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公开(公告)号：CN112883673B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202110041548.0
申请日：2021-01-13
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明提供一种基于硅衬底的石墨烯场效应管直流模型及建模方法，属于场效应晶体管技术领域。该直流模型在常规石墨烯场效应管扩散漂移载流子运输模型的基础上，考虑硅衬底提供的硅载流子参与导电情况，对常规模型进行修正，从而建立了基于硅衬底的石墨烯场效应管直流模型，该模型能较为准确地预测硅衬底石墨烯场效应管直流特性。本发明利用数学模型揭示了物理原理，为硅衬底的石墨烯场效应管直接应用于电路设计奠定了基础。
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公开(公告)号：CN113504414B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202110696695.1
申请日：2021-06-23
申请人： 电子科技大学 , 中国空气动力研究与发展中心超高速空气动力研究所
IPC分类号： G01R27/26
摘要： 本发明的目的在于提供一种等离子体复介电常数瞬态微波透射检测方法及装置，属于等离子体诊断技术领域。该检测装置以激波管作为高温等离子体产生器，通过微波透射激波管获得穿过等离子体的透射信号，处理得到透射系数，再通过透射系数反推激波管内等离子体的复介电常数变化。与反射法相比，透射法的测试装置比反射法的测试装置简单，无需对消模块，且对接收信号的处理工序更加简洁；与以往的透射法相比，本发明中的透射法考虑了各层介质分界面的反射的影响，提高了模型的准确度和算法的精度；同时，本发明可以测量采样时间内任意时刻等离子体的复介电常数，即可以对等离子体进行瞬态测量，相较于以往的稳态测量方法，本发明的测量结果更加准确。
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公开(公告)号：CN113078458B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202110234718.7
申请日：2021-03-03
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明提供一种用于卫星通信的低剖面低仰角高增益圆极化电磁偶极子天线，属于卫星移动通信领域。本发明天线通过对电偶极子辐射臂设计成特定的扇形形状，有效拓宽天线阻抗带宽；并且通过寄生磁偶极子拓宽了天线的波束宽度，增大了低仰角处增益；同时采用了一种新型AMC结构(人工磁导体反射面)，适用于电磁偶极子天线，该AMC结构紧凑，设计简单，可以有效地降低天线的剖面高度；在介质基板和AMC之间引入空气层，拓宽天线的阻抗带宽，增大天线的增益。因此，本发明天线的总体尺寸为0.48λ0×0.48λ0×0.054λ0(λ0为天线中心频点处工作波长)，具有小型化、低剖面特点。
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公开(公告)号：CN112928491A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110041552.7
申请日：2021-01-13
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01Q17/00
摘要： 本发明提供一种超宽带吸波的双极化可开关的吸反一体材料，属于人工电磁材料技术领域。本发明吸反一体材料基于两个四分之一波长吸波原理，通过设计三层人工电磁材料实现了超宽带吸波特性，且采用的三个二维结构，均可由印刷PCB板实现，成本低，加工简单。除此之外，本发明吸反一体材料的三层结构均具有对称特征，使得整体材料具有双极化特性；且通过直流馈电控制二极管的导通或关断，进而控制吸反一体材料反射窗口的打开或关闭，实现可开关手段简单。
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公开(公告)号：CN112491455B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110158869.9
申请日：2021-02-05
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于阵列单元位置修正的鲁棒性波束赋形方法，属于阵列天线的波束赋形技术领域。为了有效解决由于阵列单元位置偏差引起的副瓣恶化的技术问题，本发明通过对位置偏差的高阶泰勒描述，设置阵列单元位置的估计优化模型，并通过本发明的迭代运算处理，修正阵列位置，从而为阵列天线，特别是大型阵列天线的波束赋形应用，提供较好的阵列位置估计信息，有利于合成低副瓣阵列波束。
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公开(公告)号：CN110911844B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201911189277.2
申请日：2019-11-28
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明提供一种具有宽带透波窗口的吸透一体材料，属于人工超材料技术领域。本发明吸透一体材料由阻抗层和频率选择表面层构成，其中阻抗层由分设于介质层两面中心且具有特殊结构的金属层构成，其中一层金属层以另一层旋转90°得到，金属层中心设计为交指结构；频率选择层有三层金属，实现三阶滤波器的效果。两者结合共同实现了宽带吸波‑透波‑吸波效果，且且本吸透一体材料透波带的矩形度高，透波带与吸波带的过渡带窄；除此之外，在水平极化波和垂直极化波入射下频率响应几乎相同，具有双极化特性。
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公开(公告)号：CN112491455A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202110158869.9
申请日：2021-02-05
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于阵列单元位置修正的鲁棒性波束赋形方法，属于阵列天线的波束赋形技术领域。为了有效解决由于阵列单元位置偏差引起的副瓣恶化的技术问题，本发明通过对位置偏差的高阶泰勒描述，设置阵列单元位置的估计优化模型，并通过本发明的迭代运算处理，修正阵列位置，从而为阵列天线，特别是大型阵列天线的波束赋形应用，提供较好的阵列位置估计信息，有利于合成低副瓣阵列波束。
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公开(公告)号：CN110911844A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201911189277.2
申请日：2019-11-28
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明提供一种具有宽带透波窗口的吸透一体材料，属于人工超材料技术领域。本发明吸透一体材料由阻抗层和频率选择表面层构成，其中阻抗层由分设于介质层两面中心且具有特殊结构的金属层构成，其中一层金属层以另一层旋转90°得到，金属层中心设计为交指结构；频率选择层有三层金属，实现三阶滤波器的效果。两者结合共同实现了宽带吸波-透波-吸波效果，且且本吸透一体材料透波带的矩形度高，透波带与吸波带的过渡带窄；除此之外，在水平极化波和垂直极化波入射下频率响应几乎相同，具有双极化特性。
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公开(公告)号：CN110705058A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201910886998.2
申请日：2019-09-19
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种针对超电大尺寸规模目标的近场电磁散射仿真方法：导入STL格式的模型文件，读取构成雷达目标的每个三角面元的相关信息；输入需要计算的参数；判断面元是否被入射波照亮，并标记打亮的面元；对每个被标记为照亮的三角面元，计算其表面电流和磁流：求解出每个被标记为照亮的三角面元引起的散射场 将所有被标记为照亮的三角面元的散射场Esn都求解完毕后，根据矢量叠加原理，将其全部相加，得到总散射场；根据下式得到近场情况下雷达目标的RCS值σ0，并输出结果：本发明填补了目标近场RCS仿真算法领域的空白，特别是近场散射条件下不同面元的电磁仿真处理方式，更切合于实际工程场景。
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公开(公告)号：CN110534908A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910784016.9
申请日：2019-08-23
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01Q15/00
摘要： 本发明公开了一种复合立体式超带宽的超材料透明吸波体，包括若干结构单元，若干结构单元在二维上呈周期性连续分布，每个结构单元由下至上依次包括下层结构、中层结构和上层结构；中层结构包括四个中空柱体单元，四个中空柱体单元呈矩形阵列排布；每个中空柱体单元呈旋转对称性的正N边形中空柱体结构；中空柱体结构的侧壁作为支撑层、其内侧附着导电薄膜层；上层结构包括频率选择表面；下层结构包括基板层和背板层；结构单元采用透明材料制成。本发明提供的吸波体，解决了目前的吸波体无法兼顾宽带吸波与高可见光透过率的问题，实现了新型透明吸波的设计。
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