液晶显示器及用于其的薄膜晶体管衬底

    公开(公告)号:CN1605921B

    公开(公告)日:2011-07-27

    申请号:CN200410095950.3

    申请日:2004-08-13

    CPC classification number: G02F1/1393 G02F2001/134345 G02F2001/134381

    Abstract: 本发明涉及一种改良的平板液晶显示器(LCD)。在一个实施例中,改良的LCD包括完全填充彩色滤光器阵列和薄膜晶体管(TFT)阵列之间的间隙的液晶层。TFT阵列包括包含有一个或多个像素区的衬底。每个像素区可以分成至少两个像素子区。配置每个像素子区以使其具有与其配对物不同的电场,这样两个子区内的相互补偿就会降低伽马曲线的变形,并且提高平板显示器的横向可视性。在一个实施例中,第一像素电极形成在至少两个像素子区的第一个中;第二像素电极形成在至少两个像素子区的第二个中。

    薄膜晶体管阵列板
    55.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1769990B

    公开(公告)日:2010-08-25

    申请号:CN200510116254.0

    申请日:2005-11-04

    Abstract: 提供一种用于液晶显示装置(LCD)的薄膜晶体管(TFT)阵列板。该TFT阵列板包括多个栅极线、至少一个与多个栅极线交叉的数据线和至少一个与至少一个栅极线和至少一个数据线相连的薄膜晶体管。该至少一个薄膜晶体管包括漏极。另外,该TFT阵列板进一步包括至少一个与薄膜晶体管的漏极相连的第一子像素电极和与至少一个第一子像素电极电容性耦合的第二子像素电极的像素电极。此外,该像素电极具有用于将该像素电极分成至少两个分割部分的分割元件,该至少两个分割部分具有不与漏极重叠的部分。该至少两部分关于距离多个栅极线等距的参考线对称设置。

    薄膜晶体管阵列面板
    57.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100430805C

    公开(公告)日:2008-11-05

    申请号:CN200410070282.9

    申请日:2004-08-04

    Inventor: 柳在镇

    Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板,包括:绝缘基片;第一信号线,在该绝缘基片上形成;第二信号线,与第一信号线绝缘交叉;第一像素电极,在每个第一信号线和第二信号线交叉限定的像素形成;薄膜晶体管,三端子分别与第一信号线、第二信号线、及第一像素电极连接;第二像素电极,在每个像素上形成且与第一像素电极进行电耦合,其中像素包括红色、绿色、及蓝色像素,而第一像素电极与第二像素电极之间的耦合电容在红色、绿色、及蓝色像素中彼此不同。利用这种薄膜晶体管阵列面板的液晶显示器显示出改良的侧面可见度且具有广视角。

    液晶显示器的薄膜晶体管阵列板

    公开(公告)号:CN1325984C

    公开(公告)日:2007-07-11

    申请号:CN02804028.7

    申请日:2002-02-27

    Abstract: 在液晶显示器的制造方法中,减小用于存储电容的绝缘层的厚度以增大存储容值并以稳定的方式维持孔径比。用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列板包括绝缘基板和栅极线组件以及形成在绝缘基板上的存储电容线组件。栅极线组件具有栅极线和栅极电极。栅极绝缘层覆盖栅极线组件和存储电容线组件。半导体图案形成在栅极绝缘层上。数据线组件和存储电容导体图案形成在覆盖有半导体图案的栅极绝缘层上。数据线组件具有数据线、源极电极和漏极电极。存储电容导体图案与存储电容线组件部分重叠,由此形成第一存储电容。钝化层覆盖数据线组件、存储电容导体图案和半导体图案。第一和第二接触孔形成在钝化层上并暴露漏极电极和存储电容导体图案。像素电极形成在钝化层上并经第一和第二接触孔连接到漏极电极和存储电容导体图案。像素电极形成与部分存储电容线组件相连的第二存储电容。

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