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公开(公告)号:CN110224000A
公开(公告)日:2019-09-10
申请号:CN201910156486.0
申请日:2019-03-01
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够容易且稳定地制造的图像显示元件。图像显示元件(200)在驱动电路基板(50)上,按顺序层叠微型LED元件(100)和波长转换层,所述波长转换层对微型LED元件(100)发出的激发光进行转换,并向与驱动电路基板(50)相反侧射出,微型LED元件(100)具有对由波长转换层转换的长波长光进行反射的第一多层膜(10)。
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公开(公告)号:CN105264287A
公开(公告)日:2016-01-20
申请号:CN201480029968.5
申请日:2014-02-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: F21S8/10 , F21S8/12 , F21Y115/10
CPC classification number: F21S48/1145 , F21K9/64 , F21S41/14 , F21S41/16 , F21S41/24 , F21S41/255 , F21S41/321 , F21S45/47 , F21Y2101/00 , F21Y2115/10 , F21Y2115/30 , G02B6/0006 , G02B6/0008
Abstract: 提供一种不会使来自发光部的光量因遮罩等的遮蔽物而损失,且能够得到具有清晰的截止线的投射图案的发光装置等。激发光(L1)倾斜地照射到发光部(101)的表面,导光部件(104)包括导光部,该导光部具有包含边a的出射端面(Rx1),成像透镜(105)使与出射端面(Rx1)上的激发光(L1)的像中的边a对应的直线状的边缘部在发光部(101)的表面上成像。
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公开(公告)号:CN102901017B
公开(公告)日:2016-01-20
申请号:CN201210253420.1
申请日:2012-07-20
Applicant: 夏普株式会社
IPC: F21S8/10 , F21V7/00 , F21V5/04 , F21W101/10 , F21Y113/00
CPC classification number: B60Q1/085 , B60Q1/12 , B60Q2300/45 , F21S41/14 , F21S41/143 , F21S41/147 , F21S41/16 , F21S41/176 , F21S41/18 , F21S41/255 , F21S41/321 , F21S41/36 , F21S41/365 , F21S41/675 , F21W2102/17 , F21W2102/19 , F21Y2113/00 , F21Y2115/30 , G02B19/0028 , G02B19/0061 , G02B2207/113
Abstract: 本发明提供照明装置和具备该照明装置的车辆用前照灯,其中,前灯系统(100)配备:具有接收激光而进行发光的发光部的激光源单元(1a);具有LED的LED光源单元(2a/2b),激光源单元(1a)朝向配光点(A1)配光,并且LED光源单元(2a/2b)朝向配光区域(a1/a2)配光。
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公开(公告)号:CN104949030A
公开(公告)日:2015-09-30
申请号:CN201510303055.4
申请日:2011-11-25
Applicant: 夏普株式会社
IPC: F21S8/10 , F21V9/16 , F21V29/503 , F21W101/02 , F21Y101/02
CPC classification number: F21S41/16 , F21S41/14 , F21S45/47 , F21V9/30 , F21S41/141 , F21W2107/10
Abstract: 本发明提供发光装置、车辆用前照灯、照明装置以及车辆。照明灯(1)具备:激光元件(2),其出射激光;发光部(4),其接受从激光元件(2)出射的激光从而发出荧光,并具有由无机材料构成的密封材料;和散热器(7),其经由与发光部(4)接触的接触面,对通过照射激光而在发光部(4)产生的热进行散发,受光部(4)所存在的范围被限制在以上述接触面为基准能获得期望的散热效果的范围内。
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公开(公告)号:CN102853378B
公开(公告)日:2015-09-02
申请号:CN201210216231.7
申请日:2012-06-26
Applicant: 夏普株式会社
IPC: F21V13/14 , F21S8/10 , F21Y101/02 , F21W101/10
CPC classification number: F21S48/1747 , B60Q1/0023 , B60Q1/143 , B60Q11/005 , B60Q2300/054 , B60Q2300/056 , B60Q2300/45 , F21S41/141 , F21S41/143 , F21S41/147 , F21S41/16 , F21S41/285 , F21S41/321 , F21S41/663 , F21Y2115/10
