一种氧化锌光阳极薄膜及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN104928648B

    公开(公告)日:2018-04-27

    申请号:CN201510404103.9

    申请日:2015-07-10

    申请人: 南开大学

    IPC分类号: C23C16/40 C25B11/00 C25B1/04

    CPC分类号: Y02E60/366

    摘要: 一种氧化锌光阳极薄膜,利用金属有机化学气性沉积技术在沉积有FTO的衬底上制备氧化锌光阳极,并通过改变沉积时间和B2H6掺杂流量来改善光阳极的光电化学性能,将MOCVD‑ZnO作为光阳极用于电解水,取得了较高的光电流密度。本发明的优点是:该制备方法工艺简单、沉积温度低、制备时间短、易于实施且重复性较好;制备的ZnO光阳极薄膜具有“类金字塔”状形貌可以改善ZnO光阳极对入射光的吸收,进而增加光阳极对入射光的利用;其作为光电化学电池的光阳极用于光阳极电解水,可以提高ZnO光阳极的普适性,有利于工业化生产。

    一种周期性结构的绒面透明导电薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN103515484B

    公开(公告)日:2015-08-19

    申请号:CN201310416643.X

    申请日:2013-09-13

    申请人: 南开大学

    CPC分类号: Y02P70/521

    摘要: 一种周期性结构的绒面透明导电薄膜,包括玻璃衬底层、起模板作用的第一层ZnO薄膜和起修饰作用的第二层ZnO薄膜并依次形成叠层结构,第一层ZnO薄膜厚度为300-1500nm,第二层ZnO薄膜的厚度为400-1000nm,构成具有散射作用的周期性结构绒面透明导电薄膜;其制备方法:利用水浴方法组装PS微球,用O2等离子刻蚀PS微球,利用PS微球的模板作用,得到具有周期性结构的陷光ZnO透明导电薄膜。本发明的优点是:制备的ZnO薄膜具有良好的陷光效果,作为前电极用于薄膜太阳电池,对400-1100nm电池所能利用的波长范围内有良好散射作用,可增加入射光在硅基薄膜电池中的光程,提高光利用率。

    一种用于光伏发电系统的节水装置

    公开(公告)号:CN103981937A

    公开(公告)日:2014-08-13

    申请号:CN201410220809.5

    申请日:2014-05-23

    申请人: 南开大学

    IPC分类号: E03F3/02 E03F5/10

    摘要: 一种用于光伏电站的节水装置,包括水收集器、输水器、污水处理器和储水器,水收集器为半圆形或方形管道,通过支架固定于太阳电池组件下端;输水器的一端与水收集器密封连接,另一端与污水处理器的进水口密封连接;污水处理器为圆筒型容器或水泥砌成的沉淀池,通过管道与储水器的进水口连接;储水器为圆筒型容器或水泥砌成的储水池,储水器的外壁与内壁之间填充有石棉保温层,侧壁的上方设有进水口及溢水口,下方设有出水口及排水阀。本发明的优点是:该装置装置简单可靠、成本低、易于实施,用于太阳电池组件清洗中水资源可循环利用,且可收集雨水和雪水,最大程度上节约了水资源,可用于新建和已建成太阳能电站上。

    一种用于制备太阳电池的硅片磷铝联合变温吸杂方法

    公开(公告)号:CN103928573A

    公开(公告)日:2014-07-16

    申请号:CN201410169980.8

    申请日:2014-04-25

    申请人: 南开大学

    IPC分类号: H01L31/18

    摘要: 一种用于制备太阳电池的硅片磷铝变温吸杂方法,步骤如下:将衬底硅片依次进行去损伤层、超声清洗后,在硅片正反两面先涂覆磷源,再蒸镀铝膜;然后采用氮气气氛保护下热处理依次进行一次吸杂、二次吸杂;冷却至室温后,放入氢氟酸和硝酸的混合液中腐蚀以去除吸杂层即可。本发明的优点是:该吸杂方法在磷铝吸杂基础上引入变温工艺,通过不同温度对吸杂的各个过程实现有效控制,充分利用磷吸杂和铝吸杂各自的优势;工艺简单易于实现,无需增加其他设备;吸杂效果明显,经吸杂处理后,硅片少子寿命有明显提升,同时在满足吸杂效果的前提下减少了工艺周期。

