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公开(公告)号：CN115198157A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210792474.9
申请日：2022-07-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种晶粒生长诱导无压烧结超细晶Ti(C,N)基金属陶瓷致密化的方法，它涉及一种金属陶瓷致密化的方法。本发明的目的是解决无压烧结制备超细晶Ti(C,N)基金属陶瓷致密化困难和借助气压烧结增加制造成本的问题。方法：一、按重量份数称取50份～60份Ti(C,N)、10份～30份WC、5份～10份TaC、1份～5份VC、10份～20份金属黏结相、0.5份～3份炭黑和1份～4份聚乙烯醇；二、球磨混合；三、干燥制粒；四、模压成型；五、烧结。本发明制备的致密化的超细晶Ti(C,N)基金属陶瓷的致密度为96.67％～99％。本发明可获得一种超细晶Ti(C,N)基金属陶瓷。
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公开(公告)号：CN114262229B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210003862.4
申请日：2022-01-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/56 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 一种高强韧二硼化物‑碳化物复相高熵陶瓷的制备方法和应用，它属于陶瓷材料技术领域，具体涉及一种高强韧的二硼化物‑碳化物复相高熵陶瓷材料的制备方法和应用。本发明的目的是要解决现有单相高熵陶瓷材料烧结困难，致密度低和断裂韧性差，限制了其应用的问题。方法：制备二硼化物粉体和碳化钛的混合粉末；二、热压烧结。一种高强韧二硼化物‑碳化物复相高熵陶瓷在核反应堆和超高温领域中应用。本发明制备的复相陶瓷的致密度均大于97％，强度和韧性均得到显著提升，室温下陶瓷的硬度为35～40GPa，三点弯曲强度为800～1100MPa，断裂韧性为6～8MPa·m1/2。本发明可获得一种高强韧二硼化物‑碳化物复相高熵陶瓷。
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公开(公告)号：CN114838983A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210496261.1
申请日：2022-05-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N1/08
Abstract: 本发明公开了一种用于地外天体探测器的取样装置，属于航天领域，以解决现有技术中采用弹射球撞击的方式只能收集星体表层的土壤，不能收集更深层土壤的问题。本发明的一种用于地外天体探测器的取样装置，所述星体探测器可着陆在地外天体上，所述取样装置设置在所述星体探测器上，所述星体探测器可在地外天体表面打勘探孔，所述取样装置包括采样头和驱动机构，其中，采用头可在所述勘探孔内收集所述地外天体的土壤；驱动机构可驱动所述采样头向所述勘探孔内移动。本发明采样头可在地外天体勘探孔内移动可收集不同深度的地外天体土壤，可分析地外天体不同深度的土壤成分，进而了解不同深度下地外天体土壤的组成，为后续星体开发提提供更可靠的科学依据。
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公开(公告)号：CN110194667A
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201910553317.0
申请日：2019-06-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/56 , C04B35/622
Abstract: 一种超硬五组元过渡金属碳化物单相高熵陶瓷材料及其制备方法，本发明属于超硬陶瓷材料技术领域，具体涉及一种超硬单相高熵陶瓷材料及其制备方法。本发明的目的是要解决现有多组元碳化物的制备方法难以避开氧污染和致密度较难提高的问题。一种超硬五组元过渡金属碳化物单相高熵陶瓷材料的化学式为(Tix1Zrx2Nbx3Tax4Mx5)C。方法：一、称料；二、混合；三、煅烧；四、高温烧结；五、脱模。本发明提高了碳化物的致密度和力学性能，显著的固溶强化作用和高致密度使材料的硬度明显提升。本发明可获得一种超硬五组元过渡金属碳化物单相高熵陶瓷材料。
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公开(公告)号：CN107933980A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201711148473.6
申请日：2017-11-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B64G7/00
CPC classification number: B64G7/00
Abstract: 主被动结合式悬吊零重力模拟系统和模拟方法，涉及一种重力模拟系统和模拟方法。是为了实现地面零重力(微重力)模拟实验。本发明涉及大尺度挠件-太阳翼/天线结构的微低重力领域机动模拟，本发明将大角度运动主动被动摇臂和二维气浮随动装置有机结合起来，通过主动摇臂自主跟随太阳翼/天线结构大尺度运动，以及摇臂上装置的二维被动气浮导轨实现太阳翼/天线结构在小尺度范围内的高频振动的快速跟随，配合竖直悬吊系统实现空间结构的地面微低重力模拟，实现对目标空间结构的大范围高精度二维伺服跟踪。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107573079A
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201710909139.1
