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公开(公告)号：CN105152201B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201510492307.2
申请日：2015-08-12
申请人： 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
摘要： 本发明提供一种制备半导体氧化锌纳米材料的方法，应用于纳米线制备技术领域，所述方法利用高温化学气相沉积方法，创新性采用纳米金刚石颗粒和氧化锌粉末混合物作为反应物，从而在基底上生长出氧化锌纳米线的方法，生长速度大幅提升，而且将反应温度降低至600℃，对比于传统利用石墨粉末和氧化锌纳米粉末的方法，本发明利用纳米金刚石颗粒表面积大，化学活性高的独特性质，达到了纳米线制备速度快，节能降耗的目的。
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公开(公告)号：CN106491109A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610990006.7
申请日：2016-11-10
申请人： 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
CPC分类号： A61B5/021 , A61B5/02141 , A61B5/4806 , A61B5/6892
摘要： 本发明公开了一种基于纳米压电材料的实时血压监测传感器，制备步骤如下：1)利用化学气相沉积法，在硅衬底上定位横向生长氧化锌纳米线网结构；2)在纳米线网结构的两端制备电极和引线；3)利用甩胶法在纳米线网结构上涂覆一层硅胶作为保护层和振动传导层；4)将带有氧化锌纳米线网的硅胶从硅衬底上剥离下来。本发明将半导体压电材料氧化锌纳米线网作为器件的核心传感材料，其响应速度高，能耐较高温度，本发明通过利用横向生长纳米线网具有压电特性并能将压力实时地转化为电信号的特性，设计了一款2×2分布式压力信号传感器，本芯片可以安装在床垫中，实施监测夜晚睡眠状态，特别是对于老年人夜间身体健康实时检测具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN104649215B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201510076177.4
申请日：2015-02-12
申请人： 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
摘要： 本发明提供一种适用于液态环境的纳米结构筛选层，该筛选层的制作工艺，适用该筛选层的纳米检测系统。其中筛选层上设有纳米孔，筛选层包括二硫化钼薄膜，二硫化钼薄膜附在绝缘柔性衬底上，筛选层的上下表面还设有电绝缘薄膜。单层二硫化钼薄膜具有非常高的曲率半径，高导电性，快速光电响应，较小的表面粗糙度和良好的生物兼容性等特性，用于柔性基底的生物传感器探测。同时，二硫化钼单层薄膜的表面可以很容易地进行化学功能化修饰，在气体和溶液环境下，可以对于目标分子进行特异性检测。
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公开(公告)号：CN104402039B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201410718597.3
申请日：2014-12-01
申请人： 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
摘要： 本发明公开了一种制备三维ZnO纳米线网的方法，其特征在于，包括如下步骤：首先在洗净GaN衬底表面涂覆HAuCl4与还原剂和聚合物的混合溶液；在高温管式真空炉中间放置盛有化学反应物的舟，化学反应物包括ZnO粉和石墨粉，其气流下游位置放置衬底，抽真空，把真空管加热到800-1200℃，然后通入氧气和工作气体，控制压强到30-400毫巴，生长时间大于20min，然后让真空管式炉自然降温，在GaN衬底上即可制备出三维ZnO纳米线网络。本发明方法简单，利用聚合物诱导三维纳米线网络生长。制备的纳米线取向有垂直衬底和平行衬底两类，构成有序三维纳米线网络结构，具有极大的应用价值。
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公开(公告)号：CN105154974A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510626575.9
申请日：2015-09-28
申请人： 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
摘要： 本发明提供一种描边生长ZnO的方法，包括如下步骤：（1）在洗净的衬底表面旋涂S1800系列光刻胶，光刻出图案；（2）将光刻后的衬底等离子处理；（3）将步骤（2）中等离子处理后的衬底置于硝酸锌与六次甲基四胺的混合水溶液中反应，制得沿图案边沿描边生长的ZnO棒。本发明以光刻加工结合等离子处理的手段，先对衬底进行加工，成功实现ZnO棒沿图案边缘生长，长成的ZnO描出图案边缘。本发明中ZnO水热法生长对比高温法，具有节能环保，成本低廉的显著优势；对比其它的图案描边方法，该方法更简单、方便。
