氧化镁纳米线网的制备方法

    公开(公告)号:CN110127733A

    公开(公告)日:2019-08-16

    申请号:CN201910421898.2

    申请日:2019-05-21

    Inventor: 陆文强 马赛

    Abstract: 本发明提供一种氧化镁纳米线网的制备方法,用于解决现有技术中氧化镁纳米线网制备的问题。本发明提供一种氧化镁纳米线网的制备方法,包括如下步骤:准备原材料,将盛有氮化镁纳米颗粒的盛具放置在封闭容器中,所述封闭容器中为有氧环境,且所述封闭容器包括通风系统和加热系统,将氧化镁纳米颗粒均匀涂覆在衬底的上表面上并干燥,将衬底下表面朝向下放置在石英舟上;部分抽走所述封闭容器中的氧气或者空气;将温度升到反应温度,在所述反应温度下开通通风系统使得惰性气体流通,进行恒温生长;冷却,关闭通气系统和加热系统并让所述封闭容器冷却。

    导油材料的制备方法
    52.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109744583A

    公开(公告)日:2019-05-14

    申请号:CN201910125096.7

    申请日:2019-02-20

    Abstract: 本发明提供一种导油材料的制备方法,用于解决现有技术中的导油材料导热性能、导油性能和储油性能不高的问题。本发明提供一种导油材料的制备方法,至少包括如下步骤:成型,将石墨烯和/或者氧化石墨烯成型为所需的形状;当材料中包括氧化石墨烯时在成型步骤前或者成型步骤后还包括退火步骤:将成型的或者未成型的所述氧化石墨烯退火形成石墨烯。实现纯石墨烯导油材料的制备。

    催化剂及其制备方法
    54.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109482176A

    公开(公告)日:2019-03-19

    申请号:CN201811301754.5

    申请日:2018-11-02

    Inventor: 康帅 陆文强

    Abstract: 本发明提供一种催化剂及其制备方法,用于解决现有技术中贵金属或者贵金属合金催化剂容易团聚脱落的问题。本发明提供一种催化剂,包括:内核,所述内核包括贵金属或者贵金属合金,所述内核用于发生催化反应;至少一层包覆层,所述包覆层包覆在所述内核上,所述包覆层用于隔离所述内核和催化环境,所述包覆层不和所述催化环境发生化学反应;所述包覆层上设有多个通孔。有效的避免催化反应时的团聚。

    无催化剂横向生长纳米线网电路的方法

    公开(公告)号:CN104867868B

    公开(公告)日:2018-06-26

    申请号:CN201510291933.5

    申请日:2015-06-01

    Abstract: 本发明提供一种无催化剂横向生长纳米线网电路的方法,应用于半导体领域,所述方法包括:1)提供一表面制备有周期性纳米硅柱的硅衬底和供盛放化学反应物的舟;2)将所述硅衬底制备有周期性纳米硅柱的一面朝向盛有化学反应物的舟进行放置;3)采用高温化学气相沉积方法于各纳米硅柱侧面棱角处制备出横向生长的氧化锌纳米线网。本发明将表面制备有周期纳米柱的硅电极衬底生长面向下放置在盛有化学反应物的舟上放置,进而能控制横向生长纳米线网形成纳米网桥接电路,不需要镀金膜作为催化剂,节省工序降低成本。

    一种基于纳米压电材料的实时血压监测传感器

    公开(公告)号:CN106491109A

    公开(公告)日:2017-03-15

    申请号:CN201610990006.7

    申请日:2016-11-10

    Inventor: 王德强 陆文强

    CPC classification number: A61B5/021 A61B5/02141 A61B5/4806 A61B5/6892

    Abstract: 本发明公开了一种基于纳米压电材料的实时血压监测传感器,制备步骤如下:1)利用化学气相沉积法,在硅衬底上定位横向生长氧化锌纳米线网结构;2)在纳米线网结构的两端制备电极和引线;3)利用甩胶法在纳米线网结构上涂覆一层硅胶作为保护层和振动传导层;4)将带有氧化锌纳米线网的硅胶从硅衬底上剥离下来。本发明将半导体压电材料氧化锌纳米线网作为器件的核心传感材料,其响应速度高,能耐较高温度,本发明通过利用横向生长纳米线网具有压电特性并能将压力实时地转化为电信号的特性,设计了一款2×2分布式压力信号传感器,本芯片可以安装在床垫中,实施监测夜晚睡眠状态,特别是对于老年人夜间身体健康实时检测具有重要的意义。

    一种适用于液态环境的纳米结构筛选层及工艺及检测系统

    公开(公告)号:CN104649215B

    公开(公告)日:2016-06-08

    申请号:CN201510076177.4

    申请日:2015-02-12

    Abstract: 本发明提供一种适用于液态环境的纳米结构筛选层,该筛选层的制作工艺,适用该筛选层的纳米检测系统。其中筛选层上设有纳米孔,筛选层包括二硫化钼薄膜,二硫化钼薄膜附在绝缘柔性衬底上,筛选层的上下表面还设有电绝缘薄膜。单层二硫化钼薄膜具有非常高的曲率半径,高导电性,快速光电响应,较小的表面粗糙度和良好的生物兼容性等特性,用于柔性基底的生物传感器探测。同时,二硫化钼单层薄膜的表面可以很容易地进行化学功能化修饰,在气体和溶液环境下,可以对于目标分子进行特异性检测。

    一种制备三维ZnO纳米线网的方法

    公开(公告)号:CN104402039B

    公开(公告)日:2016-01-20

    申请号:CN201410718597.3

    申请日:2014-12-01

    Abstract: 本发明公开了一种制备三维ZnO纳米线网的方法,其特征在于,包括如下步骤:首先在洗净GaN衬底表面涂覆HAuCl4与还原剂和聚合物的混合溶液;在高温管式真空炉中间放置盛有化学反应物的舟,化学反应物包括ZnO粉和石墨粉,其气流下游位置放置衬底,抽真空,把真空管加热到800-1200℃,然后通入氧气和工作气体,控制压强到30-400毫巴,生长时间大于20min,然后让真空管式炉自然降温,在GaN衬底上即可制备出三维ZnO纳米线网络。本发明方法简单,利用聚合物诱导三维纳米线网络生长。制备的纳米线取向有垂直衬底和平行衬底两类,构成有序三维纳米线网络结构,具有极大的应用价值。

    一种描边生长ZnO的方法
    60.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105154974A

    公开(公告)日:2015-12-16

    申请号:CN201510626575.9

    申请日:2015-09-28

    Abstract: 本发明提供一种描边生长ZnO的方法,包括如下步骤:(1)在洗净的衬底表面旋涂S1800系列光刻胶,光刻出图案;(2)将光刻后的衬底等离子处理;(3)将步骤(2)中等离子处理后的衬底置于硝酸锌与六次甲基四胺的混合水溶液中反应,制得沿图案边沿描边生长的ZnO棒。本发明以光刻加工结合等离子处理的手段,先对衬底进行加工,成功实现ZnO棒沿图案边缘生长,长成的ZnO描出图案边缘。本发明中ZnO水热法生长对比高温法,具有节能环保,成本低廉的显著优势;对比其它的图案描边方法,该方法更简单、方便。

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