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发明公开
绝缘层覆硅结构及其制备方法有权转让

公开(公告)号：CN104952886A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510325062.4

申请日：2015-06-12

申请人： 宁波时代全芯科技有限公司 , 英属维京群岛商时代全芯科技有限公司

发明人： 吴孝哲

IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/77

摘要： 本发明揭露一种绝缘层覆硅结构及其制备方法。绝缘层覆硅结构包含一底层，一绝缘层，一主动层与一阻隔层。绝缘层位于底层上，而主动层嵌于绝缘层中。阻隔层则位于绝缘层中并环绕主动层。