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公开(公告)号：CN115161647A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210819764.8
申请日：2022-07-13
申请人： 江苏富乐华半导体科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种改善覆铜陶瓷基板焊接后铜面氧化的方法。使用酸洗、水洗、碱洗、水洗、烘干等流程将抗氧化膜去除掉，从而达到覆铜陶瓷基板在客户端焊接后不发生氧化的效果。同时，在酸洗过程中加入改性二氧化硅，防止浓硫酸会对铜板造成侵蚀，影响使用性能。但是不带抗氧化层的覆铜陶瓷基板，会引发铜面色差，在长期运输、湿气接触下，覆铜陶瓷基板会发生氧化等问题，本发明通过N2烘烤流程解决了这个问题，制备得到一种符合生产要求的去除了抗氧化层的覆铜陶瓷基板。
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公开(公告)号：CN113471081B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202110671462.6
申请日：2021-06-17
申请人： 江苏富乐华半导体科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/48
摘要： 本发明涉及改善陶瓷覆铜载板高温烧结后外观不良的方法，包括：A、微蚀，采用硫酸与过硫酸钠混合液对陶瓷覆铜载板进行微蚀并进行溢流水洗，硫酸的浓度为18.4～36.8g/L，过硫酸钠的浓度为20～40g/L；B、喷砂，采用Al2O3质量百分比为10～20％的金刚砂悬浊液作为喷砂液，上下喷淋，喷砂角度为90°，喷砂压力为2kg/cm2，喷砂距离为8～12mm，铜基体经过喷砂处理后平均厚度减少0.5‑0.8μm；C、水洗烘干，依次采用回收水洗、溢流水洗、加压水洗、超声波浸洗、HF水洗、摇摆高压水洗、加压水洗、DI水洗、干板组合进行水洗和烘干，冷却后取出；D、烧结再结晶，将步骤C处理后得到的产品置于烧结炉内，并通入氮气和空气混合气，控制炉内氧分压在8～15ppm，在1075～1083℃条件下烧结，使铜片表面再结晶。
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公开(公告)号：CN113215518B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202110284530.3
申请日：2021-03-17
申请人： 江苏富乐华半导体科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种铜片氧化方法，将铜片与陶瓷层键合的一面形成特定厚度的氧化层，另一面不形成氧化层。其中，氧化炉内设置有入口、加温区、冷却区以及出口，加温区包括十个温区，各区温度设置如下：一区550℃、二区650℃、三区680℃、四区720℃、五区720℃、六区720℃、七区750℃、八区750℃、九区720℃、十区710℃；氧化炉顶部和底部的进气口处均分别设置有氧气进气管和氮气进气管，氧气的流量设定为38mL/min，氮气的流量设定如下：入口25～35L/min；加温区中一至三区顶部0L/min、四至六区顶部75～85L/min、八至十区顶部75～85L/min、一至十区底部0L/min；冷却区25～35L/min；出口25～35L/min。
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公开(公告)号：CN111945139B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202010730421.5
申请日：2020-07-27
申请人： 江苏富乐华半导体科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种覆铜陶瓷基板镀镍方法，在陶瓷覆铜板图形化工艺后进行，包括如下步骤：1)制备高光面铜面：在20℃‑35℃条件下，将覆铜陶瓷基板置于抛光液中抛光5min‑30min，抛光后不进行烘干，保持湿板状态；2)清洗、烘干：将经步骤1)处理后的覆铜陶瓷基板依次进行除油、酸性微蚀、溢流水洗、冷风吹干、防氧化清洗、溢流水洗、超声水洗后，先表面吸水处理，而后采用热风烘干；3)化学镀镍：将经步骤2)处理后的覆铜陶瓷基板依次进行弱蚀、水洗、活化、水洗处理后进行化学镀镍。化学镀镍使用硫酸镍和次磷酸钠体系的化学镀镍液，镀镍时pH值控制在4‑6，温度控制在80℃‑100℃。
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公开(公告)号：CN111653486B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202010372412.3
申请日：2020-05-06
