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公开(公告)号:CN108264884A
公开(公告)日:2018-07-10
申请号:CN201810042998.X
申请日:2018-01-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种碳化硅纳米线/石墨烯泡沫电磁波吸收复合材料的制备方法,它涉及一种石墨烯泡沫电磁波吸收材料的制备方法。本发明是要解决现有石墨烯泡沫力学、热学、电磁波吸收性能差的技术问题。本发明:一、制备氧化石墨烯分散液;二、制备石墨烯水凝胶;三、制备石墨烯乙醇凝胶;四、制备石墨烯泡沫;五、化学气相浸渗。本发明具有以下优点:1、本发明方法的制备的石墨烯泡沫质量轻、强度高;2、SiC纳米线的引入使石墨烯泡沫的压缩强度、热稳定性和电磁波吸收性能得到大幅度提升。本发明应用于电磁波吸收材料的制备。
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公开(公告)号:CN105040412A
公开(公告)日:2015-11-11
申请号:CN201510523168.5
申请日:2015-08-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: D06M11/74 , C01B31/04 , D06M101/40
Abstract: 一种氧化石墨烯表面改性碳纤维的方法,涉及一种碳纤维表面改性的方法。本发明是要解决目前碳纤维表面惰性大、表面能低及力学、热学性能较差的技术问题。方法:一、采用改性Hummer’s方法制备氧化石墨烯;二、碳纤维的氧化处理;三、碳纤维表面修饰氨基化处理;四、碳纤维表面接枝氧化石墨烯。本发明的碳纤维表面接枝氧化石墨烯后,其表面浸润性和粘结性有显著提高,粗糙度显著增加,有利于增强复合材料中基体与增强体之间的传递效应,改善界面性能、阻止材料破坏,进而提高复合材料的力学性能和热稳定性。本发明应用于碳纤维表面改性领域。
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公开(公告)号:CN103909265A
公开(公告)日:2014-07-09
申请号:CN201410148317.X
申请日:2014-04-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 钼-钨酸钪复合材料及其制备方法,它属于复合材料技术领域,具体涉及一种复合材料及其制备方法。钼-钨酸钪复合材料由钨酸钪、铁和钼制成,制备方法:一、称取原料;二、将步骤一的原料分散在分散剂中,在真空条件下烘干,然后将烘干后的浆料球磨研碎,得到混合粉料;三、将混合粉料烧结,得到钼-钨酸钪复合材料。本发明制备的钼-钨酸钪复合材料的室温抗拉强度为300MPa~400MPa,600℃抗拉强度为120MPa~160MPa,25℃~600℃热膨胀系数为-1×10-6K-1~0.3×10-6K-1,弹性模量≤100GPa。本发明属于复合材料的制备领域。
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公开(公告)号:CN101602597A
公开(公告)日:2009-12-16
申请号:CN200910072132.4
申请日:2009-05-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622
Abstract: 硼化锆-碳化硅-碳黑三元高韧化超高温陶瓷基复合材料及其制备方法,它涉及陶瓷基复合材料及其制备方法。它解决了现有ZrB2超高温陶瓷基复合材料的抗热冲击性能差、临界温差低、强度高、断裂韧性低和临界裂纹尺寸低的问题。硼化锆-碳化硅-碳黑三元高韧化超高温陶瓷基复合材料由硼化锆粉末、碳化硅粉末和碳黑粉末制成。方法:一、称取原料湿混后得浆料;二、浆料烘干后研磨得混合粉料;三、混合粉料烧结后冷却取出即得。本发明中材料的抗热冲击性能好,其临界温差为470~1000℃,强度为132.03~695.54MPa,断裂韧性为2.01~6.57MPa·m1/2,临界裂纹尺寸为65.9~249.9μm。
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公开(公告)号:CN101417880A
公开(公告)日:2009-04-29
申请号:CN200810137597.9
申请日:2008-11-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/58
Abstract: 低温烧结硼化物基陶瓷材料及其制备方法,它涉及一种硼化物基陶瓷材料及其制备方法。本发明解决了现有技术中硼化物基陶瓷材料烧结温度及压力过高、烧结致密度低的问题。本发明硼化物基陶瓷材料由硼化物粉末、碳化硅粉末和添加剂制成;添加剂为氧化铝与氧化钇混合粉末。本发明的方法如下:一、将硼化物粉末、碳化硅粉末和添加剂混合;二、再放入无水乙醇中进行超声波清洗分散,球磨混合,烘干;三、热压烧结后冷却即可。本发明在1800~1850℃、30MPa下烧结所获得低温烧结硼化物基陶瓷材料的组织均匀、致密,且晶粒度细小,同时力学性能优良,相对密度为96%以上,强度和韧性分别高达786MPa和7.12MPam1/2。本发明方法的工艺简单实用,成本低廉、易于推广。
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公开(公告)号:CN100427622C
