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公开(公告)号：CN111722075B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202010611079.7
申请日：2020-06-30
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/26 , H01L29/06 , H01L29/778
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种GaN基HEMT器件潜径迹表征用测试结构及表征方法，结构包括底座、导电连接层及扫描探针。底座用于放置GaN基异质结构，GaN基异质结构包括沿远离底座方向依次层叠设置的GaN缓冲层、势垒层以及欧姆接触层，其中，GaN缓冲层和势垒层之间形成有二维电子气，欧姆接触层与二维电子气连通；导电连接层连接底座与欧姆接触层；扫描探针由底座引出，并连接势垒层，以在扫描探针与底座之间形成电回路，扫描探针用于沿势垒层表面扫描并在预设的偏压条件下获取势垒层中潜径迹的表征结果。通过上述测试结构能够快速准确地验证GaN基异质结构的势垒层中是否存在潜径迹，当存在潜径迹，可获取其表征结果，实现对潜径迹的有效表征。
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公开(公告)号：CN114005486A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111190652.2
申请日：2021-10-13
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G11C29/56
Abstract: 本申请涉及一种非易失性存储器辐射效应测试方法、装置、计算机设备和存储介质，应用于内置非易失性存储器的存储芯片，该方法包括：对被测芯片进行工作模式配置和初始数据写入操作，以使被测芯片中的易失性存储器写入初始数据；控制被测芯片断电，等待预设时长，以使初始数据从非易失性存储器自动写入非易失性存储器；控制辐照装置以预设辐照参数，辐照非易失性存储器；控制被测芯片上电，等待设定时间，以使易失性存储器从非易失性存储器中读出反馈数据；获取反馈数据，并根据反馈数据和初始数据，得到辐射效应测试结果并输出。上述非易失性存储器辐射效应测试方法，无需直接访问非易失性存储器，有利于扩展存储器辐射效应测试方法的应用场景。
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公开(公告)号：CN110045204B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201910341865.7
申请日：2019-04-26
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/00
Abstract: 本申请涉及一种单粒子闩锁维持电流测试方法、装置及系统。所述方法包括：当监测到处于当前离子束辐照中的待测器件出现单粒子闩锁效应时，采集待测器件的电流，并将采集到的电流确认为效应电流；以效应电流作为待测器件的输入电流的初始值，逐次减小输入电流，直至监测到处于当前离子束辐照中的待测器件、退出单粒子闩锁效应时，将当前的输入电流确认为待测器件对应的退出电流；获取处于下一种离子束辐照中的待测器件对应的退出电流；将各退出电流中的最小值确认为待测器件的单粒子闩锁维持电流，从而，本申请能够获得待测器件在辐射环境下的单粒子闩锁维持电流，提高了测试单粒子闩锁维持电流的准确度，进而为改进器件抗闩锁设计提供数据支持。
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公开(公告)号：CN113161033A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110306114.9
申请日：2021-03-23
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G21K1/00
Abstract: 本申请涉及降能技术领域，具体公开一种降能装置、降能方法、电子设备及计算机可读存储介质。降能装置包括同轴设置的第一降能片和第二降能片，第一降能片的厚度沿第一降能片的周向呈螺旋式变化趋势，第二降能片的厚度沿第二降能片的周向呈螺旋式变化趋势；当第一降能片和第二降能片中的至少一个沿轴旋转时，第一降能片和第二降能片在轴向上的叠加厚度呈单调性变化趋势。当第一降能片和/或第二降能片沿轴旋转时，第一降能片和第二降能片在轴向上组合叠加的厚度是连续变化的，且呈单调性变化趋势，由此，当该降能装置设置于带电粒子的入射路径上时，带电粒子通过该降能装置可以实现能量的连续降低，实现带电粒子能量的连续调节效果。
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公开(公告)号：CN113132521A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110238546.0
申请日：2021-03-04
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H04M1/24
Abstract: 本发明涉及辐射效应评估技术领域，公开了一种移动终端软故障测试方法和系统，包括使得待测移动终端处于测试模式之下；使用中子束流对所述待测移动终端进行辐照测试；控制所述待测移动终端运行不同的应用功能；对所述待测移动终端进行监测，观察并统计所述待测移动终端在运行不同的应用功能时的错误情况；根据所述错误情况区分不同的软故障类型。使用中子束流模拟真实环境中大气中子对待测移动终端的辐照。观察并统计待测移动终端在不同运行模式下的错误情况，并基于待测移动终端的错误情况区分不同的软故障类型。通过高通量的中子源对待测移动终端进行辐照试验，快速激发待测移动终端中可能存在的软故障类型，向产品研发人员提供有效数据支撑。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113109863A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110239996.1
