利用金属前体以在特征的底部处选择性地沉积金属以及从特征侧壁蚀刻保形层衬垫。

公开(公告)号：CN118726948A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410742966.6

申请日：2024-06-07

申请人： 环晟光伏(江苏)有限公司

发明人： 宋楠 ,  钱明明 ,  俞超

IPC分类号： C23C16/458 ,  C23C16/04 ,  C23C16/50 ,  C23C16/34 ,  H01L21/673 ,  H01L31/18

摘要： 本发明提供了一种用于PECVD镀膜的石墨舟组及太阳能电池，涉及光伏电池技术领域。所述石墨舟组包括第一石墨舟和第二石墨舟；其中，所述第一石墨舟上设置若干卡点用于固定基片的一面；所述第二石墨舟上设置若干卡点用于固定基片的另一面；所述第一石墨舟上的若干卡点与第二石墨舟上的若干卡点错位设置。本申请通过上述石墨舟的设置将原先电池正背面两次镀膜使用相同的石墨舟改为正背两面使用不同石墨舟，使正背两次镀膜的卡点位置没有机会在硅片的侧立面上重合于同一点，进而可以使PECVD镀膜过程中“卡点印”处的绝缘膜层增厚，从而缓解了后续电镀工艺在“卡点印”处漏电导致的太阳能电池质量问题。