-
公开(公告)号：CN112002507A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010622788.5
申请日：2020-07-01
申请人： 清华大学 , 西安西电避雷器有限责任公司
摘要： 一种直流断路器开关器件保护用MOV结构设计,包括上下两个金属端盖以及安装于两个所述金属端盖之间的串子模块，所述串子模块包括上电极、电阻片、下电极，所述上电极、电阻片、下电极从上向下依次放置，所述上电极与电阻片之间垫有弹簧片，所述上电极、电阻片、下电极外侧包裹有绝缘筒。其有益效果是：稳定性、能够降低避雷器残压，对断路器内部电力电子装置起到有效保护，并有效提高避雷器的能量泄放能力，提高断路器的安全裕度，进而提高整体设备的运行稳定性。
-
公开(公告)号：CN105016721B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201510378829.X
申请日：2015-07-01
申请人： 清华大学 , 西安西电避雷器有限责任公司
IPC分类号： C04B35/453 , C04B35/622
摘要： 本发明公开了一种采用铝、镓和钇离子共同掺杂制备ZnO压敏电阻陶瓷的方法，属于材料领域，该方法的制备步骤包括将Bi2O3、Sb2O3、MnO2、Cr2O3、Co2O3、SiO2混合，加入去离子水球磨；在球磨好的浆料中加入ZnO和去离子水，再次球磨；在球磨好的ZnO浆料中加入Al(NO3)3、Ga(NO3)3、Y(NO3)3或Y2O3，再次球磨；将球磨好的浆料压片烧结。该方法制备出的电阻陶瓷具有泄露电流小、梯度高、残压低、通流容量大、老化性能稳定的特点，更能适合输电线路避雷器和GIS避雷器、以及深度限制电力系统过电压的应用需求。
-
公开(公告)号：CN109686520A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811434753.8
申请日：2018-11-28
申请人： 清华大学 , 西安西电避雷器有限责任公司
摘要： 一种高通流ZnO压敏电阻专用新型侧面高阻层的制备，将配好的原料经混合和加热溶解，制成均匀的溶液，并在电阻片成型后直接涂覆在电阻片的侧面，其特征在于，包括原料配制步骤、球磨混合步骤、喷雾干燥步骤、压制成型步骤、烧结步骤、涂覆步骤、成片步骤，所述原料配制步骤、球磨混合步骤、喷雾干燥步骤、压制成型步骤、烧结步骤、涂覆步骤依次进行。其有益效果是：选择在成型后上高阻层，减少了原来因预烧收缩率不一致带来的釉层厚度的波动，工艺上更稳定。
-
公开(公告)号：CN108503392A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810314337.8
申请日：2018-04-10
申请人： 清华大学 , 西安西电避雷器有限责任公司
摘要： 一种用于氧化锌压敏电阻的液体高阻层，其配方包括，Bi(NO3)3、Co(NO3)2、Mn(NO3)2、CH3COOLi，其配置方法为，将配方中个原料与溶剂混合，并通过加热溶解，其使用方法为，将配方溶液涂覆于电阻片侧面。其有益效果是：通过高阻层配方调整，以及工艺的控制，使得电阻片的本体与釉层的收缩率匹配，既解决了电阻片的侧面绝缘问题，同时提高了电阻片的方波通流容量。减少了原来因预烧收缩率不一致带来的釉层厚度的波动，电阻片不出现裂纹，工艺上更稳定。
-
公开(公告)号：CN106966716A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201710149580.4
申请日：2017-03-14
申请人： 清华大学 , 西安西电避雷器有限责任公司
IPC分类号： C04B35/453 , C04B35/626
CPC分类号： C04B35/453 , C04B35/6261 , C04B35/62695 , C04B2235/3225 , C04B2235/3241 , C04B2235/3267 , C04B2235/3275 , C04B2235/3286 , C04B2235/3294 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418
摘要： 一种高电压梯度ZnO压敏陶瓷微球的制备方法，其特征在于，包括浆料制备步骤、造粒步骤、结烧步骤，所述浆料制备步骤、造粒步骤、结烧步骤依次进行。其有益效果是：有效地提高ZnO压敏陶瓷微球的电压梯度，改善ZnO压敏陶瓷微球的老化稳定性，经老化实验测定，老化系数为1。
-
公开(公告)号：CN106587985A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611236592.2
