一种双势垒肖特基二极管
    41.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111244190B

    公开(公告)日:2021-02-12

    申请号:CN202010030727.X

    申请日:2020-01-13

    Abstract: 本发明公开了一种双势垒肖特基二极管,将两个肖特基接触以背靠背的方式紧密制作在同一台面(中间台面)上,以从器件层面上获得偶对称的C‑V特性和奇对称的I‑V特性,使其在制作倍频器时,输出只有奇次谐波,而没有偶次谐波,以适用于高次倍频器的制作。而且两个肖特基接触的阴极通过缓冲层连接,不需要欧姆接触,降低了器件的串联电阻,有助于提高倍频效率。本发明结构简单,并且与普通的二极管工艺完全兼容,有助于简化倍频器的设计,在毫米波及太赫兹频段倍频器的设计中具有很好的实用性。

    太赫兹无跳线倒置共面波导单片电路封装过渡结构

    公开(公告)号:CN107317081B

    公开(公告)日:2020-11-10

    申请号:CN201710541114.0

    申请日:2017-07-05

    Abstract: 本发明公开了一种太赫兹无跳线倒置共面波导单片电路封装过渡结构,其特征在于:包括下腔体、上腔体和共面波导电路,上腔体封盖在下腔体上形成依次连通的矩形波导腔、共面波导电路屏蔽腔和单片电路屏蔽腔,单片电路屏蔽腔内安装有单片电路,共面波导电路安装在共面波导电路屏蔽腔内,共面波导电路与单片电路相连;本发明所提供的一种太赫兹无跳线倒置共面波导单片电路封装过渡结构,能效降低芯片封装结构在太赫兹频段的损耗,提升封装新能,降低工艺复杂度和成本,结构简洁,设计制造方便。

    一种带接地回路的波导到微带E面探针过渡结构

    公开(公告)号:CN110212277B

    公开(公告)日:2020-11-06

    申请号:CN201910588306.6

    申请日:2019-07-02

    Abstract: 本发明公开了一种带接地回路的波导到微带E面探针过渡结构,该结构在传统E面探针的基础上将E面探针通过一根沿波导中心线的细金属线连接至波导短路面,从而在实现波导到微带过渡的同时,实现了微带接地的功能,解决了毫米波及太赫兹频段狭窄通道中微带电路接地困难的问题,并且所引入的接地细金属线近乎不影响原先的E面探针的传输性能,使得新的接地E面探针无需重新设计;本发明具有结构简单、加工方便等优点,极大地简化了波导到微带过渡与直流接地的设计,在毫米波及太赫兹频段混频器、倍频器、检波器等功能电路的设计中具有很好的实用价值。

    一种双层对称差分平面涡流检测传感器

    公开(公告)号:CN111398413A

    公开(公告)日:2020-07-10

    申请号:CN202010337454.3

    申请日:2020-04-26

    Abstract: 本发明公开了一种双层对称差分平面涡流检测传感器,通过信号发生器产生激励信号并发送至功率放大器,通过功率放大器放大后通过引线接入到激励线圈的焊盘上,激励线圈在激励信号的驱动下产生初级磁场,当被测试件处在初级磁场时,初级磁场在被测试件表面产生涡流,涡流在缺陷处流向发生改变,因为涡流发生了变化,涡流生成的次级磁场发生变化,通过检测线圈的磁通量发生变化,进而检测线圈的幅值和相位发生变化,因此,将初级磁场产生的感应电压和次级磁场产生的感应电压通过检测线圈的焊盘输入至信号处理电路,然后进行幅值、相位提取,再经过放大和滤波处理后,通过上位机处理采集的检测信号,进而准确的检测出缺陷信息。

    一种双势垒肖特基二极管
    45.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111244190A

    公开(公告)日:2020-06-05

    申请号:CN202010030727.X

    申请日:2020-01-13

    Abstract: 本发明公开了一种双势垒肖特基二极管,将两个肖特基接触以背靠背的方式紧密制作在同一台面(中间台面)上,以从器件层面上获得偶对称的C-V特性和奇对称的I-V特性,使其在制作倍频器时,输出只有奇次谐波,而没有偶次谐波,以适用于高次倍频器的制作。而且两个肖特基接触的阴极通过缓冲层连接,不需要欧姆接触,降低了器件的串联电阻,有助于提高倍频效率。本发明结构简单,并且与普通的二极管工艺完全兼容,有助于简化倍频器的设计,在毫米波及太赫兹频段倍频器的设计中具有很好的实用性。

