一种利用含钛炉渣制备富钛化合物的方法

    公开(公告)号:CN102424915B

    公开(公告)日:2014-01-15

    申请号:CN201110359977.9

    申请日:2011-11-14

    申请人: 北京大学

    IPC分类号: C22B7/04 C22B34/12

    CPC分类号: Y02P10/212

    摘要: 本发明提供了一种利用含钛炉渣制备富钛化合物的方法,其是在1500℃~1600℃下,将含钛高炉渣和高钛电炉渣以重量比1∶1.5~10混合,然后冷却结晶,得到富钛化合物。本发明综合考虑了现场含钛炉渣本身高温等特点,通过将一定量的高钛电炉渣和含钛高炉渣混合来改变炉渣成分,并通过控制结晶条件,促使钛元素富集在富钛化合物(MgTi2O5)x·(Al2TiO5)1-x(x≥0.8)中,提取后的残渣可用于生产水泥。本发明工艺流程短,可充分利用现场炉渣自身高温特性,得到的产物杂质少,无环境污染。

    一种利用含钛高炉渣生产人造金红石的方法

    公开(公告)号:CN102337413A

    公开(公告)日:2012-02-01

    申请号:CN201110359370.0

    申请日:2011-11-14

    申请人: 北京大学

    IPC分类号: C22B7/04 C01G23/047

    CPC分类号: Y02P10/212 Y02P10/242

    摘要: 本发明提供了一种利用含钛高炉渣生产人造金红石的方法,其先在空气或氧气气氛下,用高钛电炉渣和二氧化硅对含钛高炉渣进行改性;然后使改性后的含钛高炉渣在1500℃~1600℃下保温0.5~1h,冷却结晶,得到金红石晶体;最后用选矿方法分离得到金红石晶体。本发明充分利用含钛高炉渣自身高热量的特点,通过对含钛高炉渣进行改性,得到一种二氧化钛品位高的人造金红石,分离后的残渣可用于生产矿渣水泥。本发明工艺流程短、设备简单、可充分利用含钛高炉渣自身携带的热能,产物杂质少、无环境污染。

    补偿电路及辐射探测系统
    45.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101799553A

    公开(公告)日:2010-08-11

    申请号:CN201010138829.X

    申请日:2010-03-19

    申请人: 北京大学

    IPC分类号: G01T1/17 G01T1/15

    摘要: 本发明公开了一种补偿电路及辐射探测系统,该补偿电路设置在辐射探测系统的第一级放大器输出端和第二级放大器输入端之间,该补偿电路包括:两个电阻和一个电容,第一电阻与电容并联,其连接点与第二电阻串联。本发明提供的补偿电路应用在辐射探测系统中,在不影响读出电路第一级环路增益稳定性的前提下,能够增大第二级环路的相位裕度,增加系统的稳定性,提高读出速率;且结构简单,成本低廉,易于实现。

    纳米宽度梁结构的制备方法

    公开(公告)号:CN100478271C

    公开(公告)日:2009-04-15

    申请号:CN200610011781.X

    申请日:2006-04-25

    申请人: 北京大学

    IPC分类号: B82B3/00

    摘要: 本发明提供一种纳米宽度梁结构的加工方法,属于纳电子机械系统(NEMS)加工工艺领域。该方法的工艺流程包括:台阶刻蚀、纳米宽度侧墙形成、纳米宽度梁结构形成和纳米宽度梁结构释放四个步骤。本发明能够加工出纳米宽度的梁结构,准确控制梁结构的纳米级厚度,并且梁结构形状规则,工艺流程简单,不使用湿法腐蚀释放,成品率高,重复性好,效率高。

    一种膀胱癌代谢组学标志物的检测装置

    公开(公告)号:CN217385509U

    公开(公告)日:2022-09-06

    申请号:CN202220940084.7

    申请日:2022-04-21

    IPC分类号: G01N33/48

    摘要: 本实用新型公开了一种膀胱癌代谢组学标志物的检测装置,涉及标志物检测技术领域,解决了内部未设置对应的密封机构,在检测时会因密封效果不佳,导致整个标志物检测数据偏差较大的技术问题;对膀胱癌代谢组学标志物进行检测处理时,预先将膀胱癌代谢组学标志物放置于检测桶内,放置完毕后,外部人员使上置盖旋转覆盖于检测桶内,再直接对转动螺纹杆进行转动,在转动过程中,便带动内置密封垫向内置储纳槽进行移动,移动过程中,环形密封圈便向内置密封槽内部进行移动,在移动过程中,便可提升检测桶的密封性,提升密封效果,通过所设置的密封性,提升代谢物的检测效果。

    补偿电路及辐射探测系统
    49.
    实用新型

    公开(公告)号:CN201707442U

    公开(公告)日:2011-01-12

    申请号:CN201020148034.2

    申请日:2010-03-19

    申请人: 北京大学

    IPC分类号: G01T1/17 G01T1/15

    摘要: 本实用新型公开了一种补偿电路及辐射探测系统,该补偿电路设置在辐射探测系统的第一级放大器输出端和第二级放大器输入端之间,该补偿电路包括:两个电阻和一个电容,第一电阻与电容并联,其连接点与第二电阻串联。本实用新型提供的补偿电路应用在辐射探测系统中,在不影响读出电路第一级环路增益稳定性的前提下,能够增大第二级环路的相位裕度,增加系统的稳定性,提高读出速率;且结构简单,成本低廉,易于实现。

    在线淀积LPCVD多晶硅石英系统保护层装置

    公开(公告)号:CN2295273Y

    公开(公告)日:1998-10-21

    申请号:CN96213793.6

    申请日:1996-06-21

    申请人: 北京大学

    IPC分类号: H01L21/205 C23C16/00

    摘要: 一种在线淀积LPCVD多晶硅石英系统保护层装置,属于半导体集成电路制造工艺中的低压化学汽相淀积技术。现有淀积技术在石英管管壁上未淀积保护层,当管壁上所淀多晶硅薄膜的厚度大于5.5μ时,在遇上较大的温度变化时(如断电)石英管较高温区部位就会产生极深的碎裂纹以致无法继续使用,本实用新型在原有的淀积装置上另放置一条氨气气路,在石英管内壁在淀积多晶硅薄膜前预先淀积一保护层,大大提高了工作效率,延长了石英管的使用寿命。