电子照相用构件及其生产方法、处理盒、和电子照相设备

    公开(公告)号:CN105739262B

    公开(公告)日:2018-12-25

    申请号:CN201510996408.3

    申请日:2015-12-25

    Abstract: 本发明涉及电子照相用构件及其生产方法、处理盒、和电子照相设备。提供即使在高温高湿环境下长期保存和使用仍不降低电荷提供性能、并因此有利于高品质电子照相图像的形成的电子照相用构件。电子照相用构件包括:导电性基体;和导电层,其中:导电层包含在其分子内具有阳离子性有机基团的树脂和阴离子;导电层中碱金属和碱土金属的含量的总和为500ppm以下;阴离子包括选自由氟化磺酸根阴离子、氟化羧酸根阴离子、氟化磺酰基酰亚胺阴离子、氟化磺酰基甲基化物阴离子、氟化烷基氟代硼酸根阴离子、氟化磷酸根阴离子、氟化锑酸根阴离子、和氟化砷酸根阴离子组成的组的至少一种。

    电子照相用构件、处理盒和电子照相设备

    公开(公告)号:CN105093875B

    公开(公告)日:2018-04-06

    申请号:CN201510246726.8

    申请日:2015-05-14

    CPC classification number: G03G5/043 G03G15/75

    Abstract: 本发明涉及电子照相用构件、处理盒和电子照相设备。本发明提供即使当在高温高湿环境下贮存或使用时也具有优异的变形恢复性、对形成高品质电子照相图像有用的电子照相用构件;处理盒;和电子照相设备。本发明的电子照相用构件包括导电性芯轴和导电层;所述导电层包含由离子导电剂和能够与所述离子导电剂反应的化合物合成的树脂;离子导电剂包含特定的阴离子和具有至少3个羟基的阳离子;所述化合物能够与羟基反应。

    电子照相用导电性构件、处理盒和电子照相图像形成设备

    公开(公告)号:CN105652621B

    公开(公告)日:2018-04-03

    申请号:CN201510847582.1

    申请日:2015-11-27

    CPC classification number: G03G5/04 G03G15/0233 G03G15/0818 G03G15/1685

    Abstract: 本发明涉及电子照相用导电性构件、处理盒和电子照相图像形成设备。提供一种具有稳定的带电能力的电子照相用导电性构件。所述导电性构件依次包括,导电性基体、导电性弹性层和表面层。表面层包含具有氨基甲酸酯键的聚合物。所述聚合物在分子中具有包括在选自以下的至少两种结构群中的结构:由特定结构式(1)表示的结构的结构群A;由特定结构式(2)表示的结构和由结构式(3)表示的结构的至少一种的结构群B;和由特定结构式(4)表示的结构的结构群C。表面层的体积电阻率为1.0×1010Ω·cm以上且1.0×1016Ω·cm以下,并且表面层在距离其表面的深度为1μm处的通用硬度为1.0N/mm2以上且7.0N/mm2以下。

    电子照相用导电性构件、处理盒和电子照相图像形成设备

    公开(公告)号:CN105652621A

    公开(公告)日:2016-06-08

    申请号:CN201510847582.1

    申请日:2015-11-27

    CPC classification number: G03G5/04 G03G15/0233 G03G15/0818 G03G15/1685

    Abstract: 本发明涉及电子照相用导电性构件、处理盒和电子照相图像形成设备。提供一种具有稳定的带电能力的电子照相用导电性构件。所述导电性构件依次包括,导电性基体、导电性弹性层和表面层。表面层包含具有氨基甲酸酯键的聚合物。所述聚合物在分子中具有包括在选自以下的至少两种结构群中的结构:由特定结构式(1)表示的结构的结构群A;由特定结构式(2)表示的结构和由结构式(3)表示的结构的至少一种的结构群B;和由特定结构式(4)表示的结构的结构群C。表面层的体积电阻率为1.0×1010Ω·cm以上且1.0×1016Ω·cm以下,并且表面层在距离其表面的深度为1μm处的通用硬度为1.0N/mm2以上且7.0N/mm2以下。

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