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公开(公告)号：CN103252206A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310188536.6
申请日：2013-05-19
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种花状氧化钨水合物吸附剂，属于无机材料的制造技术领域。该吸附剂以.045‐0.10M钨酸钠、钨酸钾的至少一种为钨源，盐酸、硝酸、硫酸中的至少一种提供质子（酸当量浓度为0.058‐0.23M），在50‐95℃下进行离子交换，反应1‐12h得到沉淀，过滤、洗涤后得到。该方法所需设备简单、工艺流程短、制备效率高，所选钨源价格低廉，制造成本低，所制备的分级花状WO3.H2O比表面积大，对有机染料和重金属离子的吸附能力强，饱和吸附量大，具有良好的工业应用前景。
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公开(公告)号：CN101880165B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201010152369.6
申请日：2010-04-16
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/622 , C04B35/40 , H01B13/00
Abstract: 本发明公开了一种短时间固相烧结技术制备铁基超导体的方法，步骤包括：在高纯Ar保护气氛下，将Ln和As粉按摩尔比1∶(1～1.1)混合，封装在高真空石英管内进行热处理，最后炉冷至室温，得到LnAs粉末；在高纯氩气保护的手套箱内，粉末LnAs和Fe粉、Fe2O3粉、FeF3粉按摩尔比3∶(1+x)∶(1-x)∶(1.1～1.5)x进行配比、研磨、压制成片，然后在高真空下进行退火处理，炉冷至室温，最终制备出LnO1-xFxFeAs超导体，其中Ln＝La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu，0＜x＜0.6。本发明方法提高铁基超导体性能的同时，提高铁基超导体的制备效率。
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公开(公告)号：CN102394208A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201110341108.3
申请日：2011-11-02
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 浸渍型氧化钇-钨基钇、钪酸盐阴极材料及其制备方法，属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。阴极基体中稀土氧化物为3-10％wt，其余为钨；对其浸渍的阴极发射活性盐中Sc2O3重量含量为2-6％，Y2O3重量含量为3-5％，其余为铝酸钡钙，铝酸钡钙中元素Ba∶Ca∶Al摩尔比为4∶1∶1。制备方法为：将钨粉和稀土氧化物Y2O3机械混合、压制、烧结得到基体；以硝酸钇、硝酸钪、硝酸钡、硝酸钙、硝酸铝和碳酸铵为原料，焙烧制备出浸渍用活性盐；在氢气气氛下对阴极基体进行浸渍以获得阴极材料。测试其二次电子发射系数明显高于钡钨阴极的二次电子发射系数，且热发射电流密度可以达到20.99A/cm2。
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公开(公告)号：CN101624286B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200910088527.3
申请日：2009-07-03
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L39/24 , C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 一种La掺杂CeO2过渡层薄膜及其制备方法属于高温超导材料制备技术领域。本发明所提供的La掺杂CeO2过渡层薄膜由Ce1-xLaxO2复合氧化物固溶体组成，其中，0.1≤x≤0.3；过渡层薄膜的厚度为30～250nm。本发明通过以有机铈盐为前驱盐，以乙酰丙酮镧为镧源，采用化学溶液方法制备前驱液后，经过旋涂或者浸涂的方法将前驱液涂敷到金属基带上，再经过热处理工艺制得La掺杂CeO2过渡层薄膜。本发明具有制备成本低廉、Ce1-xLaxO2过渡层薄膜晶格常数精确可调，且能够实现多种过渡层功能的一体化，减少现有的复杂过渡层结构等优点。
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公开(公告)号：CN101597162B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200910088528.8
申请日：2009-07-03
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 一种Gd掺杂CeO2过渡层薄膜及其制备方法属于高温超导材料制备技术领域。本发明所提供的Gd掺杂CeO2过渡层薄膜由Ce1-xGdxO2复合氧化物固溶体组成，其中，0.1≤x≤0.5；过渡层薄膜的厚度为30～250nm。本发明通过以醋酸铈为前驱盐，以醋酸钆为钆源，采用化学溶液方法制备前驱液后，经过旋涂或者浸涂的方法将前驱液涂敷到金属基带上，再经过热处理工艺制得Gd掺杂CeO2过渡层薄膜。本发明具有制备工艺简单，成本低，所得薄膜厚度大而且没有裂纹，同时薄膜可以外延基底的织构，表面平整致密，起到隔离超导层与基底材料之间相互反应的作用等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101625950B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200910090708.X