    一种硅异质结太阳电池的制绒方法

    公开(公告)号:CN103924306A

    公开(公告)日:2014-07-16

    申请号:CN201410173846.5

    申请日:2014-04-25

    申请人: 南开大学

    IPC分类号: C30B33/10

    摘要: 一种硅异质结太阳电池的制绒方法。该方法对太阳电池的单晶硅片实行两步制绒的工艺,在硅片表面形成3-10μm的圆滑金字塔结构、去除了硅片表面的金属离子残留,实现了形貌以及电学特性的修饰。该方法可以有效的降低硅片表面在400-1200nm波长范围内的反射率,提高了电池输出特性,且其制备方法简单,易于实施。

    利用MOCVD梯度掺杂技术生长ZnO:B薄膜及应用

    公开(公告)号:CN102168256B

    公开(公告)日:2013-07-31

    申请号:CN201110066989.2

    申请日:2011-03-21

    申请人: 南开大学

    CPC分类号: Y02P70/521

    摘要: 一种利用MOCVD梯度掺杂技术生长ZnO:B薄膜,利用MOCVD技术,以玻璃基片为衬底,以二乙基锌和水为原料,以硼烷作为掺杂气体,在玻璃基片上先生长未掺杂B或者低掺杂B的ZnO透明导电薄膜;然后同样利用MOCVD技术,在上述薄膜基础上分阶段梯度掺杂生长ZnO,制备玻璃基片/未掺杂B或低B掺杂ZnO/正常B掺杂ZnO透明导电薄膜。本发明的优点是:通过初期生长未掺杂或者低B掺杂ZnO薄膜,而后采用正常情况下的掺杂,实现大晶粒尺寸,高可见光及近红外透过率的ZnO薄膜。该薄膜适合应用于p-i-n型Si基薄膜太阳电池,尤其是a-Si/μc-Si叠层薄膜太阳电池,可进一步提高Si薄膜电池的性能。

    一种直接制备绒面氧化锌透明导电薄膜的方法

    公开(公告)号:CN102242345B

    公开(公告)日:2013-07-10

    申请号:CN201110178404.6

    申请日:2011-06-29

    申请人: 南开大学

    IPC分类号: C23C14/35 C23C14/08

    摘要: 一种直接制备绒面氧化锌透明导电薄膜的方法,通过调控溅射气氛中氢气含量,利用氢等离子的刻蚀及辅助迁移作用,实现采用磁控溅射氧化锌陶瓷靶材直接制备具有良好陷光特性的高绒度氧化锌透明导电薄膜。本发明有益效果是:制备绒面氧化锌透明导电薄膜,具有低电阻率、高的宽光谱透过率和高散射绒度,在550nm处散射绒度可达15-60%,同时保持方块电阻小于6Ω/□;直接制备绒面氧化锌透明导电薄膜,可避免后腐蚀工艺带来的大面积均匀性难于控制的问题,同时具有良好的可重复性,利于大面积工业化生产;该薄膜可直接应用于单节及叠层薄膜光伏器件中,有利于提高电池的光吸收及光电转换效率。

    一种基于金字塔绒度形貌ZnO层的导电背反射电极

    公开(公告)号:CN102945865A

    公开(公告)日:2013-02-27

    申请号:CN201210483988.2

    申请日:2012-11-23

    申请人: 南开大学

    CPC分类号: Y02P70/521

    摘要: 一种基于金字塔绒度形貌ZnO层的导电背反射电极,由衬底、具有金字塔表面形貌ZnO层、金属银层和ZnO界面层组成薄膜叠层结构,所述具有金字塔表面形貌ZnO层为本征ZnO或掺杂Al、Ga、B、Mo、W的ZnO材料;其制备方法是:先在衬底上采用超声喷雾技术生长或金属有机物化学气相沉积技术制备具有的金字塔形貌的ZnO薄膜,然后依次银薄膜层和ZnO薄膜界面层。该基于金字塔绒度形貌ZnO层的导电背反射电极,陷光效果好,可同时实现宽光谱、高绒度反射,光利用率高;其制备方法工艺简单、易于实施;作为背反射电极用薄膜太阳电池,比传统的基于绒度金属铝来实现绒度反射制备的相同条件的电池短路电流密度提高10%以上。