Abstract: 本发明的投射装置(100),具有多个光源单元(1a~1e),该光源单元具有如下:接收激光而发光的发光部和反射镜。光源单元(1a~1e)各自朝向作为分割投射照明区域(11)的区域的投射点(11a~11e)进行投射,照明区域(11)是投射点(11a~11e)经多个组合而形成。
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公开(公告)号:CN102466187B
公开(公告)日:2014-11-05
申请号:CN201110328991.2
申请日:2011-10-26
Applicant: 夏普株式会社
IPC: F21S8/10 , F21V5/04 , F21V7/06 , F21W101/02 , F21Y101/02
Abstract: 本发明涉及发光装置、照明装置、车辆用前照灯和车辆,其中,本发明的一个实施方式的前灯(1)具有:激光器元件(2)、发光部(4)及抛物面反射镜(5)。在与发光部(4)的比侧面的面积宽阔的面即上表面(4a)对向的位置,配置有抛物面反射镜(5)的一部分;发光部(4)以朗伯分布发出荧光。
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公开(公告)号:CN102901017A
公开(公告)日:2013-01-30
申请号:CN201210253420.1
申请日:2012-07-20
Applicant: 夏普株式会社
IPC: F21S8/10 , F21V7/00 , F21V5/04 , F21W101/10 , F21Y113/00
CPC classification number: B60Q1/085 , B60Q1/12 , B60Q2300/45 , F21S41/14 , F21S41/143 , F21S41/147 , F21S41/16 , F21S41/176 , F21S41/18 , F21S41/255 , F21S41/321 , F21S41/36 , F21S41/365 , F21S41/675 , F21W2102/17 , F21W2102/19 , F21Y2113/00 , F21Y2115/30 , G02B19/0028 , G02B19/0061 , G02B2207/113
Abstract: 本发明提供照明装置和具备该照明装置的车辆用前照灯,其中,前灯系统(100)配备:具有接收激光而进行发光的发光部的激光源单元(1a);具有LED的LED光源单元(2a/2b),激光源单元(1a)朝向配光点(A1)配光,并且LED光源单元(2a/2b)朝向配光区域(a1/a2)配光。
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公开(公告)号:CN102853378A
公开(公告)日:2013-01-02
申请号:CN201210216231.7
申请日:2012-06-26
Applicant: 夏普株式会社
IPC: F21V13/14 , F21S8/10 , F21Y101/02 , F21W101/10
CPC classification number: F21S48/1747 , B60Q1/0023 , B60Q1/143 , B60Q11/005 , B60Q2300/054 , B60Q2300/056 , B60Q2300/45 , F21S41/141 , F21S41/143 , F21S41/147 , F21S41/16 , F21S41/285 , F21S41/321 , F21S41/663 , F21Y2115/10
Abstract: 本发明的投射装置(100),具有多个光源单元(1a~1e),该光源单元具有如下:接收激光而发光的发光部和反射镜。光源单元(1a~1e)各自朝向作为分割投射照明区域(11)的区域的投射点(11a~11e)进行投射,照明区域(11)是投射点(11a~11e)经多个组合而形成。
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公开(公告)号:CN102084560A
公开(公告)日:2011-06-01
申请号:CN200980126170.1
申请日:2009-07-07
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0207 , H01S5/22 , H01S5/2231 , H01S5/2232
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体激光元件,其特征为包含:基板(100、200、300);在基板(100、200、300)上形成的n型氮化物半导体层(101、201、301);在n型氮化物半导体层(101、201、301)上形成的氮化物半导体活性层(104、204、304)、在氮化物半导体活性层(104、204、304)上形成的p型氮化物半导体层(107、207、307、108、208、308);以及在p型氮化物半导体层(107、207、307、108、208、308)上形成的上部透明导电膜(109、209、309),氮化物半导体活性层(104、204、304)具有包含铟的氮化物半导体阱层(131)和氮化物半导体障壁层(132)。
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