申请人： 江苏富乐华半导体科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/48
摘要： 本发明涉及一种提高覆铜陶瓷基板冷热冲击可靠性的方法，包括如下步骤：A极冷处理阶段：将图形化工艺后的覆铜陶瓷基板产品，除杂后置于‑55℃～‑75℃温度环境下2min‑3min；B缓慢升温阶段：升温速率为0.4～0.8℃/min，升温至20℃±5℃，用时2‑3h，使得覆铜陶瓷基板产品温度提升；C，室温处理阶段：将覆铜陶瓷基板产品置于20℃±5℃温度环境下2min‑3min；D，将步骤C中的产品再依次置于步骤A、B、C环境中，循环操作3‑10次。本发明中的提高覆铜陶瓷基板冷热冲击可靠性的方法操作简单、适用性广，通过实验对比，通过本发明方法处理后的覆铜陶瓷基板抗冷热冲击性能提高50％。同时，本发明的处理方法还可与现有工艺适配，复合增强覆铜陶瓷基板冷热冲击可靠性。
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公开(公告)号：CN112582278B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202011465023.1
申请日：2020-12-14
申请人： 江苏富乐华半导体科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/48
摘要： 本发明涉及半导体技术领域。一种DCB覆铜基板制备方法，包括如下步骤：步骤一，真空扩散焊：将清洗后的金属薄片以及铜片叠放在一起，真空条件下进行扩散焊，形成金属薄片与铜片焊接相连的组合体；步骤二，组合体表面清洗；步骤三，干法氧化：在氮气保护的弱氧气氛下对组合体进行表面氧化；步骤四，烧结：组合体预弯，预弯后的组合体扣在瓷片上进行氧化烧结。保证金属面的质量，从而显著减少烧结大气泡。
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公开(公告)号：CN114002260A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111301182.2
申请日：2021-11-04
申请人： 江苏富乐华半导体科技股份有限公司
IPC分类号： G01N25/00
摘要： 本发明公开了一种DPC陶瓷镀铜基板结合力检测方法，本发明通过制备烘烤治具，在治具表面涂覆聚苯并咪唑涂层，降低治具表面硬度以装载DPC陶瓷镀铜基板，使用高温氮气烘箱对DPC陶瓷基板进行加热的方式，对批量产品进行全面检测；检测时炉内有氮气氛围保护，不会令产品发生氧化，不对产品造成破坏，可以使其继续使用，从而减少了由于抽检漏检，致使残次品流入客户，造成不便的风险，在DPC陶瓷镀铜基板技术领域有这广阔的应用。
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公开(公告)号：CN216144175U
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202121958632.0
申请日：2021-08-19
申请人： 江苏富乐华半导体科技股份有限公司
摘要： 本实用新型提供一种覆铜陶瓷基板双面烧结治具，包括底板，所述底板短轴的边缘处均匀布置有若干个第一治具点，所述第一治具点下表面固定连接有第一底部凸点，所述底板上表面开设有与第一底部凸点相配合的第一定位孔，所述第一底部凸点安插在第一定位孔内，所述底板长轴的边缘处安装有第二治具点，所述第二治具点下表面固定连接有第二底部凸点，所述底板上表面开设有与第二底部凸点相配合的第二定位孔，所述第二底部凸点安插在第二定位孔内，所述第一治具点的高度是第二治具点高度的两倍，与现有技术相比，本实用新型具有如下的有益效果：实现治具点的数量和相对底板的位置根据覆铜陶瓷基板不同的翘曲要求做相应的改变。
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公开(公告)号：CN216151502U
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202122214072.4
申请日：2021-09-13
申请人： 江苏富乐华半导体科技股份有限公司
IPC分类号： B23K26/70 , B23K37/04 , B23K26/382
摘要： 本实用新型提供一种陶瓷打孔划线的切割机平台，包括底板，所述底板的上端面设置有多个磁钢，所述底板通过磁钢与第一框架以及第二框架相连接，所述底板的上端面四角位置均设置有第二框架，所述第一框架以及第二框架的上端面均设置有顶板，所述顶板的上端面均匀分布多个吸气孔，位于前侧中间位置的第一框架的前侧端面连通固定有气管，且气管背离第一框架的一端与负压风机相连通，与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果：在顶板、第一框架以及第二框架的作用下，方便对陶瓷覆铜基板的位置限定，同时有利于对翘曲产品固定。
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