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公开(公告)号：CN116330855A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310414146.X
申请日：2023-04-18
Applicant: 华中科技大学
IPC: B41J3/407 , B41J25/304 , B41J29/393 , B41M5/00
Abstract: 本发明属于喷墨打印设备相关技术领域，其公开了一种适用于圆周内外表面上打印的电流体喷印装置及方法，所述装置包括三爪卡盘、喷嘴、直线推杆及直线滑台、依次相连接的活塞、顶盖体及连接壳体；所述三爪卡盘用于装夹圆周样件，并用于带动所述圆周样件转动；所述直线推杆的一端连接于所述直线滑台，另一端连接于所述连接壳体远离所述活塞的一端；所述喷嘴呈L型，其一端设置在所述活塞内，且与供墨管相连接；所述直线推杆用于带动所述喷嘴沿所述圆周样件的轴向移动，所述直线滑台用于通过所述直线推杆、所述连接壳体、所述顶盖体、所述活塞及所述供墨管带动所述喷嘴竖直移动。本发明能够同时适用于圆周内外表面的电流体喷印。
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公开(公告)号：CN116198221A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310176583.2
申请日：2023-02-28
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于喷墨打印技术领域，并具体公开了一种片状等离子体驱动的阵列化电流体喷印装置及方法。该喷印装置包括阵列化喷印头、片状等离子体喷头。阵列化喷印头由多个供墨喷嘴组成，供墨喷嘴上端与供墨单元连接，供墨喷嘴通过开关控制接地；片状等离子体喷头产生片状等离子体射流作用于阵列化喷印头正下方的待打印的绝缘基板；等离子体射流在绝缘基板表面形成正电势，使得待打印的绝缘材料基板与供墨喷嘴间形成梯度电场，引导供墨喷嘴发生泰勒锥喷射，使高分辨率墨液沉积在绝缘材料基板上。本发明不仅克服了传统阵列化电流体喷印电极串扰的问题，实现阵列电喷印头独立可控，而且克服了传统电流体喷印在面对绝缘基板时打印精度较低的缺陷。
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公开(公告)号：CN115257185B
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202210643046.X
申请日：2022-06-08
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于喷墨打印相关技术领域，其公开了一种高黏度溶液电喷雾喷头装置，该喷头装置包括加热组件、壳体、进气塞、活塞、针头塞及针头，所述壳体设置在所述加热组件内，其相背的两端分别连接于所述进气塞及所述针头塞，该针头的一端设置在所述针头塞内，另一端凸出于所述针头塞；所述活塞活动地设置在所述壳体内；所述壳体包括圆筒状的基体及对称连接于所述基体的进气接头及进液接头，所述基体形成有第二收容腔，所述活塞活动地设置在所述第二收容腔内；所述进气接头、所述进液接头、所述进气塞、所述针头塞均与所述第二收容腔相连通，所述针头通过所述针头塞与所述第二收容腔相连通。本发明实现了电流体喷印技术和超临界流体技术的联合应用。
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公开(公告)号：CN115972769A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202310169028.7
申请日：2023-02-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于等离子体的防串扰阵列化电流体喷印装置及方法，属于喷墨打印技术领域。喷印装置包括阵列化喷印头和阵列化等离子体模块。阵列化喷印头由多个供墨喷嘴组成喷头组，供墨喷嘴上端与供墨单元连接；阵列化等离子体模块产生等离子体并形成等离子体气态环形电极；待打印的基板接地，并与等离子体气态环形电极之间形成电场，电场引导供墨喷嘴发生泰勒锥喷射，使高分辨率的墨液沉积在基板上。由等离子体构成的气态环形电极可由等离子体的放电气体或电压分别控制，阵列化的气态环形电极之间不会发生串扰，电喷印喷嘴可独立控制；能够在大面积显示面板像素阵列、传感器阵列等的高精度、高分辨率、高效率制造方面提供新的技术支撑。
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公开(公告)号：CN115091749A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210625308.X
申请日：2022-06-02
Applicant: 华中科技大学
IPC: B29C64/209 , B29C64/20 , B29C64/295 , B29C64/30 , B29C64/112 , B33Y30/00 , B33Y40/00
Abstract: 本发明属于喷墨打印相关技术领域，其公开了一种超临界气体辅助电喷雾装置及方法，装置包括输气模块、加压模块、输液模块、喷雾模块及控制模块，输气模块、加压模块及输液模块分别连接于喷雾模块；控制模块分别连接于输气模块、加压模块、输液模块及喷雾模块；喷雾模块包括喷头及设置在喷头下方的基板；控制模块包括处理器、及分别连接于处理器的加热器及高压电源；高压电源的正极及负极分别连接于喷头的喷嘴及基板，且基板接地。本发明实现了电流体喷印技术和超临界气体技术的联合应用，降低了功能溶液的黏度，改善了溶液性质，解决了现有的电喷印装置喷印模式单一以及从根本上解决了高粘度聚合物溶液电喷雾工艺性能差等技术问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115090437A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210624791.X
