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公开(公告)号：CN116712941A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310935271.5
申请日：2023-07-28
申请人： 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 , 重庆大学
摘要： 本发明提供一种麻点样磁性核‑壳结构微球的制作方法，其属于半导体制备技术领域，其其包括以下步骤：步骤S1，麻点样磁性微球的制作；步骤S2，麻点样磁性微球的表明改性；步骤S3，麻点样磁性核‑壳结构微球(四氧化三铁@铟化镓@二氧化硅)的制作。本发明的麻点样磁性核‑壳结构微球的制作方法利用铟化镓颗粒沉积在微球表面制成麻点样磁性微球，通过对麻点样磁性微球的改性、二氧化硅包覆、抗体/亲和素等官能基团修饰，成功制备了磁性四氧化三铁核‑铟化镓@二氧化硅磁性微球、磁性四氧化三铁核‑铟化镓@二氧化硅@抗精子抗体磁性微球。
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公开(公告)号：CN115593039A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211338368.X
申请日：2022-10-28
申请人： 中国科学院重庆绿色智能技术研究院(CN) , 重庆大学(CN)
IPC分类号： B32B9/00 , B32B9/04 , B32B27/00 , B32B27/06 , B32B27/30 , B32B27/32 , B32B27/40 , A61B5/0205 , A61B5/11 , D01F6/74 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 本发明提供一种高灵敏三明治叠层结构柔性传感器及其制备方法，高灵敏三明治叠层结构柔性传感器包括MXenes二维材料层、导电聚合物纳米线材料层和弹性体基体材料层，所述MXenes二维材料层叠加在导电聚合物纳米线材料层上，导电聚合物纳米线材料层叠加在弹性体基体材料层上，其构成“三明治”结构的柔性应力传感器。本发明通过LiF插层、超声分散和离心处理成功制备了厚度为2.54nm的少层MXenes纳米片，并通过采用低温软模板法聚合直径为20nm～50nm的导电聚合物纳米线，采用逐层转移方式，构筑柔性应力传感器，以此解决刚性MXenes二维材料与柔性弹性体衬底之间的界面粘接问题，并在应力‑电响应机制上起到协同增效的目的。
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公开(公告)号：CN113340825B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202110669953.7
申请日：2021-06-17
申请人： 重庆大学 , 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 , 重庆知行数联智能科技有限责任公司
IPC分类号： G01N21/27
摘要： 本发明属于生态环境监测技术领域，具体涉及一种在高浊度背景干扰下叶绿素a浓度的测算方法，首先采用地基高光谱成像仪获得影像数据，用遥感图像处理软件处理影像数据以得到反演遥感反射率的三个参量，从而得到反射率曲线，然后利用反射率曲线构建浑浊度识别的检测参量，若是低浊度或者清澈水体则直接用三波段法反演出叶绿素a的浓度；若是中度或者高度浑浊水体，则根据反射率曲线构建辨别目标水体是否存在水华的光谱参量，从而在不同物质主导水体的背景下，用不同的方法分别反演出叶绿素a的浓度，从而使得叶绿素a浓度的测算更加准确。
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公开(公告)号：CN115593039B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202211338368.X
申请日：2022-10-28
申请人： 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 , 重庆大学
IPC分类号： B32B9/00 , B32B9/04 , B32B27/00 , B32B27/06 , B32B27/30 , B32B27/32 , B32B27/40 , A61B5/0205 , A61B5/11 , D01F6/74 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 本发明提供一种高灵敏三明治叠层结构柔性传感器及其制备方法，高灵敏三明治叠层结构柔性传感器包括MXenes二维材料层、导电聚合物纳米线材料层和弹性体基体材料层，所述MXenes二维材料层叠加在导电聚合物纳米线材料层上，导电聚合物纳米线材料层叠加在弹性体基体材料层上，其构成“三明治”结构的柔性应力传感器。本发明通过LiF插层、超声分散和离心处理成功制备了厚度为2.54nm的少层MXenes纳米片，并通过采用低温软模板法聚合直径为20nm～50nm的导电聚合物纳米线，采用逐层转移方式，构筑柔性应力传感器，以此解决刚性MXenes二维材料与柔性弹性体衬底之间的界面粘接问题，并在应力‑电响应机制上起到协同增效的目的。
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公开(公告)号：CN114835090B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202210494827.7
申请日：2022-05-08
