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公开(公告)号：CN116661253A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310467568.3
申请日：2023-04-25
Abstract: 本申请涉及一种矢量三维灰度激光直写光刻方法、装置及系统。方法包括：基于待刻写结构的二维灰度图生成若干组三维灰度刻写数据；每一组三维灰度刻写数据表示一个拼接单元；将每组三维灰度刻写数据转化为矢量刻写数据和扫描位置数据；将矢量刻写数据输出至高速光调制器件控制刻写激光的强度，将扫描位置数据输出至扫描器件控制刻写激光的扫描位置，直到完成对所有拼接单元的刻写。采用本方法能够实现矢量刻写控制，回避非必要区域刻写，有效提高刻写效率，并将传统的层切数据替换为灰度层切数据，解决了逐层刻写过程中层与层之间的台阶问题。
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公开(公告)号：CN116387336B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310641870.6
申请日：2023-06-01
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L27/146 , H01L27/02 , H04N25/77
Abstract: 本发明公开了一种基于TFT背板的轮廓增强传感器、阵列版图及设计方法，本发明以一种包含光敏电阻、电阻、TFT晶体管等器件结合的电路作为核心像素电路，其中传感器的光敏器件与TFT背板使用异构集成工艺进行结合。本发明通过将光敏器件集成在TFT背板上，同时以TFT器件技术为核心进行像素区周边的驱动电路或者读出电路的设计，也兼容集成驱动芯片和读出电路芯片绑定于TFT背板上，且得益于TFT背板可大面积制备的优势，可实现一种集成度高、大规模和高分辨率的阵列轮廓增强传感器。
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公开(公告)号：CN116577964A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310706399.4
申请日：2023-06-15
IPC: G03F7/004 , G03F7/20 , G03F7/30 , G03F7/40 , G03F7/16 , G03F7/038 , C08F220/32 , C08F212/08 , C08F220/20
Abstract: 本发明公开了一种基于三元聚合物的阳离子型双光子光刻胶及其图案化方法。所述阳离子型双光子光刻胶包含6‑30wt％的三元聚合物成膜树脂、0‑9wt％活性单体、0.5‑5wt％光酸型引发剂和65‑89.5wt％溶剂；所述的三元聚合物成膜树脂的结构式如式(I)所示，是以苯乙烯、式(II)所示的含金刚烷基甲基丙烯酸甲酯和甲基丙烯酸缩水甘油酯为反应单体，加入引发剂，通过自由基聚合反应合成。本发明通过将苯基、羟基和金刚烷等基团引入到聚合物中，提高了阳离子型光刻胶的附着力和抗蚀刻能力，可以提高图案的分辨率，以满足图案化制造需求。此外，在光刻胶体系中引入小分子单体，增加交联度，使得光刻胶具有较强的机械性能。
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公开(公告)号：CN116449648A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310274942.8
申请日：2023-03-17
Abstract: 本发明公开了一种具有高精度和低表面粗糙度的飞秒激光直写光刻胶及其应用。所述光刻胶包含单体和光引发剂，所述单体包含稀释单体和直写单体；所述的稀释单体通过如下方法制备：式(I)所示的异氰酸酯丙烯酸酯中的至少一种与式(II)所示的全氟二醇中的至少一种反应生成含氟丙烯酸酯，以该含氟丙烯酸酯为稀释单体。本发明提供了所述的光刻胶在飞秒激光直写制备微结构中的应用。本发明不仅可使飞秒激光直写结构具有较高的直写精度，而且可使其具有较低的表面粗糙度，还能增强直写结构与基底的附着力。CH2＝CR2‑C(O)‑(O‑R3)m‑NCO(I)HO‑CH2‑R1‑CH2‑OH(II)
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公开(公告)号：CN115996515B
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202310277812.X
申请日：2023-03-21
Abstract: 本申请涉及一种电路板和转接器。电路板包括基板、接口组和连接器。基板包括堆叠设置的布线层、第一接地层和第二接地层；所述布线层包括上布线层和下布线层；所述第一接地层和所述第二接地层设置于所述上布线层和所述下布线层之间；所述第一接地层靠近所述上布线层设置；所述第二接地层靠近所述下布线层设置；所述第一接地层与所述第二接地层共用接地端；接口组设置于所述上布线层，用于与输入设备和输出设备连接；所述接口组包括多个与所述布线层电连接的信号接口；连接器设置于所述下布线层，用于与处理器连接；所述连接器与所述布线层电连接；所述信号接口通过所述布线层与所述连接器电连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112286014B