    一种基于深度可分离卷积的鉴别视频真伪性的检测方法

    公开(公告)号:CN111222457A

    公开(公告)日:2020-06-02

    申请号:CN202010008338.7

    申请日:2020-01-06

    Abstract: 本发明公开了一种基于深度可分离卷积的鉴别视频真伪性的检测方法,属于图像处理技术领域。该方法包括获取人脸视频图像并划分为训练集和测试集,构建基于深度可分离卷积的视频真伪性鉴别模型并进行训练,利用训练后的视频真伪性鉴别模型对测试集图像进行预测,输出图像所属视频的真伪分类。本发明采用深度可分离卷积构建的特征提取模块与残差网络、卷积神经网络相结合的架构,构建基于深度可分离卷积的视频真伪性鉴别模型,能够在保证判别准确性不降低的同时有效减小网络体积,降低运行成本提高运行速度,进一步提高视频真伪鉴别方法的实用性。

    基于半模基片集成波导超材料传输线滤波器

    公开(公告)号:CN107256998B

    公开(公告)日:2019-05-24

    申请号:CN201710483825.7

    申请日:2017-06-23

    Abstract: 本发明公开了一种基于半模基片集成波导超材料传输线滤波器,包括从上到下布置的上层介质层,介质基板和下层介质层,介质基板的上下面分别与上金属片和下金属片相连,上金属片与上层介质层相连,下金属片与下层介质层相连;介质基板的一侧分布设有多个依次间隔排列的介质基板金属化通孔,上金属片和下金属片通过介质基板金属化通孔相连,介质基板的两端分别设有输入端和输出端,微波信号通过输入端进入上金属片,再通过输出端输出。本发明提供的一种基于半模基片集成波导超材料传输线滤波器,其尺寸小,Q值较高,便于集成,成本低,实现了基片集成波导滤波器的小型化,扩大了基片集成波导的应用范围。

    一种用于TALEN高效构建的双RVD单元模块库及TALEN构建方法

    公开(公告)号:CN105950623B

    公开(公告)日:2018-11-30

    申请号:CN201610341638.0

    申请日:2016-05-19

    Abstract: 本发明属于基因工程技术领域,涉及一种用于TALEN高效构建的双RVD单元模块库。本发明针对现有GG‑Vector TALEN组装方法的诸多不足,从头设计了“双RVD单元”(two‑RVD unite)的TALEN组装策略。本发明的技术方案是一种用于TALEN高效构建的双RVD单元模块库,包括独立包装的144个双RVD单元模块、8个单RVD单元模块和24个末位RVD单元。本发明公布了一种基于Golden Gate克隆法的双RVD单元模块库,通过一次反应,可以构建靶向15~19bp任意DNA序列的TALEN表达载体。

    一种基于液体培养基的白芨种苗生产方法

    公开(公告)号:CN105325302B

    公开(公告)日:2018-05-11

    申请号:CN201510922087.2

    申请日:2015-12-11

    Abstract: 本发明属于中药材种植技术领域,特别是一种基于液体培养基的白芨种苗生产方法。本发明要解决的技术问题是为快速获得白芨幼苗提供一种新方法。该方法括如下步骤:a、灭菌;b、萌发;c、生长成芽;d、生根培养;e、将成苗进行炼苗,移栽。该方法操作简便,成本低廉,每瓶液体培养基可萌发数万粒种子,且种子萌发整齐,出苗一致,污染率低。本发明最终实现了白芨组培苗的高效快速生产,并有效简化操作程序,降低生产成本,便于进行规模化生产。

    基于平面单极子和基片集成波导开槽的多频带天线

    公开(公告)号:CN107968261A

    公开(公告)日:2018-04-27

    申请号:CN201610933570.5

    申请日:2016-10-25

    CPC classification number: H01Q1/50 H01Q1/36

    Abstract: 本发明属于无线通信技术领域,提供一种基于平面单极子和基片集成波导开槽的微波和毫米波多频带天线;包括平面单极子天线、基片集成波导开槽天线、低通滤波器以及微带馈线;其特征在于,所述基片集成波导开槽天线由基片集成波导于传输终端沿中心线对称开设两个直角三角形槽构成,所述微带馈线通过梯形过渡结构馈电于基片集成波导开槽天线宽壁中央,所述低通滤波器连接于微带馈线,微带馈线通过所述低通滤波器馈电于平面单极子天线。本发明利用低通滤波器的低筒特性和基片集成波导的截止特性完成微波和毫米波频率的分离,实现微波和毫米波天线的分离设计;且本发明结构紧凑,与传统的印制电路工艺兼容,易于加工,成本低廉。

Patent Agency Ranking