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公开(公告)号：CN118738031A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410289796.0
申请日：2024-03-14
申请人： 艾普凌科株式会社
发明人： 吉村充弘
摘要： 本发明提供一种可抑制因施加电压而引起的电容值变动的电容元件及半导体装置。电容元件(100)具有：P型半导体基板(110)；电容器结构体(150)，形成于P型半导体基板(110)的上方；以及遮蔽层(130)，形成于P型半导体基板(110)与电容器结构体(150)之间，并与P型半导体基板(110)电性连接。优选为电容器结构体(150)中的一对电极(150a)、(150b)分别为第一电位(V1)及第二电位(V2)，P型半导体基板(110)及遮蔽层(130)为第三电位(V3)。
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公开(公告)号：CN118659657A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410228910.9
申请日：2024-02-29
申请人： 艾普凌科株式会社
发明人： 须藤稔
摘要： 本发明提供一种控制装置以及包括其的以能够根据所连接的供电装置的内部电阻调整的最大功率转换效率使自激振荡型直流‑直流转换器运行的技术。控制装置包括：输入端子；连接端子和连接端子；输出端子；二极管，将自GND端子朝向输入端子的方向设为正向且连接于输入端子与GND端子之间；二极管，在输入端子和二极管的连接点与输出端子之间，将自所述连接点朝向输出端子的方向设为正向；FET电路，具有耗尽型NMOS晶体管与其他至少一个MOS晶体管；电阻，将GND端子与输入端子连接；以及箝位电路，将输入端子的电压箝位至规定的电压。
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公开(公告)号：CN116896378A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310190893.X
申请日：2023-03-02
申请人： 艾普凌科株式会社
发明人： 沈标
摘要： 本发明提供一种电路规模小而转换精度高的ΔΣ模拟数字转换器以及传感器装置。ΔΣ模拟数字转换器包括ΔΣAD调制器、累加器、计数部、调整值保存部、第一加法器、累加值锁存部以及控制电路，控制电路在从计数部输入的计数值达到规定值时，对调整值保存部输出指定与从第一加法器输入的调整累加值相应的温度区域的信号，调整值保存部将与信号相应的偏移值的调整值以及计数值的调整值输出至第一加法器以及计数部，控制电路收到计数部的计数已结束的意旨而对累加值锁存部输出锁存信号。
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公开(公告)号：CN116799001A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310229884.7
申请日：2023-03-10
申请人： 艾普凌科株式会社
发明人： 津村和宏
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本发明提供一种与被保护电路的运行电压及破坏电压对应的ESD保护电路及半导体装置。一种ESD保护电路(100)，连接于VDD端子与VSS端子之间，与在运行电压下运行并且在破坏电压以上的电压下被破坏的内部电路(C)并联连接，而保护内部电路(C)不受静电放电的影响，所述ESD保护电路(100)具有串联连接的多个ESD保护元件(110、120)，多个ESD保护元件(110、120)是晶体管、二极管元件或者它们的组合，比运行电压高的电压下的多个ESD保护元件(110、120)的电流‑电压特性的总和比运行电压高且比破坏电压低，直至达到能够保护内部电路(C)的放电电流值以上。
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公开(公告)号：CN116780685A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202211705640.3
申请日：2022-12-29
申请人： 艾普凌科株式会社
IPC分类号： H02J7/00
摘要： 本发明提供一种充放电控制电路及包括其的电池装置，其未专用设置控制信号输入端子但具备强制转为断电状态的功能。本发明包括：外部端子电压输入端子，经由外置电阻与外部端子连接；正极电源端子，连接于二次电池的正极；负极电源端子，连接于二次电池的负极；检测器及外部端子电压检测器，连接于外部端子电压输入端子；以及控制电路，当通过外置FET接通而对外部端子电压输入端子输入断电控制信号时，检测器对控制电路输出断电检测信号，当外置FET断开，并且在外部端子连接了充电器时，检测器对控制电路输出断电解除信号。
