氮化物半导体激光元件
    49.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102084560A

    公开(公告)日:2011-06-01

    申请号:CN200980126170.1

    申请日:2009-07-07

    Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体激光元件,其特征为包含:基板(100、200、300);在基板(100、200、300)上形成的n型氮化物半导体层(101、201、301);在n型氮化物半导体层(101、201、301)上形成的氮化物半导体活性层(104、204、304)、在氮化物半导体活性层(104、204、304)上形成的p型氮化物半导体层(107、207、307、108、208、308);以及在p型氮化物半导体层(107、207、307、108、208、308)上形成的上部透明导电膜(109、209、309),氮化物半导体活性层(104、204、304)具有包含铟的氮化物半导体阱层(131)和氮化物半导体障壁层(132)。

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