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公开(公告)号：CN104867868A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510291933.5
申请日：2015-06-01
申请人： 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76838
摘要： 本发明提供一种无催化剂横向生长纳米线网电路的方法，应用于半导体领域，所述方法包括：1）提供一表面制备有周期性纳米硅柱的硅衬底和供盛放化学反应物的舟；2）将所述硅衬底制备有周期性纳米硅柱的一面朝向盛有化学反应物的舟进行放置；3）采用高温化学气相沉积方法于各纳米硅柱侧面棱角处制备出横向生长的氧化锌纳米线网。本发明将表面制备有周期纳米柱的硅电极衬底生长面向下放置在盛有化学反应物的舟上放置，进而能控制横向生长纳米线网形成纳米网桥接电路，不需要镀金膜作为催化剂，节省工序降低成本。
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公开(公告)号：CN104649215A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510076177.4
申请日：2015-02-12
申请人： 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
摘要： 本发明提供一种适用于液态环境的纳米结构筛选层，该筛选层的制作工艺，适用该筛选层的纳米检测系统。其中筛选层上设有纳米孔，筛选层包括二硫化钼薄膜，二硫化钼薄膜附在绝缘柔性衬底上，筛选层的上下表面还设有电绝缘薄膜。单层二硫化钼薄膜具有非常高的曲率半径，高导电性，快速光电响应，较小的表面粗糙度和良好的生物兼容性等特性，用于柔性基底的生物传感器探测。同时，二硫化钼单层薄膜的表面可以很容易地进行化学功能化修饰，在气体和溶液环境下，可以对于目标分子进行特异性检测。
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公开(公告)号：CN114875378B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202210495009.9
申请日：2022-05-08
申请人： 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 , 重庆大学
摘要： 本发明提出一种竖直结构二硒化钨阵列薄膜结构的细胞筛分装置的制作方法，其通过在定制好的导电基底上溅射一层二氧化钛，利用化学气相沉积法制备竖直生长的二硒化钨薄膜；再将两片导电基底以一定间隔对称固定；其后，利用竖直二硒化钨立体片状的结构优势，结合外部电场使细胞发生的泳动现象，有效地对细胞进行筛选分离。利用本发明方法制备的细胞筛分装置，可对不同种类细胞及同种细胞的不同病理状态进行筛分，无需对细胞进行标记，保证了细胞活性。
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公开(公告)号：CN110085852B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN201910450331.8
申请日：2019-05-28
申请人： 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
IPC分类号： H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/485 , H01M4/62 , H01M4/13 , H01M10/052 , H01M10/054 , B82Y30/00
摘要： 本发明提供一种导电结构及电极，用于解决现有技术中导电性能不佳的问题。本发明提供一种导电结构，包括：外壳，所述外壳为硬质结构，所述外壳为球形；内核，所述内核位于所述外壳内，所述内核为硬质导电结构，所述内核的熔点低于所述外壳的熔点；所述内核能够部分和所述外壳内壁接触，所述内核接触面积占所述外壳自身表面积的10％以上。
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公开(公告)号：CN112945433B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202110095798.2
申请日：2021-01-25
申请人： 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
摘要： 本发明公开了一种基于逐层组装技术（LBL）制备的柔性应力传感器，其包括至少一层骨架材料和至少一层导电材料；在导电材料两侧面分别贴敷骨架材料，其构成“三明治”结构的柔性应力传感器。其骨架材料主要为含有羟基、酮基等活性基团的亲水性聚合物，与人体组织具有极佳的相容性；导电材料主要为酸、盐掺杂导电聚合物复合过渡金属碳化物（MXene）。骨架材料水凝胶为传感器提供优越的机械性能，使得器件可实现传统硅基电子所不能实现的功能，如弯曲、折叠、扭曲、压缩、拉伸甚至变形成任意形状而不影响电子器件本身的光电性质。导电聚合物与MXene材料的协同效应，极大的提高了器件的导电性、应力应变电响应度。
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