公开(公告)号：CN104538288B

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201410752136.8

申请日：2014-12-09

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 胡平安 ,  张甲 ,  陈晓爽 ,  郑威 ,  冯伟 ,  刘光波

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/67 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种直接生长原子尺度二维半导体异质结的装置及方法。所述装置包括气氛调节装置、快速切换装置、石英管、加热装置和真空调节装置，石英管的中段位于加热装置内部，石英管的左右两端设置有快速切换装置，所述快速切换装置包括切换杆、后端盖、前端盖、第一套筒、第二套筒、第一耐高温O型圈、第二耐高温O型圈和石英构件。该装置具有有效、快速、结构简单的优点，利用该反应装置可以直接在基底表面生长原子尺度的二维半导体异质结。这种装置不仅可以用来生长异质结，也可以在一次反应中生长两种或两种以上的单一物质，从而缩短了材料生长的时间、降低了生长成本、提高了生产效率。

公开(公告)号：CN103091318B

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201310049642.6

申请日：2013-02-07

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 胡平安 ,  王晓娜 ,  张甲 ,  冯伟 ,  王立峰 ,  杨彬 ,  曹文武

IPC: G01N21/78

Abstract: 石墨烯/聚二丁炔复合薄膜的制备方法，它涉及一种复合薄膜的制备方法。石墨烯/聚二丁炔复合薄膜的制备方法：一、制备石墨烯薄膜；二、10,12-二十五二炔酸的氯仿溶液；三、将石墨烯薄膜浸泡在10,12-二十五二炔酸的氯仿溶液中，然后在避光的条件下反应，再用紫外灯照射，即得。本发明制备的石墨烯层数为2～5层，且透过率在蓝光区达到82％，在红光区达到76.9％。如此高的透过率，使传感器与有毒挥发性气体反应后，有利于传感器呈现颜色信号，且通过这种方法制备的石墨烯分散性很好，并且灵敏度高，为制备石墨烯/PDA薄膜传感器提供高质量的基底材料。

公开(公告)号：CN102680527B

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201210161361.5

申请日：2012-05-23

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 胡平安 ,  张荣福 ,  文振忠 ,  张甲 ,  王小娜 ,  王立锋 ,  李俊杰 ,  李晓超

IPC: G01N27/00

Abstract: 一种基于纳米软印刷技术批量制备石墨烯气体传感器的方法，属于石墨烯传感器的制备领域。为了解决现有技术制备的石墨烯传感器制备技术存在石墨烯形状与尺寸难以控制、制成的石墨烯传感器性能不一致，且不利于微纳米级石墨烯传感器集成的问题，本发明的操作步骤如下：一、石墨烯薄膜的制备；二、制备规则形状的石墨烯（包括还原氧化石墨烯和CVD石墨烯两种不同方法制备的石墨烯）；三、石墨烯的改性；四、批量石墨烯气体传感器的制备。本发明主要用于批量制备石墨烯气体传感器。该方法充分发挥了纳米软光刻技术与二维材料石墨烯的二者的优点，并且制备出的带状石墨烯传感器具有相同的性质，这为石墨烯做传感器的广泛应用与工业化奠定了基础。