一种高Te含量CuCr触头的制备方法

    公开(公告)号:CN111206163A

    公开(公告)日:2020-05-29

    申请号:CN202010025989.7

    申请日:2020-01-10

    IPC分类号: C22C1/03 C22C9/00 H01H1/025

    摘要: 本发明公开了一种高Te含量CuCr触头的制备方法,主要包括以下步骤:S1配制选取CuCr(25~50)合金块、Cu块、CuTe(10-50)合金块待用;S2配比完成的CuCr(25~50)合金块、Cu块装入坩埚中,将CuTe(10~50)合金块放入二次加料装置中,随后开启真空系统;S3梯度加热到Cu块开始熔化,关闭真空系统,充入氩气;S4观察CuCr(25~50)合金块、Cu块完全熔化,搅拌均匀后将CuTe(10~50)合金块投入合金熔液中;S5使合金熔液流至坩埚口,提升坩埚口温度;S6浇铸使合金熔液流入到水冷铜模中;S7按照图纸要求进行机械加工。本发明工艺采用中间合金块方式加入,降低了熔炼温度,保证了Te加入的均匀性和收得率,同时减少坩埚冲刷、减少金相中夹杂。

    一种高导耐高温铜合金制备方法

    公开(公告)号:CN109971989B

    公开(公告)日:2020-04-21

    申请号:CN201910320647.5

    申请日:2019-04-20

    摘要: 本发明公开了一种高导耐高温铜合金制备方法,属于有色金属材料制造技术领域。通过对制备的雾化铜粉氧化后再还原为铜粉,能够增加铜粉表面的粗糙度,降低激光打印操作时雾化铜粉表面对激光的反射率,保证激光打印设备的工作的可靠性;通过超音速气体雾化方法制备雾化铜粉,具有粉末粒度细小、球形度高的优点;通过熔炼过程,能够将电解铜板充分熔炼为液体,避免电解铜板因熔炼不彻底使液体铜中存在残留固体,造成制备的雾化铜粉不均匀;该铜合金在具有高的导电导热性能同时,还具有较高的耐高温软化性能,可保持在高温工作环境中机械强度不降低或降低很少,满足对耐高温高导铜合金的市场需求。

    一种高导耐高温铜合金制备方法

    公开(公告)号:CN109971989A

    公开(公告)日:2019-07-05

    申请号:CN201910320647.5

    申请日:2019-04-20

    摘要: 本发明公开了一种高导耐高温铜合金制备方法,属于有色金属材料制造技术领域。通过对制备的雾化铜粉氧化后再还原为铜粉,能够增加铜粉表面的粗糙度,降低激光打印操作时雾化铜粉表面对激光的反射率,保证激光打印设备的工作的可靠性;通过超音速气体雾化方法制备雾化铜粉,具有粉末粒度细小、球形度高的优点;通过熔炼过程,能够将电解铜板充分熔炼为液体,避免电解铜板因熔炼不彻底使液体铜中存在残留固体,造成制备的雾化铜粉不均匀;该铜合金在具有高的导电导热性能同时,还具有较高的耐高温软化性能,可保持在高温工作环境中机械强度不降低或降低很少,满足对耐高温高导铜合金的市场需求。

    一种高强高导高软化温度的铜包弥散铜导电杆的制备方法

    公开(公告)号:CN107863199B

    公开(公告)日:2019-04-23

    申请号:CN201710939673.7

    申请日:2017-10-11

    摘要: 本发明涉及一种高强高导高软化温度的铜包弥散铜导电杆的制备方法,具体涉及真空开关用灭弧室导电杆类材料技术领域。具体方法步骤包括:1)弥散铜合金粉制备;2)冷等静压法制备心部弥散铜棒,压制压为150~300MPa,保压时间为3min~10min;3)真空烧结心部弥散铜棒,烧结最高温度800~1080℃,保温时间30~240min,真空度>5pa;4)外层铜套的制备;5)心部弥散铜棒装嵌外层铜套内,并进行真空电子束封口;6)挤压,挤压温度600~1050℃;7)冷拉拔。总之,本发明具有具有高强度、高导电率、较高的软化温度、以及钎焊性能好等优点,完全满足灭弧室导电杆的使用要求。

    一种铜铬合金的热挤压制备方法
    47.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118792530A

    公开(公告)日:2024-10-18

    申请号:CN202410949295.0

    申请日:2024-07-16

    IPC分类号: C22C1/02 C22F1/08

    摘要: 本发明公开了一种铜铬合金的热挤压制备方法,所述铜铬材料含10~40wt%的铬,余量为铜;所述制备方法包括配料、真空感应熔炼、铸锭后处理、热挤压以及退火加工等步骤;本发明的铜铬材料具有良好的组织结构以及机械性能,避免开裂缺陷等的问题,可以提升合金材料质量和材料利用率,降低过程生产成本。

    一种低成本CuCr触头表面去氧化辅助金属加工工艺

    公开(公告)号:CN113388842B

    公开(公告)日:2023-03-21

    申请号:CN202110547352.9

    申请日:2021-05-19

    IPC分类号: C23G1/10 B24B1/00

    摘要: 本发明公开了一种低成本CuCr触头表面去氧化辅助金属加工工艺,涉及电触头去氧化技术领域,包括S1、选材:挑选氧化CuCr触头;S2、表面活化:通过活化剂对氧化CuCr触头表面活化;S3、去离子水水洗:通过去离子水清洗CuCr触头;S4、无水乙醇脱水:通过无水乙醇对CuCr触头脱水;S5、氩气吹扫风干:通过氩气对CuCr触头进行风干;S7、预检:对CuCr触头进行预检;S8、磁力研磨:对CuCr触头进行磁力研磨;S9、真空脱脂清洗烘干:对CuCr触头进行真空脱脂清洗烘干;S10、包封:对CuCr触头真空包装入库;本发明具有生产成本低、工艺简单、适用复杂零件加工,过程易控制、环境污染小,可批量化生产等特点。