公开(公告)日:2008-10-22
申请号:CN200610010428.X
申请日:2006-08-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Inventor: 韩文波
IPC: C22C1/04
Abstract: 一种细晶TiAl金属间化合物材料的制备方法,涉及TiAl金属间化合物材料的制备工艺。为了解决现有机械球磨法制备TiAl材料过程复杂及成形困难的问题,本发明按照下述步骤进行制备TiAl材料:a、制备Ti/Al复合粉;b、采用冷等静压方法对Ti/Al复合粉进行固结致密处理;c、采用真空反应烧结和真空热压烧结技术制备细晶TiAl材料。本发明制备工艺简单,减少模具、辅助材料及设备,制备周期缩短1/3-1/2,节约成本30%-50%。
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公开(公告)号:CN114213664B
公开(公告)日:2023-01-24
申请号:CN202111583211.9
申请日:2021-12-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C08G77/62 , C08G77/00 , C04B35/14 , C04B35/48 , C04B35/622
Abstract: 一种五组分SiBCNZr陶瓷先驱体的合成方法,本发明属于高分子材料技术领域,具体涉及一种五组分SiBCNZr陶瓷先驱体的合成方法。本发明要解决现有方法制备的SiBCN陶瓷先驱体抗氧化性能差的问题。在固化过程中将Zr等元素交联在SiBCN基先驱体中,即通过共价键将Si、N、B、C、Zr连接起来,形成含有大量Si、B、N、C、Zr元素的先驱体聚合物。可有效地调整SiBCNZr陶瓷先驱体的结构,保证先驱体中元素分布的均匀性。随后通过固化反应使先驱体脱去小分子形成高聚物,最终经过热解能够较高收率获得共价键连接稳定的SiBCNZr陶瓷材料。本发明用于五组分SiBCNZr陶瓷先驱体。
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公开(公告)号:CN114316278B
公开(公告)日:2022-11-29
申请号:CN202111583215.7
申请日:2021-12-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C08G79/14 , C04B35/58 , C04B35/565
Abstract: 一种ZrB2‑SiC复相陶瓷先驱体的制备方法,本发明涉及一种ZrB2‑SiC复相陶瓷先驱体的制备方法,本发明的目的是为了解决现有制备的单一相先驱体陶瓷抗氧化性不足的问题,本发明通过调节硼烷二甲硫醚、正丙醇锆及苯基三氯硅烷的相对含量,对聚合物先驱体进行分子调控,重点解决在陶瓷烧结后B、Zr、Si、C等元素在陶瓷中的相组成问题,同时确保将B、Zr、Si等元素键合为一种大分子网络结构。由于硼硅酸盐高温下形成的玻璃层具有一定的协同作用,可以更好提升材料抗氧化性,本发明ZrB2‑SiC复相陶瓷均一性好,抗氧化性能优异的特点。本发明适用于陶瓷先驱体制备领域。
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公开(公告)号:CN113880581A
公开(公告)日:2022-01-04
申请号:CN202111361538.1
申请日:2021-11-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/56 , C04B35/622
Abstract: 一种四组元SiHfBC聚合物陶瓷先驱体的制备方法及其应用,本发明涉及有机高分子材料领域,具体涉及一种陶瓷先驱体的制备方法及其应用。本发明要解决现有多元陶瓷先驱体含氧量过高的技术问题。方法:将四氯化铪溶解在四氢呋喃溶剂,制备先驱体溶液;加入甲基乙烯基二氯硅烷和硼烷二甲硫醚反应;升温加热,进行交联反应;固化处理。将所述一种四组元SiHfBC聚合物陶瓷先驱体进行热解制备得到SiHfBC聚合物陶瓷。本发明反应过程,可有效地调整SiHfBC聚合物陶瓷先驱体的结构,保证先驱体中元素分布的均匀性。通过固化反应脱去小分子形成高聚物,最终经过热解形成共价键连接稳定的SiHfBC聚合物陶瓷。本发明用于制备SiHfBC聚合物陶瓷。
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公开(公告)号:CN108532293B
公开(公告)日:2021-05-07
申请号:CN201810244821.8
申请日:2018-03-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: D06M11/74 , D06M11/64 , D06M101/40
Abstract: 一种调节糖溶液pH制备碳纤维表面碳涂层的方法,本发明涉及碳纤维改性领域。本发明要解决现有方法制备碳纤维表面涂层成本高与厚度难以调控的问题。方法:一、碳纤维脱胶;二、碳纤维表面酸化处理;三、浸渍溶液的配制;四、碳纤维浸渍糖溶液;五、水热反应制备碳纤维表面碳涂层。本发明采用成本低廉的糖作为碳源制备碳纤维表面碳涂层,该碳涂层具有厚度可控、均匀致密的特点,能够应用于陶瓷复合材料制备、碳碳复合材料及碳纤维增强树脂基复合材料制备等领域。本发明用于制备碳纤维表面碳涂层。
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