申请日：2022-06-02
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于表面加工相关技术领域，其公开了一种超临界流体辅助电喷雾制膜设备及方法，设备包括气瓶、光刻胶溶液存储罐、混合罐、喷头、六自由度机械臂、微处理器、高压电源及基板，高压电源的正极及负极分别连接于喷头及基板；基板位于喷头下方，其用于承载待镀膜工件；气瓶及光刻胶溶液存储罐分别用于存储辅助气体及光刻胶溶液；混合罐的入口分别连接于气瓶及光刻胶溶液存储罐；喷头设置在六自由度机械臂的末端，且其入口连接于混合罐的出口；微处理器分别连接于高压电源及六自由度机械臂。本发明扩展了实际的工艺需求，同时由于超临界流体辅助，雾化液滴的尺寸大大降低了，可以达到纳米几倍，喷雾薄膜的厚度更加均匀。
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公开(公告)号：CN114193942B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202111392893.5
申请日：2021-11-23
Applicant: 华中科技大学
IPC: B41J3/407 , B41J2/01 , H01L21/768
Abstract: 本发明属于半导体制造相关技术领域，其公开了一种柔性电子器件的多工序原位加工方法与装置，装置包括电喷印部件、等离子体喷头、近红外激光头及时序控制器，电喷印部件、等离子体喷头及近红外激光头分别连接于时序控制器；时序控制器用于控制电喷印部件打印绝缘材料以将柔性芯片封装在柔性基底上后，再控制等离子体喷头喷射等离子体射流以去除柔性芯片焊区的金属氧化层；时序控制器还用于控制电喷印喷头在去除金属氧化层的区域及柔性基底上金属线区之间打印导电银浆以实现柔性芯片的互连，并控制近红外激光头发射近红外光来照射导电银浆以完成导电银浆的烧结。本发明简化了步骤，提高了效率及一体化程度。
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公开(公告)号：CN114905855A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210601841.2
申请日：2022-05-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于微结构制备领域，并具体公开了一种微圆周曲面共形敏感结构及其制备方法和装置，其如下步骤：S1、在微圆周曲面上制备一层疏水层，然后对微圆周表面进行图案化照射，得到可限制液滴滑移的图案化亲水区域，使待沉积区域亲水，非沉积区域疏水；S2、采用电流体喷印工艺在微圆周表面喷印液滴，液滴沉积到图案化亲水区域内；S3、对图案化亲水区域内沉积的液滴立即进行加热处理，使液滴中的溶剂蒸发，完成微圆周曲面共形敏感结构制备。本发明整合了精准定位限域加工位置、高精度高分辨率电喷印和快速烧结固化后处理的技术，实现在微圆周等高曲率表面上对传感器等共形敏感结构的制备。
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公开(公告)号：CN114734063A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210426056.8
申请日：2022-04-21
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于柔性/曲面电子微纳制造相关技术领域，其公开了一种等离子体包轴输运与同步烧结的打印装置及方法，该打印装置包括墨水模块、等离子体射流模块、隔绝鞘气模块、该等离子体射流模块及该隔绝鞘气模块分别连接于该墨水模块；该墨水模块用于将打印用的液态金属墨水输送到喷嘴中，该等离子体射流模块用于放电产生等离子体射流，该隔绝鞘气模块用于产生隔离液态金属墨水和等离子体射流的鞘气气流；该墨水模块、该等离子体射流模块及该隔绝鞘气模块相互配合以实现等离子体射流自身局域动态强电场诱导电流体生成泰勒锥。本发明解决了复杂型面绝缘基板液态金属电路的打印成形难题，为柔性/曲面电子器件的高效共形喷印制造提供了技术支撑。
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公开(公告)号：CN112928211B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202110280005.4
申请日：2021-03-16
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于有机薄膜晶体管制备相关技术领域，其公开了一种复杂曲面薄膜晶体管及自对准电流体共形光刻制造方法，包括以下步骤：(1)依次在曲面基底上制备底栅电极、底栅介电层及半导体层；(2)采用电流体喷印工艺在半导体层上制备纤维掩膜，电流体喷印时空间电场受曲面基底影响而空间分布畸变，使得产生的射流及纤维沉积在曲面基底的法向最短位点，进而实现法向曲面自对准；(3)采用纤维掩膜在半导体层上制备源漏电极及引线，且纤维掩膜位置处因存在高度差而自动生成沟道；(4)加热纤维掩膜以使纤维掩膜转变为熔融态，继而实现自对准封装，由此制造完成。本发明通过电流体喷印自对准工艺实现了曲面基底上薄膜晶体管的原位制备与自封装。
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