一种无并联均压电容的特高压罐式避雷器

    公开(公告)号:CN101383209A

    公开(公告)日:2009-03-11

    申请号:CN200810225055.7

    申请日:2008-10-27

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明涉及一种无并联均压电容的特高压罐式避雷器,属于电工设备技术领域。包括避雷器罐体、阀片、阀片芯棒、均压罩、固定法兰等。阀片串叠在阀片芯棒上,形成阀片柱,四个阀片柱的两端分别固定在两个固定法兰上,形成一节阀片芯体,多节阀片芯体串联构成避雷器芯体。避雷器芯体置于避雷器罐体的中心线上,避雷器芯体的一端通过固定法兰与避雷器罐体相对固定,避雷器芯体的中部通过径向绝缘支架与避雷器罐体相对固定,避雷器芯体的另一端伸入均压罩内,并通过固定法兰固定在均压罩的底部。本发明避雷器使得避雷器整体的电位分布不均匀性小于15%,而且简化了特高压GIS罐式避雷器的结构,降低了产品成本。

    基于Powell算法和粒子群算法的雷电流波形参数识别方法

    公开(公告)号:CN106841750B

    公开(公告)日:2019-07-26

    申请号:CN201710146666.1

    申请日:2017-03-13

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明提出的基于Powell算法和粒子群算法的雷电流波形参数识别方法,属于电工领域中雷电监测技术领域。该方法首先通过电流传感器获取实测雷电基底电流数据,确定雷电基底电流函数模型,根据实测雷电基底电流数据得到雷电基底电流的波形参数;然后结合Powell算法和粒子群算法,对实测雷电基底电流波形参数进行波形参数识别。本发明克服了传统的雷电流波形参数识别方法中采用粒子群算法容易停滞在局部最优结果这一缺点,并且相比于Nelder‑Mead单纯形法加粒子群算法,具有收敛迭代次数更小的优点,对实测雷电基底电流数据进行波形参数辨识,可以有效帮助实现电力电子系统雷电防护的数字化监测。

    确定非线性绝缘材料内压敏微球的渗流阈值的计算方法

    公开(公告)号:CN105912759B

    公开(公告)日:2019-07-23

    申请号:CN201610210524.2

    申请日:2016-04-06

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明涉及确定非线性绝缘材料内压敏微球的渗流阈值的计算方法,包括以下步骤:(1)、绝缘材料整体计算区域的生成;(2)、微球分布的生成:在上述生成好的计算区域内;(3)、材料特性的设置;(4)、复合物伏安特性的求解;(5)、复合物渗流阈值的确定。本发明的有益效果是:通过matlab软件进行仿真计算来测定非线性复合物内压敏微球渗流阈值的方法,实际计算以ZnO压敏微球为填料的ZnO/硅橡胶非线性复合物的渗流阈值,针对非线性复合物的渗流阈值可能随着基体或者压敏微球填料特性而改变的问题,提出一种通过数值计算来推测复合物渗流阈值的方法,从而为非线性复合物的制备及其在高压绝缘设备上的应用设计提供特征参数。

    大气离子迁移率的测试方法及装置

    公开(公告)号:CN105806926B

    公开(公告)日:2018-05-15

    申请号:CN201610143313.1

    申请日:2016-03-14

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明公开了大气离子迁移率的测试方法及装置,包括:确定上下极板之间的距离d及周围的气压、温度和相对湿度;确定下极板的电场Ed和上极板的电压VT的方程组,并对Ed和VT的方程组联合求解得到离子迁移率k,调节Vco和VA的电压,使起晕细导线网发生电晕放电;调节VT使电晕电荷通过上极板到达下极板;测量下极板处的电场强度Ed和离子流密度J;将VT、Ed、J代入到离子迁移率k的方程中,得到离子迁移率。本发明直接通过严格的解方程获得离子迁移率,而无需采用E0=0的假设,结果更准确;只需一组测试数据即可得到离子迁移率,无需为了寻找IT变化但测试区离子流密度J趋于饱和的曲线而测量大量的点。

    一种ZnO压敏陶瓷微球的制备方法

    公开(公告)号:CN105272207A

    公开(公告)日:2016-01-27

    申请号:CN201510725767.5

    申请日:2015-10-29

    Abstract: 本发明涉及一种ZnO压敏陶瓷微球的制备方法,属于压敏功能陶瓷材料的生产加工技术领域。该制备方法为将Bi2O3、MnO2、Sb2O3、Co2O3、SiO2和Cr2O3加入去离子水球磨至分散均匀;在ZnO中加入PVA,分散剂和去离子水球磨至分散均匀;在得到的ZnO浆料中加入Ga2O3,球磨至分散均匀;在得到的混合ZnO浆料加入球磨好的Bi2O3、MnO2、Sb2O3、Co2O3、SiO2和Cr2O3混合浆料,球磨,并搅拌至分散均匀,并将搅拌好的混合浆料经200目过筛;将得到的浆料造粒;将造粒后的颗粒进行烧结,制得ZnO压敏陶瓷微球。本发明制得的ZnO压敏陶瓷微球具有球型形状、尺寸比较均一、非线性性能好、泄露电流低等优点。

    一种制备低残压ZnO压敏电阻陶瓷的工艺方法

    公开(公告)号:CN101786874B

    公开(公告)日:2012-02-22

    申请号:CN201010034238.8

    申请日:2010-01-15

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明涉及一种制备低残压ZnO压敏电阻陶瓷的工艺方法,属于低残压ZnO压敏电阻陶瓷的加工技术领域;该方法基于两步烧结法和籽晶法的低残压ZnO压敏电阻陶瓷的制备工艺,该原料配方包括:ZnO、Bi2O3、MnO2、Sb2O3、Co2O3、SiO2、Al(NO3)3·9H2O和Cr2O3;该方法包括:采用原料配方中的ZnO、Bi2O3和Al(NO3)3·9H2O;球磨后烘干作为籽晶原料;再放入高温电炉中,进行第一步预烧成籽晶硬块,随炉冷却至常温;再球磨后;过筛,得到籽晶;将所有剩余的原料、籽晶与PVA溶液混合,球磨后烘干,过筛,含水造粒,将其压成坯体;将坯体进行第二步烧结后冷却到常温。本发明在降低晶粒电阻率和降低ZnO压敏电阻残压的同时,又抑制了泄漏电流的增长和非线性系数的下降。从而使该材料具有更高的性能和更适于工业应用。

    一种高电压梯度氧化锌压敏电阻阀片的制备方法

    公开(公告)号:CN101383208B

    公开(公告)日:2010-11-03

    申请号:CN200810225054.2

    申请日:2008-10-27

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明涉及一种高电压梯度氧化锌压敏电阻阀片的制备方法,属于电工材料技术领域。首先原料的摩尔百分比进行配制原料,在配制好的氧化锌掺杂原料中,加入去离子水作为弥散剂,加入聚乙烯醇水溶液作为粘结剂,用纯氧化硅制成的研磨球进行研磨,将球磨后的浆料干燥,加入去离子水,搅拌形成含水颗粒料,压片成型,排胶,烧结,磨片、清洗,喷铝、上侧面绝缘。本发明阀片压敏电压梯度达到400V/mm、方波能量吸收密度达到250J/cm3以上。将本发明阀片应用于特高压GIS罐式避雷器中,有效简化特高压GIS罐式避雷器的结构设计,降低其生产制造难度和成本,同时提高避雷器内在的安全可靠性,因而具有很好的社会和经济效益。

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