公开(公告)号：CN118248739B

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202410669075.2

申请日：2024-05-28

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网重庆市电力公司营销服务中心 ,  国家电网有限公司

发明人： 肖超 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  张泉 ,  田俊 ,  张文敏 ,  要文波 ,  刘型志

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336

摘要： 本发明涉及半导体领域，提供一种横向半导体器件及制造方法。横向半导体器件包括半导体衬底、阱区、漂移区、源区、漏区、栅极，以及位于漂移区一侧的浮空场板结构；浮空场板结构包括形成于半导体衬底上的级联的多晶硅场板，级联的多晶硅场板中相邻两级的多晶硅场板之间通过层间介质层相连，第一级多晶硅场板与栅极相连，最后一级多晶硅场板与漏极相连。本发明在漂移区侧向增加级联的多晶硅场板结构，通过级联的多晶硅场板将栅极与漏极连接起来，从而调制漂移区表面及内部的电场，使漂移区的电场峰值得到有效降低，击穿电压得到提高，同时衬底辅助耗尽效应得以减弱，漂移区离子掺杂工艺窗口得以扩展，降低了横向半导体器件的制造难度。