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202011378485.X
申请日：2020-12-01
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于柱状矢量偏振光的超分辨激光打印装置，属于超分辨激光微纳加工领域。直写激光器输出的光束经过声光调制器强度调制后被准直器准直为平行光束，再经过起偏器、1/2波片和涡旋半波片被转化为切向偏振光；抑制激光器输出的光束经过声光调制器强度调制后被准直器准直为平行光束，再经过起偏器、1/2波片和涡旋半波片被转化为径向向偏振光；两个柱状矢量偏振光分别依次经过两个圆锥透镜整形为环形平行光束；之后两束光进行合束变为一路光被高数值孔径物镜聚焦；环形径向偏振光聚焦成为实心光斑，环形切向偏振光聚焦成为空心暗斑；两种光斑的半高全宽都小于同等聚焦条件下的圆偏光形成的光斑，因此可以获得更高的打印分辨率。
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公开(公告)号：CN111983892B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202010909777.5
申请日：2020-09-02
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种光诱导抗氧阻聚飞秒激光光刻胶及制备方法，该光刻胶包括改性富勒烯C60、活性单体、飞秒激光引发剂及溶剂。本发明在飞秒激光光刻胶体系中引入表面具有巯基的改性富勒烯C60，改性富勒烯C60可以在飞秒激光的诱导下，将飞秒激光曝光区光刻胶内的三线态氧分子转化为单线态氧分子，从而抑制三线态氧分子对活性自由基的淬灭作用，达到抗氧阻聚的作用。本发明解决飞秒激光光刻胶中三线态氧气分子对活性自由基的阻聚问题，降低飞秒激光光刻胶的聚合阈值，提高飞秒激光光刻胶的灵敏度和分辨率。
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公开(公告)号：CN116382043A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310399542.X
申请日：2023-04-14
IPC: G03F7/20
Abstract: 本申请涉及一种激光直写系统刻写方法、装置及计算机设备。所述激光直写系统包括图像传感模块、振镜、位移台，所述方法包括：确定所述位移台移动的第一距离与所述图像传感模块像素点对应移动的第二距离之间的第一关系；基于所述第一关系和预设系数确定振镜电压与刻写长度的第二关系；基于所述第二关系对待刻写文件进行刻写。本申请通过确定振镜电压与刻写长度的第二关系，可以在刻写前直接确定当前刻写环境中的最佳系统参数，根据需要刻写的长度精确控制振镜电压，有效提高实际刻写长度的精确度，解决了多视场刻写可能存在的拼接错位问题，无论是在单视场范围内刻写还是大面积刻写的应用场景都能够有效提高刻写准确率，进而提高刻写成功率。
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公开(公告)号：CN115931168B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202310235292.6
申请日：2023-03-13
Applicant: 之江实验室
IPC: G01K11/324 , G01K15/00
Abstract: 本发明公开一种分布式光纤温度传感系统的衰减差补偿方法，该方法考虑了两种拉曼散射光分量的衰减差随温度的变化导致的温度测量误差，在拉曼散射光功率比表达式中的衰减系数项中加入温度相关的补偿因子，并给出补偿后的待测温度表达式以及获取温度补偿因子的表达式的方法，从而消除温度相关的两拉曼散射光分量的衰减差导致的测量误差，使解调出的温度曲线与实际情况更加相符，提高了分布式光纤温度传感系统的测温精度和可靠性。
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公开(公告)号：CN116105891A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310153853.8
申请日：2023-02-10
Applicant: 之江实验室
IPC: G01K11/324 , G01K15/00
Abstract: 本申请实施例提供一种高温传感装置及高温传感装置的标定方法，高温传感装置包括激光发射模块、单晶光纤模块、光学探测模块和数据处理模块；单晶光纤模块包括单晶光纤，单晶光纤用于激光的传输和激发背向散射信号；光学探测模块包括Stokes模块和反Stokes模块。本申请的高温传感装置的标定方法包括：获取单晶光纤在多个温度下的Stokes数据和反Stokes数据；对多个温度下的Stokes数据和反Stokes数据进行降噪处理；计算在多个温度下的反Stokes降噪数据与Stokes降噪数据的AS/S比值，确定温度和AS/S比值关系曲线。本申请的高温传感装置准确性高。
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