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公开(公告)号：CN115166883A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202211068415.3
申请日：2022-09-02
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种光谱低功率可调的刻蚀衍射光栅，所述刻蚀衍射光栅包括输入信道波导、输出信道波导、平板波导、过渡波导、反射光栅面及设计的马赫‑曾德尔干涉仪，所述输入信道波导与平板波导间通过设计的马赫‑曾德尔干涉仪连接，所述输出信道波导与平板波导间通过过渡波导连接，入射光由入射信道波导进入马赫‑曾德尔干涉仪，经马赫‑曾德尔干涉仪调节在输出端叠加输出，进入平板波导，入射角度发生偏转，从而实现通道光谱位置的调节。本发明基于平面光波导技术及标准CMOS工艺，仅需较低外加电压对局部区域加热，即可实现刻蚀衍射光栅整体光谱的调节，简单易行，无特殊工艺，可适用于大面积、多通道的刻蚀衍射光栅。
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公开(公告)号：CN114843250A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210785368.8
申请日：2022-07-06
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/544 , B07C5/344 , G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种晶圆级集成系统的测试结构及测试方法，该测试结构是由晶圆衬底和键合在晶圆上的芯粒，以及在晶圆上从芯粒周围引出的芯粒测试电路和通过晶圆互连引出到晶圆外围的系统测试电路组成；其测试方法是利用一次扎针实现对集成芯粒的测试和集成系统的测试。首先，对同质的芯粒进行相应的晶圆级芯片测试，测试结束标记失效的芯粒后，进入下一种类型的同质芯粒测试，完成所有芯粒测试后，根据通过测试的芯粒构建系统链路，对晶圆级集成系统进行系统级测试。利用本发明可以一次扎针就完成对键合芯粒的测试以及晶上集成系统的测试，利用芯粒测试可以筛除失效的芯粒，系统级测试可以确保系统链路的正确性以及整个晶上系统的可靠运行。
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公开(公告)号：CN114823592A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210758528.X
申请日：2022-06-30
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/488 , H01L23/367 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开一种晶上系统结构及其制备方法，该结构包括晶圆基板、集成芯粒、系统配置板和系统散热模组。所述晶圆基板和集成芯粒通过晶圆基板上表面的晶圆微凸点阵列和集成芯粒下表面的芯粒微凸点阵列键合相连；所述晶圆基板和系统配置板通过晶圆基板上的铜柱阵列和系统配置板下表面的焊盘键合相连；晶圆基板和系统配置板之间设有塑封层，塑封晶圆基板、集成芯粒和铜柱阵列；所述集成芯粒之间通过晶圆基板的顶部设置的重布线层电连接；所述系统配置板通过所述重布线层以及铜柱阵列与集成芯粒电连接；所述系统散热模组贴合在晶圆基板的下表面。本发明解决了SoW制备良率的忧虑和高密度TSV带来的晶圆可靠性的问题。
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公开(公告)号：CN114551409A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210455316.4
申请日：2022-04-28
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/552 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种用于提高多芯粒晶圆集成可靠性的混合键合结构和方法，该结构包括：对待键合晶圆的上表面对应芯粒键合区域的介电层和n个待键合芯粒的下表面的介电层进行光刻刻蚀，分别形成晶圆凹槽和芯粒凹槽；在凹槽中沉积TiN阻挡层以及铜的籽晶层，利用电镀生长铜填满凹槽，再利用CMP平整表面，形成晶圆铜壁和芯粒铜壁；将形成铜壁的待键合芯粒与的待键合晶圆对准贴合后进行混合键合，得到预键合晶圆组；将预键合晶圆组进行退火热处理，实现晶圆与芯粒的稳定键合。本发明可以阻隔集成芯粒之间及芯粒内部的电信号干扰，并且对D2W集成的散热有很大提升，避免芯粒工作时热量的局部堆积，提升了键合结果的可靠性。
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公开(公告)号：CN114551385A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210454688.5
申请日：2022-04-28
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/473 , H01L23/433 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及电子技术领域，尤其涉及一种含有微流道散热结构的三维堆叠封装结构及其封装方法，该结构包括芯片封装部分和硅基板封装部分，所述芯片封装部分由含有硅通孔的多层芯片通过三维堆叠封装构成，所述硅基板封装部分由硅基板构成，硅基板上设有与外部引线互连的微凸点，所述芯片封装部分通过微凸点键合装配到硅基板上，所述多层芯片上刻蚀有相对应的供冷却液水平方向流动的微流道和上下层流动的通孔，所述微流道和通孔的周围设置有密封环。本发明不仅降低了工艺复杂度和成本，也不会造成三维堆叠结构整体厚度的增加。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117246976B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311533163.1