申请日：2015-10-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/583 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及氮化硼基陶瓷材料及其制备方法和应用。所述氮化硼基陶瓷材料由氮化硼、电熔氧化锆、碳化硅和添加剂制成。所述方法包括：一、称取原料；二、将制备复合粉末；三、制备氮化硼复合粉末；四、氮化硼基陶瓷材料预制坯体的制备；五、氮化硼基陶瓷材料的制备。本发明还涉及所述氮化硼基陶瓷材料作为薄带连铸用氮化硼基陶瓷侧封板材料的应用。本发明解决了氮化硼基复相陶材料烧结温度高和低熔点烧结助剂导致服役性能下降的技术问题，所制备的氮化硼基陶瓷材料的致密度可达到97％以上，具有优异的综合力学性能，其抗弯强度值可达到420MPa，非常适合于用作为薄带连铸用氮化硼基陶瓷侧封板材料。
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公开(公告)号：CN106986388A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201710439331.9
申请日：2017-06-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: C01G41/00 , C01P2004/61 , C01P2004/62
Abstract: 一种纳米钨酸锆粉末的制备方法，它涉及一种钨酸锆粉末的制备方法。本发明是为了解决现有方法制备的纳米钨酸锆粉末的粒径大的技术问题，方法如下：一、配置Zr4+浓度为0.02mol/L的溶液和W6+浓度为0.04mol/L的溶液；二、制备得到溶液a；三、制备溶液b；四、然后将溶液b加入到溶液a中，静置，老化处理，移除上层清液，将沉淀物进行真空抽滤，抽滤后所得产物干燥后磨细，置于箱式炉中于600℃反应2h，再于1140～1200℃反应2h后，出炉，用水淬冷，干燥研磨，即得；按本发明采用共沉淀法制备的粉末工艺简单、产品纯度高、生产成本低，本发明制备的钨酸锆粉末粒度最细d 50为770nm，d 90为1.73μm。本发明属于纳米材料的技术领域。
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公开(公告)号：CN104194010B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201410429009.4
申请日：2014-08-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种原子氧改善PBO纤维/环氧复合材料界面性能的方法及应用，其步骤如下：将PBO纤维置于灯丝放电磁场约束型原子氧效应地面模拟试验设备的真空室内，在真空室气压为0.05~0.2Pa、放电电压为100~150V、放电电流为100~190mA、原子氧通量为1.5×1015~9.5×1015atom/cm2·s的条件下，原子氧辐照处理1~4h。本发明采用原子氧地面模拟实验设备对PBO纤维进行短时间的辐照处理，旨在借由原子氧的氧化作用提高纤维表面的粗糙度和极性，从而达到改善PBO纤维/环氧复合材料界面性能的目的。本发明操作简便，成本较低，处理时间相对较短，改性效果明显，纤维本体性能损失小，可以实现批量处理，适用于工业化生产。
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公开(公告)号：CN106623944A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610855055.X
申请日：2016-09-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: B22F7/02 , B22F1/0059 , B22F3/02 , B22F3/04 , B22F3/10 , B22F3/14 , B22F3/15 , B22F2003/145 , B22F2207/01 , B22F2998/10 , F27B14/10
Abstract: 本发明涉及氧化钇‑钨连续梯度材料及其制备方法和在合金熔炼中的应用。所述梯度材料包括厚度为l0的钨层、厚度为l1的氧化钇层和厚度为l2的过渡层，并且l0和l1独立地≥0，l2＞0；过渡层中距离富钨面的z位置处的氧化钇的体积分数并且钨的体积分数其中l＝l0+l2，p＝0.4，l0≤z≤l。所述方法优选采用自由沉降结合冷压成型和烧结工艺形成过渡层。本发明还提供了所述梯度材料在金属熔炼中的应用。本发明的梯度材料经1200～1600℃下的循环热震10～20次后，没发生层间剥落及断裂失效等现象；能抵抗50～80MW/m2的瞬间激光热冲击，在线平均电子密度为1～1.5×1013/cm3的等离子体原位辐照下材料表面无明显损伤。所述方法工艺简单、易于操作、能耗较低、环境友好，产业化应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN106623943A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610855054.5
申请日：2016-09-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: B22F7/02 , B22F1/0059 , B22F3/02 , B22F3/04 , B22F3/10 , B22F3/14 , B22F3/15 , B22F2003/145 , B22F2207/01 , B22F2998/10 , F27B14/10
Abstract: 本发明涉及氧化钇‑钨连续梯度材料及其制备方法和在高温合金熔炼坩埚制造中的应用。所述梯度材料包括厚度为l0的钨层、厚度为l1的氧化钇层和厚度为l2的具有富钨面和富氧化钇面的过渡层，并且l0和l1独立地≥0，l2＞0；过渡层中距离富钨面的z位置处的氧化钇的体积分数并且钨的体积分数其中，l＝l0+l2，p＝0.1，l0≤z≤l。本发明方法优选采用自由沉降的方式结合冷压成型和烧结工艺形成所述过渡层。本发明还提供所述梯度材料在制造高温合金熔炼坩埚中的应用。所述梯度材料具有良好的抗热震性能和抗侵蚀性能，可广泛用于高温合金熔炼领域。所述方法工艺简单、能耗较低、环境友好，具有广阔的产业化应用前景。
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