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公开(公告)号：CN112068625A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010446240.X
申请日：2020-05-25
申请人： 艾普凌科株式会社
发明人： 汤浅太刀男
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 本发明提供一种基准电压产生电路(1A)包括：电流分流电路(10)，具有第一输入端(11a)、第二输入端(11b)、电源输入端(12)、第一输出端(13a)、第二输出端(13b)、第三输出端(13c)、NMOS晶体管(15)及PMOS晶体管(16、17、18)；第一电阻二极管电路(20)，具有电阻(22)及二极管(D1)与电阻(23)；第二电阻二极管电路(30)，具有电阻(32)与二极管(D2)；反馈控制电路(40)，包含反相输入端(‑)、非反相输入端(+)与输出端(43)；电阻分压电路(50)，包含电阻(52)；以及输出端子(60)，与第三输出端(13c)及电阻分压电路(50)的一端连接。
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公开(公告)号：CN118589861A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410232838.7
申请日：2024-03-01
申请人： 艾普凌科株式会社
发明人： 椎名美臣
IPC分类号： H02M3/158 , H02M1/32 , H02M1/00 , G01R19/165
摘要： 本发明提供一种不会对电路造成损伤而能够对过流检测电路进行检查的DCDC转换器的过流检测检查方法、控制装置及其制造方法。所述DCDC转换器包括：高边开关；IV转换元件及电流检测晶体管，与高边开关并联连接；低边开关；过流检测电路；及控制电路，从第一输出端子向高边开关输出第一信号，从第二输出端子向低边开关输出第二信号，从第三输出端子向电流检测晶体管输出第三信号，所述DCDC转换器还包括测试端子，所述测试端子在对所述过流检测电路进行检查的情况下将所述电流检测晶体管控制为断开，并向被控制为断开的所述电流检测晶体管与所述IV转换元件的连接点供给可变电流。
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公开(公告)号：CN118258504A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311747790.5
申请日：2023-12-19
申请人： 艾普凌科株式会社
发明人： 平冈直洋
IPC分类号： G01K7/01
摘要： 本发明提供一种半导体装置，其制造将二极管所附带的寄生电阻成分的影响消除的温度信号。半导体装置包括：第一电流生成电路，生成第一电流；第二电流生成电路，由第一电流生成第二电流；第三电流生成电路，由第二电流生成第三电流；电压电流转换电路，将第三电流施加至二极管，并将所产生的电压转换为第四电流；第四电流生成电路，由第四电流生成第五电流；以及运算电路，由第五电流生成温度信号。
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公开(公告)号：CN117310820A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202310561330.7
申请日：2023-05-18
摘要： 本发明提供一种发电传感器，可容易地将接收发电电力的模块与发电电极连接。发电传感器(1)包括：收纳体(16)，收纳有接收发电电力的模块；模块(3)，在表面配设有第一连接器电极(31、32)；第二连接器电极(14、15)，设置在收纳体内表面且与第一连接器电极连接；以及发电用电极(11、12)，与第二连接器电极连接。
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公开(公告)号：CN116936569A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310254079.X
申请日：2023-03-16
申请人： 艾普凌科株式会社
发明人： 津村和宏
IPC分类号： H01L27/02 , H01L29/73 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/423
摘要： 本发明提供一种可减小电性特性的偏差的双极晶体管及半导体装置。一种双极晶体管(100)，具有：集电极区域(150)，是P型半导体基板(110)中的规定区域；基极区域(140)，形成在集电极区域(150)内且是N型阱区域；多晶硅(130)，隔着绝缘膜(131)形成在基极区域(140)上，且俯视时的外周呈矩形的环状；以及P型发射极区域(120)，被多晶硅(130)包围且形成在基极区域(140)内，多晶硅(130)包括延伸部(130a)，所述延伸部(130a)向基极区域(140)的接触区域(141)的内侧延伸并与基极区域(140)电性连接。
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