申请日：2023-11-17
Applicant: 之江实验室
IPC: B81C3/00 , B81C1/00 , H01L23/473
Abstract: 本公开涉及晶上集成结构及其形成方法。该用于形成晶上集成结构的方法包括：在第一基板形成锁孔结构，形成锁孔结构的步骤包括：形成从基板的键合面延伸入基板的键合槽；形成多个从键合槽延伸入基板的键合孔；形成低陷在键合槽内的金属层结构；在第二基板形成凸闩结构，形成凸闩结构的步骤包括：形成层叠于基板的金属焊盘，其中，金属焊盘的外周与对应的键合槽的槽壁匹配；形成多个层叠于金属焊盘的金属凸点，金属焊盘处金属凸点的位置与对应的键合槽内键合孔的位置匹配；形成延伸入基板的流道结构；将金属焊盘对接于键合槽内；以及将凸闩结构键合于锁孔结构。该方法执行简单。此外，该方法能够将两个基板牢固可靠地连接。
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公开(公告)号：CN117080352B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311330498.3
申请日：2023-10-16
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种晶上系统封装结构及其制备方法，包括：第一晶圆基板、第二晶圆基板及芯片。第一晶圆基板包括第一衬底和第一互连层，第一衬底的第二面处设有第一微通道。第二晶圆基板与第一晶圆基板堆叠，第二晶圆基板包括第二衬底和第二互连层，第二衬底的第二面处设有第二微通道，第一微通道和第二微通道互相连通形成微通道散热结构。芯片设置在第一互连层，至少部分芯片设置在微通道散热结构对应的位置。第一晶圆基板和第二晶圆基板具有良好的导热性，可以快速散去芯片产生的热量，第一微通道和第二微通道可以实现对多种预制件的精准散热，进一步提高了散热效果，减小温度不均匀性。
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公开(公告)号：CN117471676A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311513166.9
申请日：2023-11-14
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了可晶圆集成的含有静电驱动垂直微镜的耐高温干涉仪，包括晶圆及其上的固定干涉臂和可调干涉臂，可调干涉臂包括固定电极和静电驱动的垂直微镜，垂直微镜包括透镜及驱动电极，通过固定电极和驱动电极之间的排斥或吸引实现垂直微镜的偏转或折射率改变，使得通过调干涉臂的光程差发生改变，再与通过固定干涉臂的光形成干涉，其中可调干涉臂的制备工艺为：在晶圆上表面深刻蚀形成固定电极及垂直微镜，对形成的垂直侧壁进行平坦化抛光；在晶圆、固定电极和垂直微镜表面沉积绝缘层；在晶圆的上表面形成电极及互连线图形，在垂直微镜上沉积金属层，通过剥离的方法形成引线互连；去除垂直微镜未被金属层覆盖的绝缘层，形成透镜。
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公开(公告)号：CN117219518A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311466364.4
申请日：2023-11-07
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L21/48 , H01L21/768 , H01L23/473 , H01L23/367 , H01L23/48
Abstract: 本公开涉及微流道基板及其制造方法、晶上封装结构及其制造方法。制造微流道基板的方法包括：形成多个延伸入预制基板的导电通道，及形成至少一个延伸入预制基板的金属翅，其中，导电通道和金属翅均从预制基板的第一侧延伸入预制基板，导电通道的长度大于金属翅的长度；形成从第一侧延伸入预制基板的微流道，得到围绕导电通道的第一翅并使金属翅的至少部分外周面暴露于微流道，其中，微流道的深度小于导电通道的长度；形成位于预制基板的第一侧并电连接于导电通道的第一金属层；从预制基板的背向第一侧的第二侧减薄预制基板，得到基板并使导电通道暴露于第二侧；以及形成位于基板的第二侧并电连接于导电通道的第二金属层。实现高效的散热能力。
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公开(公告)号：CN117038629A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311298879.8
申请日：2023-10-09
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/498 , H01L23/48 , H01L23/482 , H01L23/485 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了基于玻璃载板的无塑封嵌入式晶上系统结构及制备方法，该基于玻璃载板的无塑封嵌入式晶上系统结构包括：玻璃载板、芯粒、硅中介层、外结构件及芯片贴膜。玻璃载板上设有沟槽和载板微流道，芯粒通过芯片贴膜粘结在沟槽内。芯粒的第一键合面设有第一金属衬垫。硅中介层堆叠于玻璃载板和芯粒，硅中介层设有第二金属衬垫、金属互连、硅通孔、第一金属重布线层及第三金属衬垫。外结构件上设有结构件微流道，结构件微流道与载板微流道连通。第一金属衬垫和第二金属衬垫键合，硅通孔、第一金属重布线层和第三金属衬垫与芯粒连接。玻璃载板可以防止芯粒和硅中介层集成后翘曲量的增加，降低了后续工序的难度。
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