测量异质结样品薄膜和基底热导率及界面热阻的方法

    公开(公告)号:CN114509469B

    公开(公告)日:2023-11-14

    申请号:CN202210042831.X

    申请日:2022-01-14

    Applicant: 清华大学

    Inventor: 曹炳阳 杨光

    Abstract: 本发明提出了一种测量异质结样品薄膜和基底热导率及界面热阻的三电极3ω‑2ω方法,通过在薄膜远离基底的表面设置一个宽加热电极、一个窄加热电极以及一个探测电极,接通电流后测量交流热响应信号进而反演计算出薄膜和基底的热导率以及界面热阻,该方法具有以下优点:(1)实现了单个样品薄膜、基底热导率以及两者间界面热阻的高精度原位测量;(2)直接测量得到基底热导率,无需引用外部数据,减小了薄膜热导率和界面热阻的测量误差,提高了精度;(3)薄膜热导率经测量和反演计算得到,不受材料种类限制,使该方法可适用更多的材料。

    测量固体材料各向异性热导率的方法

    公开(公告)号:CN115266812A

    公开(公告)日:2022-11-01

    申请号:CN202211027221.9

    申请日:2022-08-25

    Applicant: 清华大学

    Inventor: 曹炳阳 杨光

    Abstract: 本发明提出了一种测量固体材料各向异性热导率的方法。在绝缘层远离基底的表面设置一个宽的第一加热电极、一个窄的第二加热电极以及一个探测电极,依次向第一加热电极和第二加热电极接通交流电流,同时向探测电极接通直流电流,通过测量探测电极的交流热响应信号进而求解出材料的各向异性热导率。本发明的方法具有以下优点:(1)探测电极的交流热响应信号仅对基底热导率敏感,消除了绝缘层热导率、绝缘层与电极间的界面热阻、绝缘层与基底间的界面热阻所引入的测量误差;(2)基底材料的各向异性热导率通过求解二元非线性方程组的方法计算得到,避免采用多参数拟合算法,提高了求解精度。

    一种芯片油藏及其制作方法

    公开(公告)号:CN110302853A

    公开(公告)日:2019-10-08

    申请号:CN201910596301.8

    申请日:2019-07-03

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 一种芯片油藏及其制作方法。所述方法包括:对真实油藏岩心进行三维结构扫描、重构,提取孔径分布特征,对真实油藏岩心的孔隙结构的形成及岩石颗粒的堆积形态进行分析,提取所述岩石颗粒中的主要的大颗粒的形态,并建立大颗粒形态数据库;将大颗粒和小颗粒随机分布并投影在芯片油藏的多孔介质区域和剩余区域中,得到芯片油藏结构图片;将芯片油藏结构图片导入绘图软件中,并绘制芯片油藏结构的进出口区域,得到芯片油藏设计图;和将所述芯片油藏设计图刻蚀在基底上,并和上下游处打孔的耐热玻璃阳极键和,得到所述芯片油藏。通过本申请的方法制作得到的芯片油藏能够在最大程度上保证真实岩心的主要结构特征。

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