申请日：2021-03-04
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01T3/08
Abstract: 本发明涉及辐射效应评估技术领域，公开了一种热中子单粒子效应敏感性试验方法和系统。使用中子束流对待测样品进行辐照试验，获取待测样品的第一单粒子效应平均截面；滤除中子束流中的热中子成分后，获取待测样品的第二单粒子效应平均截面；根据第一单粒子效应平均截面和第二单粒子效应平均截面，获取待测样品的热中子单粒子效应截面；获取待测样品中的B‑10同位素含量；综合热中子单粒子效应截面和待测样品中B‑10同位素含量，评估待测样品的热中子单粒子效应敏感性。通过对比滤除热中子前后的单粒子效应平均截面，获得待测器件的热中子单粒子效应截面，并结合B‑10同位素含量进行敏感性分析，实现单独评估热中子对待测器件出现单粒子效应影响的目的。
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公开(公告)号：CN110108966B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201910467249.6
申请日：2019-05-31
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/00
Abstract: 本申请涉及一种辐射效应测试板、系统、获取连接线长度的方法及装置，所述辐射效应测试板包括子板、母板以及连接线；连接线连接在子板与母板之间；连接线用于在辐射效应测试过程中将子板和母板分隔与连接线长度相等的距离；其中，连接线的长度为根据在辐射效应测试过程中母板相对于中子束流的有效截面积、中子源靶心处的中子通量、母板处于中子束流辐照下的辐照时长以及母板受到的总中子通量确定；从而，实现将本申请辐射效应测试板的子板与母板进行分离，避免了在对待测器件进行辐射效应测试的过程中，因中子束流辐照到母板上的敏感器件而造成的对待测器件辐射效应测试的干扰，进而，提高了测试待测器件的辐射效应的准确度。
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公开(公告)号：CN111579957A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010299625.8
申请日：2020-04-16
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种纳米MOSFET器件的总剂量辐射试验方法、装置和设备。其中，纳米MOSFET器件的总剂量辐射试验方法以多个总剂量试验点对同批器件中的多个器件进行总剂量辐射试验，得到各器件的试验数据；对各试验数据进行处理，得到各总剂量试验点的参数标准差和参数均值；根据各总剂量试验点的参数标准差和参数均值，得到各总剂量试验点上的单个器件栅氧化层的缺陷平均个数；根据泊松分布以及各缺陷平均个数，确定同批器件的缺陷分布情况。基于此，可针对存在涨落效应的纳米MOSFET器件进行辐射后离散数据的统计分布分析，确定单个器件栅氧化层中的缺陷平均个数，最终确定同批器件中栅氧化层内部的缺陷分布情况，为同批器件的总剂量辐射评估和考核提供有效数据。
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公开(公告)号：CN110988969A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911080572.4
申请日：2019-11-07
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01T3/00
Abstract: 本申请涉及一种大气中子辐射试验方法、系统和装置，其中一种大气中子辐射试验方法，通过采用待测电子系统整体辐射与辐射敏感部件辐射相结合的方法来确定待测电子系统的辐射效应试验结果，使得辐射效应试验结果能够准确地评估大气中子辐射对待测电子系统的影响，为电子系统大气中子辐射试验提供了试验方法；同时还可根据辐射效应试验结果确定大气中子辐射分别对辐射敏感部件和整个待测电子系统的影响程度，以便于对待测电子系统进行评估，并提供大气中子辐射加固方向。
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公开(公告)号：CN110045204A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910341865.7
申请日：2019-04-26
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/00
Abstract: 本申请涉及一种单粒子闩锁维持电流测试方法、装置及系统。所述方法包括：当监测到处于当前离子束辐照中的待测器件出现单粒子闩锁效应时，采集待测器件的电流，并将采集到的电流确认为效应电流；以效应电流作为待测器件的输入电流的初始值，逐次减小输入电流，直至监测到处于当前离子束辐照中的待测器件、退出单粒子闩锁效应时，将当前的输入电流确认为待测器件对应的退出电流；获取处于下一种离子束辐照中的待测器件对应的退出电流；将各退出电流中的最小值确认为待测器件的单粒子闩锁维持电流，从而，本申请能够获得待测器件在辐射环境下的单粒子闩锁维持电流，提高了测试单粒子闩锁维持电流的准确度，进而为改进器件抗闩锁设计提供数据支持。
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