申请日：2009-08-03
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 含钇的压制型钡钨阴极及其制备方法，属稀土难熔金属阴极材料领域。现有的阴极材料无法满足大功率磁控管的使用要求。阴极中含有稀土氧化物Y2OA3，Y2O3占阴极总重量的10-20％wt，BaO、CaO和Al2O3三者的含量占阴极材料总重量的5-15％wt，其中Ba∶Ca∶Al摩尔比为4∶1∶1，其余为钨。具体制备方法：以偏钨酸铵、硝酸钇、三元硝酸盐为原料，柠檬酸为络合剂，采用溶胶-凝胶法制备复合凝胶，通过氢气气氛下两步还原：第一步还原温度为500-550℃，保温2-4h；第二步为750-950℃，保温1-2h。还原后的粉末在压制压力1-4t/cm2下压制，烧结温度为1400-1650℃，保温1-5min的条件下进行烧结加工成阴极。测试其次级发射系数明显高于钡钨阴极的次级发射系数，且热发射电流密度可以达到14.54A/cm2。
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公开(公告)号：CN101075515B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200710118067.5
申请日：2007-06-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种高电流密度异型束电子源，属电真空领域，特别涉及某些毫米波、亚毫米波段微波真空电子器件所需电子源的制造方法。目前常用的获得异型束的方法是利用磁聚焦将圆形束转化为不同形状的电子束，为此须用强永久磁场，这就增加了器件的体积和重量。本发明涉及的高电流密度异形束直接由阴极发射，无需或只需简单压缩便可获得所需形状和电流密度，大大简化聚焦系统、减小压缩比。该电子源主要由高电流密度含钪扩散阴极及覆盖于其上的异型束成形结构构成，这两部分组合后与钼套筒装配，并配以适当的热子构成高电流密度异型束电子源。电子源的面积可以在几十平方微米到几平方厘米之间，能够提供电流密度在50A/cm2以上特定形状的电子束。
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公开(公告)号：CN102161510A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110111249.6
申请日：2011-04-28
Applicant: 北京工业大学
IPC: C01G41/02
Abstract: 一种中空多孔氧化钨球制备方法属于功能材料领域。该方法为将钨酸铵、偏钨酸铵中的一种或两种溶于水中搅拌均匀，溶液浓度为1-200g/L，采用喷雾干燥设备喷雾干燥制备钨酸铵、偏钨酸铵或其混合物的中空粉体，将此粉体放入电炉中，加热至400-1000℃，保温时间为15-180min，制得中空多孔钨球。该方法所需设备简单、工艺流程短、制备效率高，是一种简单易行制备多孔纳米氧化钨球的方法。该工艺制备的中空多孔钨球的比表面积为15-30m2/g，具有良好的工业应用前景。
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公开(公告)号：CN101219896B
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200810056823.0
申请日：2008-01-25
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种Zr掺杂CeO2过渡层薄膜及其制备方法，属于高温涂层超导材料制备技术领域。本发明所提供的Ce1-xZrxO2(0.1≤x≤0.5)薄膜通过以下方法获得：首先，将有机Ce盐和有机Zr盐按照阳离子摩尔比1-x∶x，其中0.1≤x≤0.5，溶解到正丙酸和甲醇或乙酰丙酮的溶液中得到前驱溶液；然后将前驱液用旋涂或者浸涂的方法沉积到NiW合金基带或单晶基板上，在通有保护气的条件下，于950～1200℃烧结15～120分钟，获得Ce1-xZrxO2薄膜。本发明的厚度可以达到30～250nm，膜表面致密平整，没有微观裂纹和孔洞，具有较高的织构，制备工艺简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN101799385A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN201010145831.X
申请日：2010-04-09
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N1/44
Abstract: 本发明公开了一种试验用小型受热增压装置，整套装置由外、内两种模具组成；外模具由上(1)下(2)两部分组成，内部有可沿轴向移动的紧密配合的滑块(3)，滑块下部设有定位槽，下部分包含一个空腔，空腔内部放置内模具，空腔内下底面上部设有定位槽；内模具由上(4)下(5)两个压杆和圆孔模套(6)组成，上压杆的压头与外模具滑块下部的定位槽匹配，下压杆的压头与空腔内下底面上部的定位槽匹配，杆身置于圆孔模套内，并可以沿圆孔模套中心轴移动。使用时，外模具将注入气体封闭，加热时其内部气体由于热胀冷缩原理产生膨胀，通过其内部滑块将压力传递至内模具的压杆，进而传递给待制备的小型试样(7)，使其在加热过程中发生反应变性的同时始终受到外界压力的作用。整套装置结构简单，体积小巧，易于加工，便于装配，可方便用于试验室各种加热环境中。
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