申请人： 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 , 重庆大学
摘要： 本发明提出一种基于竖直结构二硒化钨的电化学传感器制作方法，其通过化学气相沉积法，利用T iO2过渡层，制备出竖直生长的二硒化钨薄膜，并通过湿法转移的方式制备了电化学传感器。使用本发明的基于竖直结构二硒化钨的电化学传感器制作方法制备的竖直二硒化钨薄膜具有更大的比表面积，并暴露出更多的边缘活性位点，能够吸附更多有毒物质分子，从而使其敏感性得到很大提升。
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公开(公告)号：CN114835090A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210494827.7
申请日：2022-05-08
申请人： 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 , 重庆大学
摘要： 本发明提出一种基于竖直结构二硒化钨的电化学传感器制作方法，其通过化学气相沉积法，利用T iO2过渡层，制备出竖直生长的二硒化钨薄膜，并通过湿法转移的方式制备了电化学传感器。使用本发明的基于竖直结构二硒化钨的电化学传感器制作方法制备的竖直二硒化钨薄膜具有更大的比表面积，并暴露出更多的边缘活性位点，能够吸附更多有毒物质分子，从而使其敏感性得到很大提升。
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公开(公告)号：CN113340914B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202110669955.6
申请日：2021-06-17
申请人： 重庆大学 , 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 , 重庆知行数联智能科技有限责任公司
IPC分类号： G01N21/94
摘要： 本发明属于本发明属于水体测算方法技术领域，具体涉及一种基于高光谱遥感的水体富营养化状态测算方法，通过地基高光谱成像仪得到目标水体的敏感波长反射率曲线，进一步演算得到CIE颜色空间中的三刺激值和坐标，配合FUCI查找表和反演公式初步得到水体的色度，从而初步得出水体的贫、中、富三个水体营养化等级，而为了水体治理的时效性和准确性，通过对水体的浊度与透明度关系的判断，进一步区分富营养化程度下水体的轻、中、重三个等级，从而更加利于对水体的分类，及时地治理富营养化更加严重的水体。
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公开(公告)号：CN114875378B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202210495009.9
申请日：2022-05-08
申请人： 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 , 重庆大学
摘要： 本发明提出一种竖直结构二硒化钨阵列薄膜结构的细胞筛分装置的制作方法，其通过在定制好的导电基底上溅射一层二氧化钛，利用化学气相沉积法制备竖直生长的二硒化钨薄膜；再将两片导电基底以一定间隔对称固定；其后，利用竖直二硒化钨立体片状的结构优势，结合外部电场使细胞发生的泳动现象，有效地对细胞进行筛选分离。利用本发明方法制备的细胞筛分装置，可对不同种类细胞及同种细胞的不同病理状态进行筛分，无需对细胞进行标记，保证了细胞活性。
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公开(公告)号：CN113340914A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110669955.6
申请日：2021-06-17
申请人： 重庆大学 , 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 , 重庆知行数联智能科技有限责任公司
IPC分类号： G01N21/94
摘要： 本发明属于本发明属于水体测算方法技术领域，具体涉及一种基于高光谱遥感的水体富营养化状态测算方法，通过地基高光谱成像仪得到目标水体的敏感波长反射率曲线，进一步演算得到CIE颜色空间中的三刺激值和坐标，配合FUCI查找表和反演公式初步得到水体的色度，从而初步得出水体的贫、中、富三个水体营养化等级，而为了水体治理的时效性和准确性，通过对水体的浊度与透明度关系的判断，进一步区分富营养化程度下水体的轻、中、重三个等级，从而更加利于对水体的分类，及时地治理富营养化更加严重的水体。
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公开(公告)号：CN114875378A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210495009.9
申请日：2022-05-08
申请人： 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 , 重庆大学
摘要： 本发明提出一种竖直结构二硒化钨阵列薄膜结构的细胞筛分装置的制作方法，其通过在定制好的导电基底上溅射一层二氧化钛，利用化学气相沉积法制备竖直生长的二硒化钨薄膜；再将两片导电基底以一定间隔对称固定；其后，利用竖直二硒化钨立体片状的结构优势，结合外部电场使细胞发生的泳动现象，有效地对细胞进行筛选分离。利用本发明方法制备的细胞筛分装置，可对不同种类细胞及同种细胞的不同病理状态进行筛分，无需对细胞进行标记，保证了细胞活性。
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