公开(公告)号：CN118113104A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202311312654.3

申请日：2023-10-11

申请人： 艾普凌科株式会社

发明人： 上岛康博

IPC分类号： G05F1/567

摘要： 本发明提供一种可供给相对于周围温度的变化而言稳定的基准电流的基准电流源。基准电流源具有：基准电压电路，产生基准电压；分压电路，对基准电压进行分压并输出分压电压；以及输出MOS晶体管，当分压电压被施加至栅极端子时供给基准电流，基准电压电路包括：耗尽型MOS晶体管、以及与其沟道的导电型及杂质浓度相同，且费米能级与栅极电极不同的增强型MOS晶体管，分压电路将0V以上且比交叉点低的电压范围的分压电压输出至输出MOS晶体管的栅极端子。

公开(公告)号：CN116936570A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202310256435.1

申请日：2023-03-16

申请人： 艾普凌科株式会社

发明人： 五十岚覚

IPC分类号： H01L27/02

摘要： 本发明提供一种即便对于上升时间短的静电放电也可保护内部电路的静电放电保护电路及半导体装置。一种静电放电保护电路，具有截止晶体管，所述截止晶体管包括：P型半导体基板；N型阱区域，形成在半导体基板的上部；N型漏极区域，形成在阱区域的上部，杂质浓度比阱区域高；N型源极区域，在阱区域的上部中与漏极区域分离形成，杂质浓度比阱区域高；栅极绝缘膜，形成在漏极区域与源极区域之间；栅极电极，形成在栅极绝缘膜的表面；以及P型高浓度区域，形成为在阱区域的上部中至少与沟道区域的角部附近的漏极区域相接，杂质浓度比阱区域高。

公开(公告)号：CN115202422A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210048559.6

申请日：2022-01-17

申请人： 艾普凌科株式会社

发明人： 冨冈勉

IPC分类号： G05F1/56

摘要： 本发明提供一种分流稳压器，即便包括在运行时流动大的电流的电路，也可减小通常动作时的消耗电流。分流稳压器包括：电容器，连接于输出端子与接地端子之间；分压电路及输出晶体管，连接于输出端子与接地端子之间；误差放大器，基于分压电路的输出端子的电压及基准电压来控制输出晶体管；非易失性存储器；存储器控制电路，向非易失性存储器输出数据的读出信号；以及电压检测电路，检测输出端子的电压达到允许非易失性存储器的数据读出动作的规定电压，向存储器控制电路输出检测信号，且非易失性存储器的动作电流是从电容器供给。

公开(公告)号：CN115015621A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202210119335.X

申请日：2022-02-08

申请人： 艾普凌科株式会社

发明人： 周藤曜一 ,  桜井敦司

IPC分类号： G01R19/165

摘要： 本发明的课题在于提供一种可判定电压监视装置自身的异常的产生的电压监视装置。电压监视装置(2)包括：比较电路(31)、状态判定电路(32)、脉冲模式设定电路(33)、输出电路(36)、VDD端子(21)、VSS端子(22)、输入端子(24)、以及输出端子(23)，所述比较电路(31)连接于所述状态判定电路(32)，所述状态判定电路(32)连接于所述脉冲模式设定电路(33)，所述脉冲模式设定电路经由所述输出电路(36)连接于所述输出端子(23)。

公开(公告)号：CN110275562A

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201910188042.5

申请日：2019-03-13

申请人： 艾普凌科株式会社

发明人： 坂口薫

IPC分类号： G05F1/56

摘要： 本发明提供一种稳定地进行动作的适应偏置型的电压调节器。电压调节器包括误差放大器，所述误差放大器具有：差动对，包含一对晶体管；电流调整电路，将与输出晶体管输出的输出电流成比例的偏置电流输出至差动对；源型输出电路及漏型输出电路，将基于流向差动对的电流的电流输出至误差放大器的输出端子；以及相位补偿电路，基于电流调整电路的电流来控制漏型输出电路的电流。