申请日：2016-12-28
申请人： 清华大学 , 西安西电避雷器有限责任公司
IPC分类号： C04B35/453 , C04B35/622 , C04B41/90 , H01C17/06
摘要： 一种高通流容量的高梯度氧化锌压敏电阻高阻层制备方法，包括坯体、高阻层，所述高阻层包裹于所述坯体外侧，所述高阻层配方包括ZnO、Fe2O3、Bi2O3、Sb2O3、SiO2、MnO2、Li2CO3、Ni2O3，所述坯体为氧化锌压敏电阻坯体，所述坯体的配方包括ZnO、Fe2O3、Bi2O3、Sb2O3、SiO2、MnO2、Li2CO3、Ni2O3。其有益效果是：增加压敏电阻的机械强度，防止出现裂纹和闪络现象，既能增加压敏电阻本体侧面的绝缘强度，又不影响本体的通流面积。
-
公开(公告)号：CN105272207A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510725767.5
申请日：2015-10-29
申请人： 清华大学 , 西安西电避雷器有限责任公司
IPC分类号： C04B35/453
摘要： 本发明涉及一种ZnO压敏陶瓷微球的制备方法，属于压敏功能陶瓷材料的生产加工技术领域。该制备方法为将Bi2O3、MnO2、Sb2O3、Co2O3、SiO2和Cr2O3加入去离子水球磨至分散均匀；在ZnO中加入PVA，分散剂和去离子水球磨至分散均匀；在得到的ZnO浆料中加入Ga2O3，球磨至分散均匀；在得到的混合ZnO浆料加入球磨好的Bi2O3、MnO2、Sb2O3、Co2O3、SiO2和Cr2O3混合浆料，球磨，并搅拌至分散均匀，并将搅拌好的混合浆料经200目过筛；将得到的浆料造粒；将造粒后的颗粒进行烧结，制得ZnO压敏陶瓷微球。本发明制得的ZnO压敏陶瓷微球具有球型形状、尺寸比较均一、非线性性能好、泄露电流低等优点。
-
公开(公告)号：CN111220654A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201911224123.2
申请日：2019-12-04
申请人： 清华大学 , 国网电力科学研究院武汉南瑞有限责任公司 , 西安西电避雷器有限责任公司 , 国网安徽省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G01N27/00
摘要： 一种氧化锌晶界老化迁移离子鉴别方法,将Bi系准双晶样品进行老化实验，并采用C-V法进行测量，获得样品于电气老化过程中的双肖特基势垒参数变化，将该参数变化作为仿真参数与预测的晶界老化特性进行对比，进行本证迁移离子缺陷鉴别。其有益效果是：在晶界老化过程仿真计算中沿用了无限薄晶间层的模型，并对刘俊等人的工作进行了相应的改进，尤其是对参数的选择进行了优化。
-
公开(公告)号：CN110954591A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201911224125.1
申请日：2019-12-04
申请人： 清华大学 , 国网电力科学研究院武汉南瑞有限责任公司 , 西安西电避雷器有限责任公司 , 国网安徽省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G01N27/62
摘要： 一种氧化锌晶界老化过程离子迁移行为观测方法，对Bi系准双晶样品持续施加+3V直流电压偏置，在320K温度下进行直流老化，老化期间每经过10分钟，即施加正极性的ns级脉冲以开展PEA法测量，获得对应时刻的样品内部空间电荷分布的测量结果，并对测量结果进行分析。其有益效果是：针对PEA法测量中含有样品内部空间电荷分布信息的声波在有损介质中传播时的损耗现象，建立了相应的声波损耗模型，其中提出的有损声波传播方程，修正了公式，进一步完善了PEA法的理论体系。本发明提出的声波损耗模型具有普适性，可适用于各种材料样品的PEA法测量中声波信号损耗现象的讨论。
-
公开(公告)号：CN110952140A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201911233840.1
申请日：2019-12-05
申请人： 清华大学 , 国网电力科学研究院武汉南瑞有限责任公司 , 西安西电避雷器有限责任公司
摘要： 一种实验用氧化锌人工晶界结构及其制备方法，晶界结构包括氧化锌单晶、掺杂物薄膜，素数氧化锌单晶为双层结构，所述掺杂物薄膜位于两层氧化锌单晶之间。其有益效果是：基于氧化锌单晶和含Bi掺杂物薄膜，制备了具有优异非线性伏安特性的Bi系氧化锌准双晶样品，规避使用常规金、银电极时产生的肖特基接触，影响实验测量。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
660 条记录 (耗时 0.051 秒)
